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公开(公告)号：CN107731893B
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201710781879.1
申请日：2017-09-02
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/24 , H01L29/739 , H01L21/331
Abstract: 本发明提供一种带浮空区的低导通电阻双沟槽碳化硅IGBT器件与制备方法，器件包括源极、第一导电类型源区接触、第二导电类型基区、重掺杂第二导电类型沟槽区、多晶硅、栅极、槽栅介质、第二导电类型栅氧保护区、第二导电类型浮空区、第一导电类型漂移区、第二导电类型衬底和漏极。本发明所述第二导电类型栅氧保护区下移，引入的空间电荷区对电子的阻碍减小，因此器件的导通电阻减小；第二导电类型浮空区在漂移区中引入新的电场峰，同时对器件栅氧电场起到屏蔽作用，因此提升器件击穿电压；重掺杂第二导电类型沟槽区有效屏蔽栅氧电场，保护栅氧。
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公开(公告)号：CN107658214B
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201710781880.4
申请日：2017-09-02
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L21/04 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种双沟槽的带浮空区的低导通电阻碳化硅MOSFET器件与制备方法，包括源极、第一导电类型源区接触、第二导电类型基区、重掺杂第二导电类型沟槽区、多晶硅、栅极、槽栅介质、第二导电类型栅氧保护区、第二导电类型浮空区、第一导电类型漂移区、第一导电类型衬底和漏极。本发明所述第二导电类型栅氧保护区下移，引入的空间电荷区对电子的阻碍减小，因此器件的导通电阻减小；第二导电类型浮空区在漂移区中引入新的电场峰，同时对器件栅氧电场起到屏蔽作用，因此提升器件击穿电压；重掺杂第二导电类型沟槽区有效屏蔽栅氧电场，保护栅氧。
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公开(公告)号：CN107731922A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201710781878.7
申请日：2017-09-02
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种带浮空区的低导通电阻碳化硅超结MOSFET器件与制备方法，器件包括源极、第一导电类型源区接触、第二导电类型基区、重掺杂第二导电类型基区、多晶硅、栅极、槽栅介质、第二导电类型栅氧保护区、第二导电类型浮空区、第一导电类型漂移区、第二导电类型柱状区、第一导电类型衬底和漏极。本发明所述第二导电类型栅氧保护区下移，引入的空间电荷区对电子的阻碍减小，因此器件的导通电阻减小；第二导电类型浮空区在漂移区中引入新的电场峰，同时对器件栅氧电场起到屏蔽作用，因此提升器件击穿电压。
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公开(公告)号：CN107658214A
公开(公告)日：2018-02-02
申请号：CN201710781880.4
申请日：2017-09-02
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L21/04 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种双沟槽的带浮空区的低导通电阻碳化硅MOSFET器件与制备方法，包括源极、第一导电类型源区接触、第二导电类型基区、重掺杂第二导电类型沟槽区、多晶硅、栅极、槽栅介质、第二导电类型栅氧保护区、第二导电类型浮空区、第一导电类型漂移区、第一导电类型衬底和漏极。本发明所述第二导电类型栅氧保护区下移，引入的空间电荷区对电子的阻碍减小，因此器件的导通电阻减小；第二导电类型浮空区在漂移区中引入新的电场峰，同时对器件栅氧电场起到屏蔽作用，因此提升器件击穿电压；重掺杂第二导电类型沟槽区有效屏蔽栅氧电场，保护栅氧。
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公开(公告)号：CN107482062A
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201710781876.8
申请日：2017-09-02
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/04
Abstract: 本发明提供一种低导通电阻、小栅电荷的碳化硅MOSFET器件，包括源极、第一导电类型源区接触、第二导电类型基区、重掺杂第二导电类型基区、第一导电类型多晶硅栅极、第二导电类型多晶硅栅极、槽栅介质、第二导电类型栅氧保护区、第一导电类型包裹区、第一导电类型漂移区、第一导电类型衬底和漏极。本发明所述第一导电类型多晶硅栅极与第二导电类型多晶硅栅极形成的空间电荷区，减小了栅极与漏极的耦合，因而降低了器件栅电荷；第一导电类型包裹区可以减小第二导电类型栅氧保护区在漂移区中形成的空间电荷区，并且能够有效传输电流，因而可以降低器件导通电阻，本发明还公开了其制备方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112220573B
