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公开(公告)号：CN102347382A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201110221682.5
申请日：2011-07-28
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L31/0352 , H01L31/06
CPC classification number: H01L31/1828 , H01L31/0296 , H01L31/073 , Y02E10/543
Abstract: 提供光伏器件。该器件包括透明导电层。p型半导体窗口层设置在该n型透明导电层之上。n型半导体层设置在该p型半导体窗口层之上。n型碲化镉吸收层设置在该p型半导体窗口层和该n型半导体层之间。
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公开(公告)号：CN102751347A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201210134176.7
申请日：2012-04-18
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/02363 , H01L31/022425 , H01L31/0296 , H01L31/03529 , H01L31/073 , H01L31/1832 , H01L31/1884 , Y02E10/543 , Y02P70/521
Abstract: 本公开涉及光伏器件和制造方法。在本发明的一个方面，提供光伏器件。该光伏器件包括：透明层；设置在该透明层上的第一多孔层，其中该第一多孔层包括多个延伸通过该第一多孔层的厚度的孔；设置在该多个孔中来形成图案化的第一半导体层的第一半导体材料；以及设置在该第一多孔层和该图案化的第一半导体层上的第二半导体层，其中该图案化的第一半导体层是大致上透明的。也提供制造光伏器件的方法。
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公开(公告)号：CN102136516A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN201010625163.0
申请日：2010-12-23
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L31/06 , H01L31/0352
CPC classification number: H01L31/1828 , H01L31/035227 , H01L31/03529 , Y02E10/543
Abstract: 公开了一种光伏(PV)电池(200)。该PV电池包括多个超微结构(202)，其电耦合于多晶光活性吸收层(204)并嵌入该多晶光活性吸收层(204)内，其中该多晶光活性吸收层(204)包括p型化合物半导体。
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公开(公告)号：CN102315323B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201110227909.7
申请日：2011-06-29
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/073 , H01L31/0392 , H01L31/0296
CPC classification number: H01L31/073 , H01L31/022425 , H01L31/02963 , H01L31/03925 , H01L31/1836 , Y02E10/543
Abstract: 本发明涉及光伏电池以及用于形成光伏电池的背接触的方法。提供了一种用于形成包括至少一个半导体层(22，24)的光伏电池(10)的背接触(12)的方法。一个方法包括在金属接触(20)上沉积至少一个背接触材料(16)。该背接触材料包括金属氮化物或金属磷化物。该方法进一步包括在该背接触材料上沉积包括镉和碲的吸收层(22)并热处理该背接触材料，使得该背接触材料与该吸收层相互作用来形成降低该光伏电池的接触电阻的夹层(30)。还提供了光伏电池(10)并且包括金属接触、设置在该金属接触上的至少一个背接触材料，以及设置在该背接触材料上的包括含镉和碲的材料的吸收层。夹层设置在该背接触材料和吸收层之间并包括该背接触材料和吸收层材料的组分梯度层(30)。该光伏电池进一步包括设置在该吸收层上的窗口层。
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公开(公告)号：CN102051599B
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201010538504.0
申请日：2010-10-29
Applicant: 通用电气公司
IPC: C23C16/448 , C23C16/455 , C23C16/30
CPC classification number: C23C14/243 , C23C14/228 , C23C14/26
Abstract: 本发明涉及用于在衬底上沉积多种材料的方法和系统。提供了一种用于在衬底(100)上沉积两种或更多种材料的系统(10)。系统(10)包括一个或多个接受器(11)，该一个或多个接受器(11)构造成限定用于分别容纳至少第一材料(13)和第二材料(14)的两个或更多个凹部(12)。第一材料和第二材料(13，14)是不同的。系统(10)进一步包括一个或多个加热器，以加热第一材料(13)和第二材料(14)，以使第一材料和第二材料(13，14)升华，以便在衬底(100)上沉积。还提出了一种用于在衬底(100)上沉积两种或更多种材料的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102051599A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN201010538504.0
申请日：2010-10-29
