Patent search ap:("苏州大学") AND inv:"吕加兵" Page 1

1.

发明公开
一种肖特基接触及其制备方法无效

公开(公告)号：CN106298889A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201610803653.2

申请日：2016-09-06

Applicant: 苏州大学

Inventor： 陈俊 , 吕加兵

IPC: H01L29/47 , H01L21/28

CPC classification number: H01L29/47 , H01L21/28

Abstract: 本发明涉及一种肖特基接触及其制备方法，所述肖特基接触包括p-InP衬底、绝缘介质层和电极金属层，所述p-InP衬底上生长有欧姆接触金属层，所述绝缘介质层为MoO3。制备时，先在p-InP衬底上生长欧姆接触金属形成外围环形电极；然后在p-InP衬底上沉积3～4nm厚的MoO3层；最后在MoO3层上沉积阳极电极。本发明利用MoO3作为绝缘介质层，肖特基接触会有明显的势垒增强效应，从而可以有效的避免p-InP材料的费米能级钉扎效应继而实现Al/p-InP肖特基接触更好的整流特性；且在310K温度下的理想因子却依旧在2.2以下，相比于其他介质层材料在同等的势垒增强条件下有更小的理想因子，从而使相应的肖特基器件具有更好的器件特性。

Patent Agency Ranking