公开(公告)号：CN118884996A

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202410894783.6

申请日：2024-07-04

Applicant: 重庆大学

Inventor： 沈志熙 ,  卢毅 ,  党龙 ,  车鹏

IPC: G05D1/695 ,  G05D109/20

Abstract: 本发明公开了一种考虑负载分配的多无人机协同载物编队设计方法，该方法包括建立多无人机协同载物坐标系，描述负载和每架无人机相对位置关系，推导多无人机期望编队计算的显式表达式三个步骤，在设计多无人机协同载物期望编队计算方法时引入负载分配角，并分别给出了不同工况下、不同通行距离下对应的显式表达式。最后，借助MATLAB软件对三架四旋翼无人机载物飞行系统进行仿真实验对比，分析了所设计多无人机期望编队计算方法的优越性。

公开(公告)号：CN118884824A

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202410900428.5

申请日：2024-07-05

Applicant: 重庆大学

Inventor： 沈志熙 ,  卢毅 ,  林克寒 ,  向军

IPC: G05B13/04

Abstract: 本发明公开了一种固定状态约束下多机协同载物的有限时间控制器设计方法，包括构建考虑状态约束的平移和旋转子系统的状态误差动力学模型，基于两个通道状态误差动力学模型，设计基于固定状态约束的一致性有限时间自适应控制器uti和基于固定状态约束的一致性有限时间自适应控制器uri，实现快速稳定的控制目标。其中uti由基础控制部分和不确定因素补偿控制两部分组成，其中，基础控制部分采用有限时间控制策略以增强系统的快速响应及干扰抵抗力，而补偿控制部分通过引入虚拟参数及一个可计算的标量函数，并为此虚拟参数设计了自适应更新规则。通过仿真实现证明了本发明设计的控制器不但有效，而且跟踪误差小。

公开(公告)号：CN119335345A

公开(公告)日：2025-01-21

申请号：CN202411459412.1

申请日：2024-10-18

Applicant: 重庆大学 ,  国网冀北电力有限公司电力科学研究院

Inventor： 姚然 ,  李辉 ,  侯骅宸 ,  赖伟 ,  段泽宇 ,  向学位 ,  胡应宏 ,  李雨 ,  卢毅

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明涉及一种考虑老化影响的IGBT器件安全工作区退化表征方法，属于半导体技术领域。该方法表征模型包括：二维初始SOA(包括最大电流边界、最大功率损耗边界和最大电压边界)；变结温波动的结壳热阻退化模型；动态SOA边界退化模型。方法表征步骤如下：根据数据手册定义器件二维初始SOA，通过实验拟合得到不同结温波动功率循环条件下的热阻退化模型参数，根据热阻退化模型，建立变结温波动下动态SOA边界退化模型。该发明可以观察器件安全工作区边界收缩受负载和环境温度的工况变化的影响，有效表征器件老化对安全工作区的退化收缩作用。

公开(公告)号：CN118884825A

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202410900690.X

申请日：2024-07-05

Applicant: 重庆大学

Inventor： 沈志熙 ,  卢毅 ,  车鹏 ,  向军

IPC: G05B13/04

Abstract: 本发明公开了一种时变状态约束下多机协同载物的预设时间控制器设计方法，包括构建考虑状态约束的平移和旋转子系统的状态误差动力学模型，基于两个通道状态误差动力学模型，设计基于固定状态约束的一致性有限时间自适应控制器uti和基于固定状态约束的一致性有限时间自适应控制器uri，实现快速稳定的控制目标。其中uti由基础控制部分和不确定因素补偿控制两部分组成，其中，基础控制部分采用了预设时间控制形式，使得系统的收敛速度和抗干扰性得以在用户自定义的时间内优化，而补偿控制部分通过引入虚拟参数及一个可计算的标量函数，并为此虚拟参数设计了自适应更新规则。通过仿真实现证明了本发明设计的控制器不但有效，而且跟踪误差小。

公开(公告)号：CN112968007B

公开(公告)日：2023-03-24

申请号：CN202110149779.3

申请日：2021-02-03

Applicant: 重庆大学 ,  国网冀北电力有限公司电力科学研究院 ,  国网冀北电力有限公司

Inventor： 毛婳 ,  蒋华平 ,  冉立 ,  杨大伟 ,  蔡巍 ,  杨敏祥 ,  黄晓乐 ,  陈纲亮 ,  彭兆伟 ,  秦逸帆 ,  徐党国 ,  黄诗洋 ,  宁琳如 ,  龙凯华 ,  马鑫晟 ,  卢毅

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L23/427

Abstract: 本申请涉及一种功率半导体结构及直流断路器。该功率半导体结构包括第一金属组件层、半导体芯片组件、第一冷却件、第二金属组件层和第二冷却件；半导体芯片设于第一金属组件层上；芯片门极线的第一端连接半导体芯片；第一冷却件设于半导体芯片上；第二金属组件层包括设于第一冷却件上的第一金属层，以及设于第一金属层上的第二金属层；其中，第一金属设有容纳腔；第二冷却件设于容纳腔内；芯片门极线的第二端依次绝缘穿过第一冷却件和第一金属层，并从第二金属层的一侧面绝缘穿出，实现在电网发生短路等故障时，可通过第一冷却件和第二冷却件快速降低半导体芯片温度，同时提升芯片的温度均匀性，进而提高了应用模块的安全可靠性。

公开(公告)号：CN112968007A

公开(公告)日：2021-06-15

申请号：CN202110149779.3

申请日：2021-02-03

Applicant: 重庆大学 ,  国网冀北电力有限公司电力科学研究院 ,  国网冀北电力有限公司

Inventor： 毛婳 ,  蒋华平 ,  冉立 ,  杨大伟 ,  蔡巍 ,  杨敏祥 ,  黄晓乐 ,  陈纲亮 ,  彭兆伟 ,  秦逸帆 ,  徐党国 ,  黄诗洋 ,  宁琳如 ,  龙凯华 ,  马鑫晟 ,  卢毅

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L23/427

Abstract: 本申请涉及一种功率半导体结构及直流断路器。该功率半导体结构包括第一金属组件层、半导体芯片组件、第一冷却件、第二金属组件层和第二冷却件；半导体芯片设于第一金属组件层上；芯片门极线的第一端连接半导体芯片；第一冷却件设于半导体芯片上；第二金属组件层包括设于第一冷却件上的第一金属层，以及设于第一金属层上的第二金属层；其中，第一金属设有容纳腔；第二冷却件设于容纳腔内；芯片门极线的第二端依次绝缘穿过第一冷却件和第一金属层，并从第二金属层的一侧面绝缘穿出，实现在电网发生短路等故障时，可通过第一冷却件和第二冷却件快速降低半导体芯片温度，同时提升芯片的温度均匀性，进而提高了应用模块的安全可靠性。