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公开(公告)号：CN111458906B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202010350642.X
申请日：2020-04-28
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明属于光学器件领域，为提高调制器调制深度和带宽提出一种基于石墨烯等离子体的宽带透射式红外光调制器，包括衬底，衬底上覆盖有石墨烯调制层，调制层上通过镀膜‑刻蚀设有非金属光栅层，非金属光栅层上通过镀膜设有金属光栅层，衬底两侧分别通过镀膜设有电极一与电极二。通过将石墨烯与非金属光栅层耦合，利用金属光栅的优异偏振特性和对石墨烯局域表面等离子激元进一步增强的场约束能力，从而大幅提高器件的调制深度和调制带宽，该结构对TE线偏振入射光具有强反射，对TM线偏振入射光可实现在宽波段范围内高调制深度的透射调制，该特性可实现在自然光入射时，对透射光具有高调制深度、宽调制带宽的调制功能。
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公开(公告)号：CN111668089A
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN202010546964.1
申请日：2020-06-16
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明属于半导体领域，为降低外延生长氮化镓的位错密度，公开了一种用石墨烯掩膜生长氮化镓的方法，包括氮化镓层、石墨烯掩膜层、衬底层，衬底层上通过等离子体增强化学气相沉积法直接生长石墨烯掩膜层，石墨烯掩膜层通过刻蚀形成了光栅状条纹，石墨烯掩膜层上通过金属有机物化学气相沉积生长氮化镓层。有益效果：石墨烯掩膜层结构可以有效地降低氮化镓位错，提高其生长质量；由于石墨烯是二维材料，可以降低掩膜层带来的低角度晶界缺陷；同时也利用石墨烯散热性好的特点，从而大幅提高氮化镓器件的散热性能；石墨烯掩膜层与氮化镓层由弱的范德华力结合的特点也使得氮化镓层易于剥离。本结构同时也可以应用于除氮化镓以外的III-V族化合物半导体。
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公开(公告)号：CN110829181B
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN201911124274.0
申请日：2019-11-18
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明属于半导体微腔激光器领域，为解决六边形回音壁模式品质因子低与三角形回音壁模式出射难的问题：公开了一种双三角回音壁光谐振模式的半导体六边形微米碟激光器，该装置利用高折射率增益材料的受激辐射物理特性，通过反射衬底提供底面的光反射来降低微腔激光器垂直方向光学损耗，半导体六边形微米碟作为光学谐振腔与激光增益物质，激光器作为光学泵浦源提供光学增益，当泵浦源功率超过微腔激光器阈值后产生激光出射；通过控制泵浦源激光光斑位于六边形微米碟角落，在受激辐射后产生双三角回音壁光学谐振模式的激光出射。本发明相比较常规六边形和三角形回音壁光谐振模式的激光器同时具有高的品质因子和易于激光出射的优点。
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公开(公告)号：CN113241297A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202110345111.6
申请日：2021-03-31
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/32 , H01L21/3205
Abstract: 本发明公开了一种用自消失的石墨烯掩膜生长氮化镓的方法，包括氮化镓层、掩膜层与衬底层，衬底层上通过等离子体增强化学气相沉积法直接生长有石墨烯掩膜层，石墨烯掩膜层通过刻蚀形成了光栅状条纹结构，在衬底层上通过金属有机化学气相沉积生长了氮化镓层，石墨烯掩膜层在氮化镓层生长过程中分解消失留下空气间隙。本发明的有益效果：石墨烯掩膜层结构可以有效地降低氮化镓位错，提高其生长质量；由于石墨烯掩膜层在生长过程分解消失，降低了掩膜给氮化镓带来的应力和小角度晶界缺陷。本结构同时也可以应用于除氮化镓以外的III‑V族化合物半导体。
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公开(公告)号：CN111162453A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN202010079229.4
申请日：2020-02-03
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明属于半导体微腔激光器领域，为解决六边形回音壁模式品质因子低与三角形回音壁模式出射难的问题：公开了一种半导体六边形微米碟激光器，该装置利用高折射率增益材料的受激辐射物理特性，通过分布式布拉格反射层来降低微腔激光器光学损耗，半导体六边形微米碟作为光学谐振腔与激光增益物质，激光器作为光学泵浦源提供光学增益，当增益超过微腔激光器阈值后产生激光出射；通过控制泵浦源激光光斑位于六边形微米碟角落，在受激辐射后产生双三角回音壁光学谐振模式的激光出射。本发明相比较常规六边形和三角形回音壁光谐振模式的激光器同时具有高的品质因子和易于激光出射的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111162453B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202010079229.4
