公开(公告)号：CN110060962B

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN201811531761.4

申请日：2013-07-30

Applicant: 通用电气公司

Inventor： A.V.高达 ,  P.A.麦康奈李 ,  S.S.乔罕

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/488 ,  H01L23/373 ,  H01L23/498 ,  H01L23/538 ,  H01L25/07 ,  H01L21/48 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明涉及可靠的表面安装整体功率模块，公开了一种产生改进的热‑机械可靠性和更牢靠的二级封装互连的表面安装封装结构。该表面安装封装结构包括子模块，该子模块具有介电层、附连到介电层的半导体装置、电联接至半导体装置的一级金属互连、以及电联接至一级互连且在与半导体装置相反的一侧形成于介电层上的二级I/O连接，其中二级I/O连接构造成将子模块连接到外部电路。子模块的半导体装置附连到多层衬底结构的第一表面，其中介电材料定位在介电层与多层衬底结构之间，以填充表面安装结构中的间隙并向其提供另外的结构完整性。

公开(公告)号：CN116544208A

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN202310295935.6

申请日：2015-10-13

Applicant: 通用电气公司

Inventor： A.V.高达 ,  P.A.麦康奈利

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/49 ,  H01L23/482 ,  H01L25/07 ,  H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明涉及具有引线接合件的功率覆层结构和制造其的方法。具体而言，功率覆层(POL)结构包括：功率器件，其具有布置在功率器件的上表面上的至少一个上接触焊盘；和POL互连层，其具有联接至功率器件的上表面的电介质层、和金属化层，金属化层具有金属互连件，该金属互连件延伸穿过通孔并且电联接至功率器件的至少一个上接触焊盘，该通孔穿过电介质层而形成。POL结构还包括直接联接至金属化层的至少一个铜引线接合件。

公开(公告)号：CN103579137B

公开(公告)日：2020-03-13

申请号：CN201310324485.5

申请日：2013-07-30

Applicant: 通用电气公司

Inventor： A.V.高达 ,  P.A.麦康奈李 ,  S.S.乔罕

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/29 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明涉及可靠的表面安装整体功率模块，公开了一种产生改进的热‑机械可靠性和更牢靠的二级封装互连的表面安装封装结构。该表面安装封装结构包括子模块，该子模块具有介电层、附连到介电层的半导体装置、电联接至半导体装置的一级金属互连、以及电联接至一级互连且在与半导体装置相反的一侧形成于介电层上的二级I/O连接，其中二级I/O连接构造成将子模块连接到外部电路。子模块的半导体装置附连到多层衬底结构的第一表面，其中介电材料定位在介电层与多层衬底结构之间，以填充表面安装结构中的间隙并向其提供另外的结构完整性。

公开(公告)号：CN104051376B

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201410094324.6

申请日：2014-03-14

Applicant: 通用电气公司

Inventor： A.V.高达 ,  S.S.乔汉 ,  P.A.麦康奈利

IPC: H01L23/373 ,  H01L23/14 ,  H01L23/488 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/49568 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/24 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/92144 ,  H01L2224/9222 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15312 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181

Abstract: 一种半导体装置模块，包括：介电层；半导体装置，其具有联接到介电层上的第一表面；以及传导垫片，其具有联接到介电层的第一表面。该半导体装置还包括导电散热器，其具有联接到半导体装置的第二表面和传导垫片的第二表面的第一表面。金属化层联接到半导体装置的第一表面和传导垫片的第一表面。金属化层延伸穿过介电层并且通过传导垫片和散热器电连接到半导体装置的第二表面。

公开(公告)号：CN107546195A

公开(公告)日：2018-01-05

申请号：CN201710507626.5

申请日：2017-06-28

Applicant: 通用电气公司

Inventor： A.V.高达 ,  R.I.托米宁

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L23/498

CPC classification number: H01L23/5389 ,  B81C1/00246 ,  B81C2203/0735 ,  G02B6/4201 ,  G06K19/07745 ,  H01L23/34 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/5228 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5386 ,  H01L23/57 ,  H01L23/58 ,  H01L24/02 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L25/16 ,  H01L27/0694 ,  H01L2223/54446 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/02375 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/2518 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/92144 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/19015 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19104

