公开(公告)号：CN1650359A

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：CN03809772.9

申请日：2003-03-07

Applicant: 通用电气公司

Inventor： 托马斯·P·费斯特 ,  凯文·H·戴 ,  格伦·D·默费尔德

IPC: G11B7/24

CPC classification number: G11B7/2536 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/73 ,  G11B5/743 ,  G11B5/82 ,  G11B7/24038 ,  G11B7/2433 ,  G11B7/246 ,  G11B7/2472 ,  G11B7/248 ,  G11B7/252 ,  G11B7/2533 ,  G11B7/2534 ,  G11B7/2542 ,  G11B7/2548 ,  G11B7/2578 ,  G11B7/258 ,  G11B11/10586 ,  G11B2007/25708 ,  G11B2007/2571 ,  G11B2007/25711 ,  G11B2007/25713 ,  G11B2007/25715

Abstract: 一种存储介质，包含：包含塑料树脂部分的基片，和在基片上的数据层，其中塑料树脂部分包含聚(亚芳基醚)和苯乙烯类材料(或包含聚(亚芳基醚)和苯乙烯类材料的反应产物)，其中苯乙烯类材料选自聚苯乙烯、苯乙烯类共聚物，和包含前述苯乙烯类材料中的至少一种的反应产物和组合。聚(亚芳基醚)的重均分子量为约5,000至约50,000 AMU，且聚苯乙烯的重均分子量为约10,000至约300,000 AMU。通过能量场数据层能够至少部分地被读取、写入、或读取及写入。此外，当能量场接触存储介质时，在能量场能够入射到基片上前，其入射到数据层上。

公开(公告)号：CN1568505A

公开(公告)日：2005-01-19

申请号：CN02820119.1

申请日：2002-07-11

Applicant: 通用电气公司

Inventor： 拉米什·哈里哈兰 ,  托马斯·P·费斯特 ,  格兰特·海 ,  凯瑟琳·L·朗利 ,  维特·C·布什科 ,  艾琳·德里斯 ,  阿扎·阿利扎德

IPC: G11B7/00

CPC classification number: C08G64/06 ,  G11B7/0956 ,  G11B7/2533 ,  G11B33/14

Abstract: 本发明提供了一种通过预先测定制品的最大倾斜度和半径来测量该制品水致形变的方法。本发明的实施方案中还包括数据存储介质和用于数据存储介质的材料，其中数据存储介质包含多个层，并对该多层进行了上述水致形变的计算。