申请日：2020-02-03
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明属于半导体微腔激光器领域，为解决六边形回音壁模式品质因子低与三角形回音壁模式出射难的问题：公开了一种半导体六边形微米碟激光器，该装置利用高折射率增益材料的受激辐射物理特性，通过分布式布拉格反射层来降低微腔激光器光学损耗，半导体六边形微米碟作为光学谐振腔与激光增益物质，激光器作为光学泵浦源提供光学增益，当增益超过微腔激光器阈值后产生激光出射；通过控制泵浦源激光光斑位于六边形微米碟角落，在受激辐射后产生双三角回音壁光学谐振模式的激光出射。本发明相比较常规六边形和三角形回音壁光谐振模式的激光器同时具有高的品质因子和易于激光出射的优点。
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公开(公告)号：CN113130296B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202110300393.8
申请日：2021-03-22
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种六方氮化硼上生长氮化镓的方法，采用化学气相沉积法，在铜箔上生长得到六方氮化硼；降温处理使其表面出现连续且均匀的褶皱；将铜箔上具有褶皱的六方氮化硼转移到其它衬底上作为生长氮化镓的插入层；利用氧等离子体处理六方氮化硼褶皱；采用金属有机化学气相沉积法，生长低V/III比氮化镓成核层；采用金属有机化学气相沉积法，生长高V/III比氮化镓层。本发明采用氧等离子体处理六方氮化硼褶皱，在六方氮化硼褶皱处形成缺陷和原子台阶，以六方氮化硼褶皱边缘为成核点，侧向生长形成完整连续的氮化镓薄膜。侧向生长的过程也减少了外延层中的位错，进一步提高了氮化镓的晶体质量，具有很强的实用性。
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公开(公告)号：CN111983827B
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202010852605.9
申请日：2020-08-21
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯吸收增强的近红外宽波段光开关，包括：衬底，以及覆盖在衬底上的调制层，调制层上通过光刻‑镀膜设有介质层和金属纳米圆柱阵列，金属纳米圆柱阵列作为电极一，调制层上通过镀膜设有电极二，调制层为石墨烯；石墨烯层直接生长或者转移至衬底上，所述石墨烯层上施加有垂直方向的直流偏置电压，介质层的材料为光刻胶，光刻胶通过旋涂机旋涂于调制层的上方，通过二次双光束全息光刻工艺形成介质层，本发明提供一种基于石墨烯吸收增强的近红外宽波段光开关，以解决现有石墨烯光开关调制深度较低和制备复杂的问题，实现了一种与入射偏振无关，结构和制备相对简单，具有优异调制深度和调制带宽的反射式光开关。
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公开(公告)号：CN113130296A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110300393.8
申请日：2021-03-22
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种六方氮化硼上生长氮化镓的方法，采用化学气相沉积法，在铜箔上生长得到六方氮化硼；降温处理使其表面出现连续且均匀的褶皱；将铜箔上具有褶皱的六方氮化硼转移到其它衬底上作为生长氮化镓的插入层；利用氧等离子体处理六方氮化硼褶皱；采用金属有机化学气相沉积法，生长低V/III比氮化镓成核层；采用金属有机化学气相沉积法，生长高V/III比氮化镓层。本发明采用氧等离子体处理六方氮化硼褶皱，在六方氮化硼褶皱处形成缺陷和原子台阶，以六方氮化硼褶皱边缘为成核点，侧向生长形成完整连续的氮化镓薄膜。侧向生长的过程也减少了外延层中的位错，进一步提高了氮化镓的晶体质量，具有很强的实用性。
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公开(公告)号：CN111983827A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN202010852605.9
申请日：2020-08-21
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯吸收增强的近红外宽波段光开关，包括：衬底，以及覆盖在衬底上的调制层，调制层上通过光刻-镀膜设有介质层和金属纳米圆柱阵列，金属纳米圆柱阵列作为电极一，调制层上通过镀膜设有电极二，调制层为石墨烯；石墨烯层直接生长或者转移至衬底上，所述石墨烯层上施加有垂直方向的直流偏置电压，介质层的材料为光刻胶，光刻胶通过旋涂机旋涂于调制层的上方，通过二次双光束全息光刻工艺形成介质层，本发明提供一种基于石墨烯吸收增强的近红外宽波段光开关，以解决现有石墨烯光开关调制深度较低和制备复杂的问题，实现了一种与入射偏振无关，结构和制备相对简单，具有优异调制深度和调制带宽的反射式光开关。
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