低结瘤氧化铟锡靶材的制备方法

    公开(公告)号:CN109369172A

    公开(公告)日:2019-02-22

    申请号:CN201811505302.9

    申请日:2018-12-10

    Applicant: 郑州大学

    Abstract: 本发明公开了低结瘤氧化铟锡靶材的制备方法,该方法包括,氧化铟粉体、氧化锡粉体研磨混匀,得到混合粉体;混合粉体与料浆液混合,真空除气,得到料浆;料浆在压力下注入成型模具,冷等静压强化,得到靶材素坯;靶材素坯在恒温恒湿环境中干燥,在空气气氛下程序升温至脱脂温度,保持设定的时间,在氧气气氛下程序升温至烧结温度,保持设定时间;停止通入氧气,程序降温至室温,得到氧化铟锡靶材。本方法的烧结温度低,烧结时间大大缩短,有效抑制了晶粒长大,保证了氧化铟锡靶材晶粒细小、分布均匀,平均晶粒度为4~6μm;相对密度大于99.6%;电阻率低至1.24×10-4Ω.cm,具有长时间溅射结瘤低、不中毒的优异性能。

Patent Agency Ranking