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公开(公告)号：CN110650614A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201910854964.5
申请日：2019-09-10
Applicant: 西安交通大学
IPC: H05K7/20
Abstract: 本发明公开了一种基于薄膜蒸发的电子芯片散热实验装置，冷却工质储存在储液罐中，通过压电微泵进入薄膜蒸发发生器的液体入口，经过液体供应通道到达薄膜蒸发芯片处。薄膜蒸发芯片处多余的冷却工质经过薄膜蒸发发生器的液体排出通道到达液体出口，离开薄膜蒸发发生器，最终通过管道到达储液罐。薄膜蒸发芯片处由于薄膜蒸发直接产生的气体经过气体出口到达温控装置的换热器中，被冷凝到液态，最后到达储液罐。薄膜蒸发发生器中多余的液体工质和产生的气体工质最终都以液体状态回到了储液罐中，完成一个循环。本发明具有占地面积小、低功耗、散热能力大的优点，可满足热流密度超过1kW/cm2的散热需求。
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公开(公告)号：CN111933592B
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202010820770.6
申请日：2020-08-14
Applicant: 西安交通大学深圳研究院
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L21/48
Abstract: 本发明公开了一种具有立体网状结构的电子器件散热结构及制造方法，包括散热板、多层微米级网状结构、多层骨架。散热板上设置有若干层微米级网状结构，且相邻的两层微米级网状结构之间设置有骨架层，所述微米级网状结构上修饰有纳米级微结构，所述散热板、微米级网状结构以及骨架层的材质均为铜。本发明在微观层面上，能够提高液体的补充能力，有助于气泡脱离；在宏观层面上，能够增加换热面积，增强换热能力。
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公开(公告)号：CN111933592A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010820770.6
申请日：2020-08-14
Applicant: 西安交通大学深圳研究院
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L21/48
Abstract: 本发明公开了一种具有立体网状结构的电子器件散热结构及制造方法，包括散热板、多层微米级网状结构、多层骨架。散热板上设置有若干层微米级网状结构，且相邻的两层微米级网状结构之间设置有骨架层，所述微米级网状结构上修饰有纳米级微结构，所述散热板、微米级网状结构以及骨架层的材质均为铜。本发明在微观层面上，能够提高液体的补充能力，有助于气泡脱离；在宏观层面上，能够增加换热面积，增强换热能力。
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公开(公告)号：CN110267485B
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201910447292.6
申请日：2019-05-27
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种蒸发‑沸腾毛细芯耦合补液毛细芯组合结构，包括补液通道下基板，补液通道下基板的中部设置有第一凹槽，第一凹槽的中部设置有第二凹槽，第二凹槽的中部设置有槽道，蒸发‑沸腾毛细芯的基底设置在第二凹槽中，蒸发‑沸腾毛细芯的底部溅射有ITO加热膜，绝热材料布置在ITO加热膜的底部，且绝热材料设置于槽道中，补液毛细芯设置在第一凹槽中，且补液毛细芯布置在蒸发‑沸腾毛细芯的四周，补液通道上基板设置在补液毛细芯上侧，补液通道上基板的中部设置有通槽，通槽中设置有纳米蒸发膜，且纳米蒸发膜覆盖在蒸发‑沸腾毛细芯的上侧，补液通道下基板和补液通道上基板之间形成补液通道，且补液通道与补液毛细芯的通道连通。
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公开(公告)号：CN110534490A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201910854962.6
申请日：2019-09-10
Applicant: 西安交通大学深圳研究院
IPC: H01L23/427 , H01L23/367 , H01L21/48
Abstract: 本发明公开了一种垂直方向上具有梯度的强化沸腾换热微结构及其制造方法，包括散热板，散热板上设置有若干方形区块单元，相邻的方形区块单元之间布置有补液通道，每个方形区块单元由若干圈方形微柱组成，同一个方形区块单元内的方形微柱的截面尺寸相同，高度不同，使每个方形区块单元内形成中间高、四周低的梯度分布。本发明能够使得水平方向上的气泡不易合并，增加垂直方向气泡脱离频率，减小高热流密度区域的液体补充阻力。同时，本发明还设置有补液通道，能够在高热流区域及时补充液体，阻止高热流区域的传热恶化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110911367B
