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公开(公告)号：CN1835989A
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：CN200480023362.7
申请日：2004-06-10
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: G11B5/73 , C08G73/1053 , Y10S360/902 , Y10T428/21 , Y10T428/31504 , Y10T428/31681 , Y10T428/31721
Abstract: 本发明的一个方面提供了数据存储介质，该存储介质包括：a)基质，其物质部分包括至少一种聚酰亚胺，和b)在基质上的至少一层数据层。该含有聚酰亚胺的基质表现出低的轴向位移和有利的阻尼特性。
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公开(公告)号：CN1620690A
公开(公告)日：2005-05-25
申请号：CN02828110.1
申请日：2002-10-08
Applicant: 通用电气公司
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/24056 , G11B7/2433 , G11B7/2472 , G11B7/248 , G11B7/252 , G11B7/2533 , G11B7/2534 , G11B7/2535 , G11B7/2536 , G11B7/2542 , G11B7/256 , G11B7/2578 , G11B7/258 , G11B7/2585 , G11B7/259 , G11B7/2595 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/2432 , G11B2007/25708 , G11B2007/2571 , G11B2007/25711 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715 , Y10T428/21 , Y10T428/2495 , Y10T428/26
Abstract: 公开了在55mm半径下的径向偏差小于或等于约1.15度的存储介质(5)。在一个实施方案中，存储介质(5)包括：塑料基材(108)，光学层(114)和位于其间的数据存储层(102)。反射层(11)位于数据存储层(102)和基材(108)之间。
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公开(公告)号：CN101128513A
公开(公告)日：2008-02-20
申请号：CN200680006242.5
申请日：2006-02-17
Applicant: 通用电气公司
IPC: C08G73/00
CPC classification number: H05K1/0346 , C08J5/18 , C08J2379/08 , C08L79/08 , H05K1/036 , Y10T428/31721
Abstract: 本发明提供聚醚酰亚胺膜和多层结构体的各种实施方式。在一种实施方式中，该聚醚酰亚胺膜具有约260℃至约350℃的玻璃化转变温度，并且聚醚酰亚胺在425℃时熔体粘度为约200至约10,000帕－秒，所述熔体粘度根据ASTM方法D3835测定。
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公开(公告)号：CN100358027C
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN02816649.3
申请日：2002-08-07
Applicant: 通用电气公司
Inventor： 艾琳·德里斯 , 格兰特·海 , 史蒂文·F·哈伯德 , 亨德里克·T·范德格兰佩尔 , 格尔特·博文
IPC: G11B7/24 , G11B11/105
CPC classification number: G11B7/2533 , G11B7/2403 , G11B7/24067 , G11B7/243 , G11B7/246 , G11B7/2472 , G11B7/248 , G11B7/252 , G11B7/2534 , G11B7/2535 , G11B7/2536 , G11B7/2542 , G11B7/2575 , G11B7/259 , G11B11/10584 , G11B11/10586 , G11B2007/2571 , Y10T428/21
Abstract: 本发明涉及数据存储介质，具体地涉及包括至少一个用于控制存储介质平面度的高(杨氏)模量层的数据存储介质。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1322025C
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN02823202.X
申请日：2002-10-10
Applicant: 通用电气公司
Inventor： 汉斯·P·布拉克 , 丹尼斯·卡里克 , 西奥多勒斯·L·霍克斯 , 艾琳·德里斯 , 约翰·M·惠特尼
Abstract: 一种封端聚碳酸酯树脂的方法，包括在熔融酯交换反应中处理含有游离端羟基的聚碳酸酯与封端剂的混合物来制备聚碳酸酯树脂的步骤，其中所述封端剂包含下列物质的混合物：(a)至少一种对称的活性芳族碳酸酯，及(b)至少一种任选取代的酚，由此，所述封端剂与所述聚碳酸酯的至少一些游离端羟基反应，进而制得封端的聚碳酸酯树脂。
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公开(公告)号：CN101356581A
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200680050775.3
申请日：2006-12-08
Applicant: 通用电气公司
IPC: G11B7/254
CPC classification number: G11B7/266 , G11B7/00454 , G11B7/24056 , G11B7/2433 , G11B7/2472 , G11B7/248 , G11B7/2534 , G11B7/2545 , G11B7/256 , G11B7/26 , G11B2007/2432
Abstract: 本发明提供一种光学存储介质。该光学存储介质可包括数据层和固定在数据层表面上的可固化硬涂层。可使用波长小于约650nm的激光对数据层进行读取、写入，或者进行读取和写入两者。本发明提供一种将可固化硬涂层直接固定在数据层上并将硬涂层固化的方法。
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公开(公告)号：CN1697849A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN02823202.X
申请日：2002-10-10
Applicant: 通用电气公司
Inventor： 汉斯·P·布拉克 , 丹尼斯·卡里克 , 西奥多勒斯·L·霍克斯 , 艾琳·德里斯 , 约翰·M·惠特尼
CPC classification number: C08G64/307 , C08G64/14 , C08G64/42
Abstract: 一种封端聚碳酸酯树脂的方法，包括在熔融酯交换反应中处理含有游离端羟基的聚碳酸酯与封端剂的混合物来制备聚碳酸酯树脂的步骤，其中所述封端剂包含下列物质的混合物：(a)至少一种对称的活性芳族碳酸酯，及(b)至少一种任选取代的酚，由此，所述封端剂与所述聚碳酸酯的至少一些游离端羟基反应，进而制得封端的聚碳酸酯树脂。
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公开(公告)号：CN1568505A
公开(公告)日：2005-01-19
申请号：CN02820119.1
申请日：2002-07-11
Applicant: 通用电气公司
IPC: G11B7/00
CPC classification number: C08G64/06 , G11B7/0956 , G11B7/2533 , G11B33/14
Abstract: 本发明提供了一种通过预先测定制品的最大倾斜度和半径来测量该制品水致形变的方法。本发明的实施方案中还包括数据存储介质和用于数据存储介质的材料，其中数据存储介质包含多个层，并对该多层进行了上述水致形变的计算。
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公开(公告)号：CN1547741A
公开(公告)日：2004-11-17
申请号：CN02816649.3
申请日：2002-08-07
Applicant: 通用电气公司
Inventor： 艾琳·德里斯 , 格兰特·海 , 史蒂文·F·哈伯德 , 亨德里克·T·范德格兰佩尔 , 格尔特·博文
IPC: G11B7/24 , G11B11/105
CPC classification number: G11B7/2533 , G11B7/2403 , G11B7/24067 , G11B7/243 , G11B7/246 , G11B7/2472 , G11B7/248 , G11B7/252 , G11B7/2534 , G11B7/2535 , G11B7/2536 , G11B7/2542 , G11B7/2575 , G11B7/259 , G11B11/10584 , G11B11/10586 , G11B2007/2571 , Y10T428/21
Abstract: 本发明涉及数据存储介质，具体地涉及包括至少一个用于控制存储介质平面度的高(杨氏)模量层的数据存储介质。
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