公开(公告)号：CN116130532A

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN202310239142.2

申请日：2023-03-13

Applicant: 许昌学院

Inventor： 李品将 ,  王伟 ,  张艳鸽 ,  李伟 ,  岳红伟 ,  马怡文 ,  刘忠晨

IPC: H01L31/0445 ,  H01L31/18 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/06

Abstract: 本发明公开了一种基于原位生成钛酸铅薄膜的CsPbBr3太阳能电池及其制备方法。该太阳能电池，由导电基底层、电子传输层、钛酸铅层、CsPbBr3钙钛矿层、碳层组成，其中：所述钛酸铅层的厚度为10‑30nm；所述电子传输层材质为二氧化钛；所述钛酸铅层通过在二氧化钛层上旋涂醋酸铅溶液后再热处理制备得到。该CsPbBr3太阳能电池中，在TiO2电子传输层表面原位生长钛酸铅铁电薄膜层，有利于充分发挥钛酸铅的铁电性增强电池的内建电场以提高电子空穴的分离效率、减少载流子复合的现象，从而提高电池光电转换效率，且电池结构能级匹配性好，电池各层的稳定性好，具有广泛的应用前景。