公开(公告)号：CN114531129A

公开(公告)日：2022-05-24

申请号：CN202210162297.6

申请日：2022-02-22

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 王巍 ,  谭纪伟 ,  王方 ,  周杨春 ,  王华东 ,  滕洪菠 ,  张迎

IPC: H03H9/02 ,  H03H9/64

Abstract: 本发明请求保护一种双模声耦合表面波滤波器，它是一种基于128°YX‑LiNbO3压电衬底的带通滤波器，其包括一个128°YX‑LiNbO3压电衬底，三个叉指换能器(Interdigital Transducer,IDT)，两个反射栅(Mirror Grid)，以及一层覆盖在叉指换能器和反射栅上面的SiO2膜。相比于传统的DMS滤波器，本发明引入了SiO2薄膜结构，该结构不仅解决了128°YX‑LiNbO3压电衬底设计DMS滤波器出现的肩峰问题，而且还大大降低了插入损耗。并且128°YX‑LiNbO3压电衬底在一般被用作梯形声表面波滤波器的设计，本发明将其应用到DMS滤波器上，且性能相对于传统的基于36°YX‑LiNbO3的DMS滤波器有所提升。

公开(公告)号：CN114759896A

公开(公告)日：2022-07-15

申请号：CN202210362608.3

申请日：2022-04-07

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 王巍 ,  周杨春 ,  王方 ,  谭纪伟 ,  滕洪菠

IPC: H03H9/02 ,  H03H9/64 ,  G06F30/23

Abstract: 本发明请求保护一种用于抑制声表面波器件横向模干扰的反射栅设计，属于声表面波滤波器技术领域，其包括IDT型反射栅的结构设计和采用该反射栅结构的谐振器的有限元仿真方法。本发明的目的在于降低声表面波滤波器的传播损耗和带内横向模式的干扰以优化带内波动，降低插损。创新点在于，本方案提出的反射栅结构在插入损耗和带内波动都小于1dB的高性能声表面器件基础上，进一步有效地降低了带内波动和插入损耗。相对于常用的短路反射栅结构，对于谐振器和一阶梯形滤波器，该反射栅结构将带内最大尖峰损耗分别降低了8.84％和35.36％。

公开(公告)号：CN112532202A

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：CN202011342947.2

申请日：2020-11-25

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 王巍 ,  周杨春 ,  谭纪伟 ,  王方

IPC: H03H9/25 ,  H03H9/64 ,  H03H9/00

Abstract: 本发明请求保护一种基于BVD模型的SAW谐振器及滤波器的设计方法，其包括SAW谐振器的参数设计和基于COMSOL的有限元仿真方法。其中SAW谐振器参数包括插指对数的计算，孔径宽度的计算，反射栅对数的计算。COMSOL有限元仿真方法包括，单个串或并联谐振器的性能仿真以及一阶和多阶滤波器的性能仿真。本发明的目的在于根据所需的滤波器中心频率和带宽快速高效的设计出单端对谐振器或梯形结构的SAW滤波器，然后利用有限元仿真进一步检验所设计的器件性能。本设计方法在保证精确度的同时采用二维模型，直接计算整个模型的导纳和频率响应，其仿真结果更加准确，且模型简单，仿真速度快。