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN201911244768.2
申请日：2019-12-06
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L23/367 , H01L23/427
Abstract: 本发明公开了一种基于薄膜蒸发在垂直方向补液的电子芯片散热器及散热方法，包括底板，底板上连接有盖板，盖板下表面中心位置设置有方形阶梯通孔，方形阶梯通孔中安装有薄膜蒸发芯片，薄膜蒸发芯片的表面设置有亲水结构，薄膜蒸发芯片的底面连接有若干铜探针，铜探针的下端穿插在底板上，且铜探针的下端连接至直流电源，盖板上部设置有补液支架，补液支架上安装有补液管，补液管的底部连接有补液针头，且补液针头正对薄膜蒸发芯片上表面中心。本发明能够大大提高电子器件的换热性能。
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公开(公告)号：CN111146167B
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202010027236.X
申请日：2020-01-10
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L23/427
Abstract: 本发明公开了一种泵驱薄膜蒸发第三代半导体电子器件散热装置及方法，包括储液装置、压电微泵、蒸发器、微型泵、冷凝器以及连接各个部件的管道、阀门。冷却工质储存在储液装置中，通过压电微泵进入蒸发器，产生的气态冷却工质通过微型泵驱动，经由冷凝器冷却至液态，最后进入储液装置中。另外，蒸发器中的多余液态冷却工质也进入储液装置中。在蒸发器中，液态冷却工质由补液器从垂直方向补充到微结构表面上，通过补液器、纳米多孔膜、微结构表面和液体通道的共同作用，使得在纳米多孔膜和微结构表面之间能够形成一层厚度均匀、连续的微液膜，能够实现所述第三代半导体电子器件的散热。
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公开(公告)号：CN110534490B
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN201910854962.6
申请日：2019-09-10
Applicant: 西安交通大学深圳研究院
IPC: H01L23/427 , H01L23/367 , H01L21/48
Abstract: 本发明公开了一种垂直方向上具有梯度的强化沸腾换热微结构及其制造方法，包括散热板，散热板上设置有若干方形区块单元，相邻的方形区块单元之间布置有补液通道，每个方形区块单元由若干圈方形微柱组成，同一个方形区块单元内的方形微柱的截面尺寸相同，高度不同，使每个方形区块单元内形成中间高、四周低的梯度分布。本发明能够使得水平方向上的气泡不易合并，增加垂直方向气泡脱离频率，减小高热流密度区域的液体补充阻力。同时，本发明还设置有补液通道，能够在高热流区域及时补充液体，阻止高热流区域的传热恶化。
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公开(公告)号：CN110650614B
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN201910854964.5
申请日：2019-09-10
Applicant: 西安交通大学
IPC: H05K7/20
Abstract: 本发明公开了一种基于薄膜蒸发的电子芯片散热实验装置，冷却工质储存在储液罐中，通过压电微泵进入薄膜蒸发发生器的液体入口，经过液体供应通道到达薄膜蒸发芯片处。薄膜蒸发芯片处多余的冷却工质经过薄膜蒸发发生器的液体排出通道到达液体出口，离开薄膜蒸发发生器，最终通过管道到达储液罐。薄膜蒸发芯片处由于薄膜蒸发直接产生的气体经过气体出口到达温控装置的换热器中，被冷凝到液态，最后到达储液罐。薄膜蒸发发生器中多余的液体工质和产生的气体工质最终都以液体状态回到了储液罐中，完成一个循环。本发明具有占地面积小、低功耗、散热能力大的优点，可满足热流密度超过1kW/cm2的散热需求。
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公开(公告)号：CN111146167A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN202010027236.X
申请日：2020-01-10
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L23/427
Abstract: 本发明公开了一种泵驱薄膜蒸发高热流密度电子器件散热装置及方法，包括储液装置、压电微泵、蒸发器、微型泵、冷凝器以及连接各个部件的管道、阀门。冷却工质储存在储液装置中，通过压电微泵进入蒸发器，产生的气态冷却工质通过微型泵驱动，经由冷凝器冷却至液态，最后进入储液装置中。另外，蒸发器中的多余液态冷却工质也进入储液装置中。在蒸发器中，液态冷却工质由补液器从垂直方向补充到微结构表面上，通过补液器、纳米多孔膜、微结构表面和液体通道的共同作用，使得在纳米多孔膜和微结构表面之间能够形成一层厚度均匀、连续的微液膜，能够实现超高热流密度下的散热。
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