Abstract: 本发明涉及一种用于半导体芯片封装件的晶粒，其包括第一表面，第一表面包括形成在其中的集成电路。晶粒还包括与第一表面相反的背侧表面。背侧表面具有限定背侧表面的基本平面区域的总表面面积。晶粒还包括形成在背侧表面上的至少一个装置。至少一个装置包括从至少一个装置延伸超过总表面面积的至少一个延伸部。

公开(公告)号：CN105514077B

公开(公告)日：2020-03-31

申请号：CN201510668963.3

申请日：2015-10-13

Applicant: 通用电气公司

Inventor： A.V.高达 ,  P.A.麦康奈利

IPC: H01L23/492 ,  H01L23/528 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明涉及具有引线接合件的功率覆层结构和制造其的方法。具体而言，功率覆层(POL)结构包括：功率器件，其具有布置在功率器件的上表面上的至少一个上接触焊盘；和POL互连层，其具有联接至功率器件的上表面的电介质层、和金属化层，金属化层具有金属互连件，该金属互连件延伸穿过通孔并且电联接至功率器件的至少一个上接触焊盘，该通孔穿过电介质层而形成。POL结构还包括直接联接至金属化层的至少一个铜引线接合件。

公开(公告)号：CN108428689A

公开(公告)日：2018-08-21

申请号：CN201710075995.1

申请日：2017-02-13

Applicant: 通用电气公司

Inventor： A.V.高达 ,  P.A.麦克康奈利 ,  N.C.斯托菲尔 ,  R.I.托米宁

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/13

CPC classification number: H01L23/49838 ,  H01L23/13

Abstract: 本文中公开了一种电子设备组件，其包括具有包绕其内部分的外部分的玻璃基底，其中内部分具有第一厚度，并且外部分具有大于第一厚度的第二厚度。粘合层形成在玻璃基底的内部分的下表面上。具有上表面的半导体装置联接于粘合层，半导体装置具有设置在其上表面上的至少一个接触垫。第一金属化层联接于玻璃基底的上表面，并且延伸穿过形成穿过玻璃基底的第一厚度的第一通孔以与半导体装置的至少一个接触垫联接。

公开(公告)号：CN107845628A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201710856201.5

申请日：2017-09-19

Applicant: 通用电气公司

Inventor： A.V.高达

IPC: H01L25/18 ,  H01L21/98

Abstract: 描述了一种集成电路(IC)器件。IC器件包括衬底。包括通过其中的腔的连接部件附接到衬底。存储器晶片位于连接部件的腔中并且电连接到衬底。逻辑晶片在存储器晶片和连接部件的至少一部分上延伸，并且电连接到连接部件和存储器晶片。连接部件形成为没有硅通孔并且通过引线接合电连接到衬底。

公开(公告)号：CN102904168B

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201210263056.7

申请日：2012-07-27

Applicant: 通用电气公司

Inventor： M.F.艾米 ,  A.V.高达 ,  蒋健君

IPC: H02B1/20 ,  H02B1/24 ,  H01H59/00 ,  H01H11/00

CPC classification number: H01H1/0036 ,  H01H1/58 ,  H01H9/40 ,  H01H59/0009 ,  Y10T29/49105

Abstract: 本发明涉及一种配电系统。提供了一种设备，诸如配电系统。该设备可包括第一导体和第二导体。多个导电路径可在第一导体和第二导体之间沿着连接跨度形成并联的电连接，其中导电路径中的各个具有分别相似的公称电阻。第一导体和第二导体可具有沿着所述连接跨度在相反的方向上减少的各自的截面积。

公开(公告)号：CN104051377A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201410094386.7

申请日：2014-03-14

Applicant: 通用电气公司

Inventor： A.V.高达 ,  S.S.乔汉 ,  P.A.麦康奈利

IPC: H01L23/373 ,  H01L23/14 ,  H01L23/488 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明涉及功率覆盖结构及其制作方法。一种功率覆盖(POL)结构，包括POL子模块。POL子模块包括介电层和具有附接到介电层上的顶表面的半导体装置。半导体装置的顶表面具有形成在其上的至少一个接触垫。POL子模块还包括金属互连结构，其延伸穿过介电层，且电性地联接到半导体装置的至少一个接触垫上。传导垫片联接到半导体装置的底表面上，且热界面的第一侧联接到传导垫片上。散热件联接到电绝缘的热界面的第二侧上。