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202010989908.5
申请日：2020-09-19
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 一种U型牙菌斑检测牙刷，包括无线充电底座，无线充电底座上设置有检测仪机身，检测仪机身顶部可拆卸连接有U型检测牙刷头；使用时，将牙膏均匀涂抹在刷毛上，放入口中，用牙齿咬合住U型检测牙刷头，按下按键即可开始检测与刷牙，贴片式蓝光LED发出的检测光，照射在牙齿表面，第一、第二荧光检测模块将牙齿表面反射的检测光的光波信号转化为包含原始图像信息的电信号，传输至基于嵌入式单片机的主控电路，并通过无线传输至手机app，构建出牙齿上红色荧光分布图，并给出有菌斑牙面的示意图、相关菌斑分布参数和相关提醒；振动电机带动检测牙刷头，利用巴氏刷牙法，实现对牙齿的清洁；本发明具有结构合理、操作方便、功能多样及安全可靠的优点。
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公开(公告)号：CN107731912B
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201710781882.3
申请日：2017-09-02
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/423 , H01L29/06 , H01L21/331
Abstract: 本发明提供一种低导通电阻、小栅电荷的双沟槽碳化硅IGBT器件与制备方法，器件包括源极、第一导电类型源区接触、第二导电类型基区、重掺杂第二导电类型沟槽区、第一导电类型多晶硅栅极、第二导电类型多晶硅栅极、槽栅介质、第二导电类型栅氧保护区、第一导电类型包裹区、第一导电类型漂移区、第二导电类型衬底和漏极。本发明所述第一导电类型多晶硅栅极与第二导电类型多晶硅栅极形成的空间电荷区，减小了栅极与漏极的耦合，因而降低了器件栅电荷；第一导电类型包裹区可以减小第二导电类型栅氧保护区在漂移区中形成的空间电荷区，并且能够有效传输电流，因而可以降低器件导通电阻；重掺杂第二导电类型沟槽区有效屏蔽栅氧电场，保护栅氧。
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公开(公告)号：CN107731923B
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201710781886.1
申请日：2017-09-02
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种低导通电阻、小栅电荷的碳化硅超结MOSFET器件与制备方法，器件包括源极、第一导电类型源区接触、第二导电类型基区、重掺杂第二导电类型基区、第一导电类型多晶硅栅极、第二导电类型多晶硅栅极、槽栅介质、第二导电类型栅氧保护区、第一导电类型包裹区、第一导电类型漂移区、第二导电类型柱状区、第一导电类型衬底和漏极。本发明所述第一导电类型多晶硅栅极与第二导电类型多晶硅栅极形成的空间电荷区，减小了栅极与漏极的耦合，因而降低了器件栅电荷；第一导电类型包裹区可以减小第二导电类型栅氧保护区在漂移区中形成的空间电荷区，并且能够有效传输电流，因而可以降低器件导通电阻。
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公开(公告)号：CN107658340B
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201710781888.0
申请日：2017-09-02
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/04 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 一种双沟槽的低导通电阻、小栅电荷的碳化硅MOSFET器件与制备方法，器件包括源极、第一导电类型源区接触、第二导电类型基区、重掺杂第二导电类型沟槽区、第一导电类型多晶硅栅极、第二导电类型多晶硅栅极、槽栅介质、第二导电类型栅氧保护区、第一导电类型包裹区、第一导电类型漂移区、第一导电类型衬底和漏极；本发明第一导电类型多晶硅栅极与第二导电类型多晶硅栅极形成的空间电荷区，减小了栅极与漏极的耦合，因而降低了器件栅电荷；第一导电类型包裹区可以减小第二导电类型栅氧保护区在漂移区中形成的空间电荷区，并且能够有效传输电流，因而可以降低器件导通电阻；重掺杂第二导电类型沟槽区有效屏蔽栅氧电场，保护栅氧。
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公开(公告)号：CN107623043A
公开(公告)日：2018-01-23
申请号：CN201710781884.2
申请日：2017-09-02
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L29/788 , H01L21/336 , H01L29/10
Abstract: 本发明提供一种含内置浮空区的低导通电阻碳化硅MOSFET器件与制备方法，器件包括源极、第一导电类型源区接触、第二导电类型基区、重掺杂第二导电类型基区、多晶硅、栅极、槽栅介质、第二导电类型栅氧保护区、第二导电类型浮空区、第一导电类型漂移区、第一导电类型衬底和漏极。本发明所述第二导电类型栅氧保护区下移，引入的空间电荷区对电子的阻碍减小，因此器件的导通电阻减小；第二导电类型浮空区在漂移区中引入新的电场峰，同时对器件栅氧电场起到屏蔽作用，因此提升器件击穿电压。
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