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公开(公告)号：CN110086472A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201910329764.8
申请日：2019-04-23
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H03M1/50
Abstract: 本发明公开了一种数字定时器拓扑结构及其控制方法，拓扑结构包括多个D触发器、与非门G1、与非门G2及与非门G3；与非门G2的输出端与第一D触发器U1的复位端连接，第一D触发器U1的控制端与非门G1的输出端连接，与非门G1的第一输入端与最后一D触发器的反相位输出端连接，与非门G1的第二输入端与第二D触发器U2的同相位输出端连接；第二D触发器U2至最后一个D触发器的控制端均与VDD端连接；与非门G3的第一输入端与第一D触发器U1的反相位输出端连接，与非门G3的第二输入端与第二D触发器U2的反相位输出端连接。将此种定时器应用在I/F转换电路中，显著提高I/F转换电路的线性度，降低电路功耗，并增大电路的转换量程。
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公开(公告)号：CN110086472B
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN201910329764.8
申请日：2019-04-23
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H03M1/50
Abstract: 本发明公开了一种数字定时器拓扑结构及其控制方法，拓扑结构包括多个D触发器、与非门G1、与非门G2及与非门G3；与非门G2的输出端与第一D触发器U1的复位端连接，第一D触发器U1的控制端与非门G1的输出端连接，与非门G1的第一输入端与最后一D触发器的反相位输出端连接，与非门G1的第二输入端与第二D触发器U2的同相位输出端连接；第二D触发器U2至最后一个D触发器的控制端均与VDD端连接；与非门G3的第一输入端与第一D触发器U1的反相位输出端连接，与非门G3的第二输入端与第二D触发器U2的反相位输出端连接。将此种定时器应用在I/F转换电路中，显著提高I/F转换电路的线性度，降低电路功耗，并增大电路的转换量程。
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公开(公告)号：CN113984251B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202111249438.X
申请日：2021-10-26
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: G01L1/18
Abstract: 本发明一种硅压阻式压力传感器的调试方法，通过在不连接引线的传感器半成品上，集成一个具有四个电阻的电阻网络，在四个电阻背面开腔，当压力作用在腔体背面时，电阻阻值会发生变化，网络的输出也会发生变化，在电阻网络外部并联厚膜电阻RT1，使得传感器半成品的零位电压稳定，之后在传感器半成品的两个之间加入电阻RT2，用以对温度系数产生电路的影响进行补偿；分别计算每只电阻所适用的厚膜电阻RT1和电阻RT2，并完成组装，在晶圆上距离圆心位置相同的电桥芯片的零位及温度特性类似，将晶圆上的芯片进行分类，进行批量厚膜电阻调值，随后进行匹配，组装成成品测试，能够批量化的解决芯片组装完成后，零位电压、温度特性差异较大的问题。
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公开(公告)号：CN113984251A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111249438.X
申请日：2021-10-26
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: G01L1/18
Abstract: 本发明一种硅压阻式压力传感器的调试方法，通过在不连接引线的传感器半成品上，集成一个具有四个电阻的电阻网络，在四个电阻背面开腔，当压力作用在腔体背面时，电阻阻值会发生变化，网络的输出也会发生变化，在电阻网络外部并联厚膜电阻RT1，使得传感器半成品的零位电压稳定，之后在传感器半成品的两个之间加入电阻RT2，用以对温度系数产生电路的影响进行补偿；分别计算每只电阻所适用的厚膜电阻RT1和电阻RT2，并完成组装，在晶圆上距离圆心位置相同的电桥芯片的零位及温度特性类似，将晶圆上的芯片进行分类，进行批量厚膜电阻调值，随后进行匹配，组装成成品测试，能够批量化的解决芯片组装完成后，零位电压、温度特性差异较大的问题。
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