公开(公告)号：CN104038158A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201410247003.5

申请日：2014-06-05

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 庄奕琪 ,  李振荣 ,  井凯 ,  李小明 ,  李聪 ,  刘伟峰 ,  曾志斌 ,  靳刚 ,  汤华莲

IPC: H03F1/26

Abstract: 本发明公开了一种低噪声放大器结构，包括带隙基准电路(Bandgap)、数控增益电路(DCG)、信号放大电路(Amplifier)和镜像抑制频率可调的陷波滤波电路(IRnotchfilter)。通过天线接收，将工作频率信号Vop加以放大，并遏制位于镜像频率下的镜像信号Vim，并通过电容电感谐振回路(LCtank)对有效信号进行进一步放大，得到一个从接收到输出的镜像抑制(IR)增益响应；采用数控部分对输入静态工作点加以控制，使得工作频点的增益最大化。镜像信号得以抑制，即通过陷波滤波网络降低镜像频率im的增益，负载谐振频率远于镜像频点来增强对镜像频率输出信号的抑制性能，提高低噪声放大器的性能，进而提高未来设计的超外差射频接收机的整体性能。

公开(公告)号：CN103973261B

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201410188025.9

申请日：2014-05-06

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 庄奕琪 ,  李振荣 ,  井凯 ,  李小明 ,  李聪 ,  刘伟峰 ,  曾志斌 ,  靳刚 ,  汤华莲

IPC: H03H11/24

Abstract: 本发明公开了一种高频宽衰减范围有源可变衰减器电路，由以下部分组成：一个共射级输入电路，完成电路高频信号的输入；一个电流舵结构作为衰减负载，控制信号直接控制电流舵工作状态，调节电路衰减量；两个并联场效应管用于提供有效信号低阻泄放通路，场效应管偏置于深线性状态，消耗少量面积实现可变电阻；两个电容用于消除电路互连线在高频时的寄生电感；实现高频信号有效泄放，衰减。本发明的有益效果是提供一种有源可变衰减器，易于集成，成本低。

公开(公告)号：CN103986439A

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：CN201410200749.0

申请日：2014-05-13

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 庄奕琪 ,  李振荣 ,  权星 ,  井凯 ,  曾志斌 ,  靳刚 ,  汤华莲 ,  李小明 ,  李聪 ,  刘伟峰

IPC: H03H11/16

Abstract: 本发明公开了一种基于正交矢量调制的超宽带五位有源移相器，输入信号经过正交信号发生器后形成两路正交的差分信号I路信号和Q路信号；其中I路信号经过I路相位象限控制器、I路压控增益放大器后到达加法器的一端，Q路信号经过Q路相位象限控制器、Q路压控增益放大器后到达加法器的另路一端；加法器把两路信号相加后从输出端输出；逻辑编码器主要完成对外部输入的五位数字控制信号的编码用来控制DAC、I路相位象限控制器和Q路相位象限控制器；DAC控制I路压控增益放大器和Q路压控增益放大器和加法器。本发明的有益效果是采用无源移相器件，可以实现很高的集成度，占用面积小，且损耗小。

公开(公告)号：CN105720929B

公开(公告)日：2018-10-26

申请号：CN201610045158.X

申请日：2016-01-22

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 李振荣 ,  庄奕琪 ,  井凯 ,  曾其发

IPC: H03F1/26 ,  H03F1/30 ,  H03F3/19

Abstract: 本发明公开了一种带隙自偏置的宽高频低噪声放大器，旨在解决现有技术低噪声放大器源简并结构的电流失配问题、以及避免直流偏置的不理想带来的影响。该带隙自偏置的宽高频低噪声放大器，包括低噪声放大电路和带隙基准电路，其中带隙基准电路的电流量受控于数控单元，带隙基准电路输出的电流经过镜像成倍放大作为低噪声放大电路的偏置电流；低噪声放大电路采用共源共栅结构，信号从In端口输入经片内电感L1接至晶体管Q8的基极，在In端口与电感L1之间的结点引出支路串联电容C4接地；信号在晶体管Q8经过电压‑电流反馈，在晶体管Q9的集电极输出端得到放大，并通过缓冲单元Buf输出，完成信号的低噪声放大功能。

公开(公告)号：CN105720929A

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201610045158.X

申请日：2016-01-22

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 李振荣 ,  庄奕琪 ,  井凯 ,  曾其发

IPC: H03F1/26 ,  H03F1/30 ,  H03F3/19

CPC classification number: H03F1/26 ,  H03F1/30 ,  H03F3/19

Abstract: 本发明公开了一种带隙自偏置的宽高频低噪声放大器，旨在解决现有技术低噪声放大器源简并结构的电流失配问题、以及避免直流偏置的不理想带来的影响。该带隙自偏置的宽高频低噪声放大器，包括低噪声放大电路和带隙基准电路，其中带隙基准电路的电流量受控于数控单元，带隙基准电路输出的电流经过镜像成倍放大作为低噪声放大电路的偏置电流；低噪声放大电路采用共源共栅结构，信号从In端口输入经片内电感L1接至晶体管Q8的基极，在In端口与电感L1之间的结点引出支路串联电容C4接地；信号在晶体管Q8经过电压?电流反馈，在晶体管Q9的集电极输出端得到放大，并通过缓冲单元Buf输出，完成信号的低噪声放大功能。

公开(公告)号：CN103973261A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201410188025.9

申请日：2014-05-06

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 庄奕琪 ,  李振荣 ,  井凯 ,  李小明 ,  李聪 ,  刘伟峰 ,  曾志斌 ,  靳刚 ,  汤华莲

IPC: H03H11/24

Abstract: 本发明公开了一种高频宽衰减范围有源可变衰减器电路，由以下部分组成：一个共射级输入电路，完成电路高频信号的输入；一个电流舵结构作为衰减负载，控制信号直接控制电流舵工作状态，调节电路衰减量；两个并联场效应管用于提供有效信号低阻泄放通路，场效应管偏置于深线性状态，消耗少量面积实现可变电阻；两个电容用于消除电路互连线在高频时的寄生电感；实现高频信号有效泄放，衰减。本发明的有益效果是提供一种有源可变衰减器，易于集成，成本低。