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    衬底处理方法及用于该方法的药液
    1.
    发明授权
    衬底处理方法及用于该方法的药液 有权 转让

    公开(公告)号：CN100459037C

    公开(公告)日：2009-02-04

    申请号：CN200510054808.9

    申请日：2005-03-18

    Applicant: NEC液晶技术株式会社

    Inventor： 城户秀作

    IPC: H01L21/027 ,  G03F7/26 ,  G03F7/42 ,  G03F7/40 ,  H01L21/00 ,  G02F1/136

    CPC classification number: G03F7/40

    Abstract: 本发明提供可以抑制对有机膜图案或衬底的破坏的衬底处理方法，本发明的衬底处理方法包括对衬底上形成的有机膜图案进行加工的有机膜图案加工处理。在有机膜图案加工处理中，依次进行：对衬底进行加热的加热处理(步骤S00)；除去有机膜图案表面上形成的变质层或者沉积层的除去处理；将有机膜图案熔融变形的熔融变形处理(步骤S3)。其中除去处理的至少一部分通过对有机膜图案的药液处理(步骤S1)来进行。

    衬底的处理方法
    2.
    发明公开
    衬底的处理方法 无效

    公开(公告)号：CN101093790A

    公开(公告)日：2007-12-26

    申请号：CN200710127151.3

    申请日：2005-03-18

    Applicant: NEC液晶技术株式会社

    Inventor： 城户秀作

    IPC: H01L21/00 ,  H01L21/027 ,  G03F7/42 ,  G03F7/26 ,  G03F7/00

    CPC classification number: G03F7/40

    Abstract: 本发明提供可以使通过第2次显影处理可以将有机膜图案加工成新的图案形状的处理顺利进行的衬底处理方法。依次进行：用于将衬底加热的加热处理、用于将有机膜图案表面上形成的破坏层除去的前处理、用于将有机膜图案的至少一部分缩小或者将所述有机膜图案的一部分除去的显影处理(第2次)。通过在由前处理除去破坏层后进行显影处理，可以顺利地、均一性良好地进行第2次的显影处理。因此，可以均一性良好地进行在显影处理后进行的底膜的图案加工。

    形成图案的工序及采用该工序制造液晶显示设备的方法
    5.
    发明公开
    形成图案的工序及采用该工序制造液晶显示设备的方法 失效 转让

    公开(公告)号：CN1464340A

    公开(公告)日：2003-12-31

    申请号：CN02123216.4

    申请日：2002-06-12

    Applicant: NEC液晶技术株式会社

    Inventor： 城户秀作

    IPC: G03F7/00 ,  G03F7/16 ,  G03F7/26 ,  G02F1/1333

    Abstract: 利用发射到将被蚀刻的薄膜上的感光薄膜上的光量的不同，制成仅通过一个照相平版印刷步骤形成并且具有不同薄膜厚度的感光薄膜图案，利用感光薄膜图案薄膜厚度的不同对将被蚀刻的薄膜进行两次蚀刻，以便在其中形成多个图案，由此减少制造工序步骤的数量。在这种情况下，在蚀刻并除去感光薄膜图案之外的薄感光薄膜时，感光薄膜图案之外的厚感光薄膜的上层已经被改造成为几乎不受干蚀刻影响的二氧化硅薄膜，因此厚感光薄膜能保持其平面形状，并几乎与蚀刻薄感光薄膜之前厚感光薄膜的平面形状相同。因此，使用二氧化硅薄膜作为掩膜，将被蚀刻的薄膜被蚀刻为具有与设计图案几乎相同的图案。

    溶解变形用药液及溶解变形处理方法
    6.
    发明公开
    溶解变形用药液及溶解变形处理方法 有权

    公开(公告)号：CN101654617A

    公开(公告)日：2010-02-24

    申请号：CN200910165973.X

    申请日：2009-08-20

    Applicant: NEC液晶技术株式会社

    Inventor： 城户秀作 ,  安江秀国 ,  西嶋佳孝

    IPC: C09K13/00 ,  G03F7/32

    Abstract: 本发明的目的在于提供溶解变形用药液及溶解变形处理方法。其中，所述溶解变形用药液可以对有机膜图案进行均匀的溶解变形处理。本发明为一种溶解变形用药液，用于有机膜图案的溶解变形处理，其中，含有酰胺类及腈类中的至少任一种。另外，本发明为一种溶解变形用药液，用于有机膜图案的溶解变形处理，其中，至少含有含氮的碱成分和溶解变形用溶剂。

    基板处理装置以及处理方法
    7.
    发明公开
    基板处理装置以及处理方法 无效

    公开(公告)号：CN101620382A

    公开(公告)日：2010-01-06

    申请号：CN200910007455.5

    申请日：2004-09-17

    Applicant: NEC液晶技术株式会社

    Inventor： 城户秀作

    IPC: G03F7/30 ,  H01L21/027 ,  H01L21/00

    CPC classification number: H01L21/67028 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/67173

    Abstract: 提供一种可适合进行半曝光工艺的基板处理装置以及处理方法。整体性配置进行基板传送的基板传送机构(12)、用于对基板实施药液处理的药液处理单元(21)、用于对基板实施显影处理的显影处理单元20。或整体性配置进行基板传送的基板传送机构(12)、用于对基板实施药液处理的第1药液处理单元(21)、用于对基板实施药液处理的第2药液处理单元(21)。或整体性配置进行基板传送的基板传送机构(12)、用于对基板实施显影处理的第1显影处理单元(20)、用于对基板实施显影处理的第2显影处理单元(20)。

    基板处理装置
    8.
    发明公开
    基板处理装置 无效

    公开(公告)号：CN101350290A

    公开(公告)日：2009-01-21

    申请号：CN200810087091.1

    申请日：2004-09-17

    Applicant: NEC液晶技术株式会社

    Inventor： 城户秀作

    IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213

    CPC classification number: H01L21/0273 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/67173

    Abstract: 提供一种可适用于半曝光工艺，药液溶解回流工艺的基板处理装置以及处理方法。整体性配置进行基板传送的基板传送机构(12)、用于对基板实施药液处理的药液处理单元(21)、用于对基板实施气体气氛处理的气体气氛处理单元(22)。或整体性配置进行基板传送的基板传送机构(12)、调整基板温度的温度调整处理单元(19)、用于对基板实施气体气氛处理的气体气氛处理单元(22)。

    通过回流从较低层除去构图层的方法
    10.
    发明授权
    通过回流从较低层除去构图层的方法 失效 转让

    公开(公告)号：CN1272672C

    公开(公告)日：2006-08-30

    申请号：CN02100950.3

    申请日：2002-01-08

    Applicant: NEC液晶技术株式会社

    Inventor： 城户秀作

    IPC: G03F7/42 ,  H01L21/027

    Abstract: 提供一种用于从较低层除去有机化合物层的方法，此方法包括步骤：产生作用于所述有机化合物层的化学蒸汽；将所述有机化合物层暴露于所述化学蒸汽；以及从所述较低层剥离所述有机化合物层，其中，所述化学蒸汽是由有机溶剂产生的，此有机溶剂选自由通式R-OH表示的醇、烷氧基醇、由通式R-O-R、Ar-O-R和Ar-O-Ar表示的醚、酯、酮、乙二醇、烷撑二醇以及乙二醇醚所构成的组，其中R是烷基或取代烷基，Ar是苯基或除苯基之外的芳环。

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