Applicant: 通用电气公司
IPC: C23C16/448 , C23C16/455 , C23C16/30
CPC classification number: C23C14/243 , C23C14/228 , C23C14/26
Abstract: 本发明涉及用于在衬底上沉积多种材料的方法和系统。提供了一种用于在衬底(100)上沉积两种或更多种材料的系统(10)。系统(10)包括一个或多个接受器(11)，该一个或多个接受器(11)构造成限定用于分别容纳至少第一材料(13)和第二材料(14)的两个或更多个凹部(12)。第一材料和第二材料(13，14)是不同的。系统(10)进一步包括一个或多个加热器，以加热第一材料(13)和第二材料(14)，以使第一材料和第二材料(13，14)升华，以便在衬底(100)上沉积。还提出了一种用于在衬底(100)上沉积两种或更多种材料的方法。
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公开(公告)号：CN102315323A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201110227909.7
申请日：2011-06-29
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/04
CPC classification number: H01L31/073 , H01L31/022425 , H01L31/02963 , H01L31/03925 , H01L31/1836 , Y02E10/543
Abstract: 本发明涉及光伏电池以及用于形成光伏电池的背接触的方法。提供了一种用于形成包括至少一个半导体层(22，24)的光伏电池(10)的背接触(12)的方法。一个方法包括在金属接触(20)上沉积至少一个背接触材料(16)。该背接触材料包括金属氮化物或金属磷化物。该方法进一步包括在该背接触材料上沉积包括镉和碲的吸收层(22)并热处理该背接触材料，使得该背接触材料与该吸收层相互作用来形成降低该光伏电池的接触电阻的夹层(30)。还提供了光伏电池(10)并且包括金属接触、设置在该金属接触上的至少一个背接触材料，以及设置在该背接触材料上的包括含镉和碲的材料的吸收层。夹层设置在该背接触材料和吸收层之间并包括该背接触材料和吸收层材料的组分梯度层(30)。该光伏电池进一步包括设置在该吸收层上的窗口层。
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公开(公告)号：CN101853893A
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN201010159775.5
申请日：2010-03-31
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L31/042 , H01L31/036 , H01L31/0256 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/1828 , H01L31/02963 , H01L31/03529 , H01L31/0368 , Y02E10/543
Abstract: 提供了一种光伏装置，其包括吸收层，其中吸收层包括由晶界隔开的多个晶粒。至少一个层布置在吸收层上。吸收层包括基本上垂直于布置在吸收层上的至少一个层的晶界。多个晶粒具有小于1微米的中值晶粒直径。而且，晶粒为p型或n型。晶界包括活性掺杂剂。晶界中的活性掺杂剂浓度高于晶粒中的有效掺杂剂浓度。晶粒和晶界可为相同类型或相反类型。而且，在晶界为n型时，晶界的底部可为p型。还公开了一种制成吸收层的方法。
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公开(公告)号：CN101853888A
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN201010157085.6
申请日：2010-03-31
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L31/0264 , H01L31/0296 , H01L31/042 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/035281 , H01L31/02963 , H01L31/03529 , H01L31/073 , H01L31/1828 , H01L31/1836 , Y02E10/543
Abstract: 本发明提供一种包含层的光伏器件。所述层包含由晶粒间界分隔的许多晶粒，其中晶粒为p型或n型。晶粒间界包含活性掺杂剂。晶粒间界中活性掺杂剂浓度高于晶粒中的有效掺杂剂浓度。晶粒和晶粒间界可以为相同类型或相反类型。另外，在晶粒间界为n型时，晶粒间界的底部可以为p型。本发明还公开一种制备层的方法。
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公开(公告)号：CN102751347B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201210134176.7
申请日：2012-04-18
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/02363 , H01L31/022425 , H01L31/0296 , H01L31/03529 , H01L31/073 , H01L31/1832 , H01L31/1884 , Y02E10/543 , Y02P70/521
Abstract: 本公开涉及光伏器件和制造方法。在本发明的一个方面，提供光伏器件。该光伏器件包括：透明层；设置在该透明层上的第一多孔层，其中该第一多孔层包括多个延伸通过该第一多孔层的厚度的孔；设置在该多个孔中来形成图案化的第一半导体层的第一半导体材料；以及设置在该第一多孔层和该图案化的第一半导体层上的第二半导体层，其中该图案化的第一半导体层是大致上透明的。也提供制造光伏器件的方法。
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