具有相位检测自动聚焦像素的图像传感器

    公开(公告)号:CN112652635B

    公开(公告)日:2023-09-19

    申请号:CN201911244647.8

    申请日:2019-12-06

    Abstract: 本申请案涉及具有相位检测自动聚焦像素的图像传感器。一种图像传感器像素阵列包括用于收集图像信息的多个图像像素单元和用于收集相位信息的多个相位检测自动聚焦PDAF像素单元。所述PDAF像素单元中的每一个包含分别被两个微透镜覆盖的两个第一图像传感器像素。所述图像像素单元中的每一个包含彼此相邻的四个第二图像传感器像素,其中所述第二图像传感器像素中的每一个被单个微透镜覆盖。涂层安置于所述第一微透镜上并且形成跨整个图像传感器像素阵列的平坦表面。PDAF微透镜形成于所述涂层上以覆盖所述第一图像传感器像素。

    图像传感器、成像系统及图像传感器制造方法

    公开(公告)号:CN107305901B

    公开(公告)日:2020-03-17

    申请号:CN201710066810.0

    申请日:2017-02-07

    Abstract: 本申请案涉及一种图像传感器、一种成像系统及一种图像传感器制造方法。图像传感器像素包含安置在半导体材料中的光电二极管及至少部分围绕所述光电二极管的掺杂区。所述掺杂区包含所述半导体材料的掺杂部分。深沟槽隔离结构安置在所述掺杂区中,并且至少部分围绕所述光电二极管。所述深沟槽隔离结构包含安置在所述深沟槽隔离结构的侧壁上的SiGe层、安置在所述SiGe层上的高k电介质以及填充材料。

    图像传感器、成像系统及图像传感器制造方法

    公开(公告)号:CN107305901A

    公开(公告)日:2017-10-31

    申请号:CN201710066810.0

    申请日:2017-02-07

    Abstract: 本申请案涉及一种图像传感器、一种成像系统及一种图像传感器制造方法。图像传感器像素包含安置在半导体材料中的光电二极管及至少部分围绕所述光电二极管的掺杂区。所述掺杂区包含所述半导体材料的掺杂部分。深沟槽隔离结构安置在所述掺杂区中,并且至少部分围绕所述光电二极管。所述深沟槽隔离结构包含安置在所述深沟槽隔离结构的侧壁上的SiGe层、安置在所述SiGe层上的高k电介质以及填充材料。

    具有多像素检测器及部分隔离结构的图像传感器

    公开(公告)号:CN113809107A

    公开(公告)日:2021-12-17

    申请号:CN202110660977.6

    申请日:2021-06-15

    Abstract: 本申请案涉及具有多像素检测器及部分隔离结构的图像传感器。描述一种图像传感器的多像素检测器。所述多像素检测器包含安置在半导体衬底内以形成第一像素的第一光电二极管区域,安置在所述半导体衬底内以形成相邻于所述第一像素的第二像素的第二光电二极管区域,及在所述第一光电二极管区域与所述第二光电二极管区域之间从所述半导体衬底的第一侧朝向所述半导体衬底的第二侧延伸的部分隔离结构。所述第一光电二极管区域与所述第二光电二极管区域之间的所述部分隔离结构的横向部分的长度小于所述第一光电二极管区域的横向长度。

    具有相位检测自动聚焦像素的图像传感器

    公开(公告)号:CN112652635A

    公开(公告)日:2021-04-13

    申请号:CN201911244647.8

    申请日:2019-12-06

    Abstract: 本申请案涉及具有相位检测自动聚焦像素的图像传感器。一种图像传感器像素阵列包括用于收集图像信息的多个图像像素单元和用于收集相位信息的多个相位检测自动聚焦PDAF像素单元。所述PDAF像素单元中的每一个包含分别被两个微透镜覆盖的两个第一图像传感器像素。所述图像像素单元中的每一个包含彼此相邻的四个第二图像传感器像素,其中所述第二图像传感器像素中的每一个被单个微透镜覆盖。涂层安置于所述第一微透镜上并且形成跨整个图像传感器像素阵列的平坦表面。PDAF微透镜形成于所述涂层上以覆盖所述第一图像传感器像素。

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