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公开(公告)号：CN102498521B
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201080041969.3
申请日：2010-08-18
Applicant: 美光科技公司
Inventor： 巴斯卡尔·斯里尼瓦桑 , 古尔特杰·S·桑胡
CPC classification number: G11C13/004 , G11C13/0002 , G11C13/0007 , G11C13/0061 , G11C2013/0052 , G11C2213/72
Abstract: 一些实施例包含读取存储器单元的方法。所述存储器单元具有仅在施加足够绝对值的电压达足够持续时间的情况下发生的写入操作；且以具有太短的持续时间而不足以用于所述写入操作的脉冲来实施所述读取。在一些实施例中，用于所述读取的所述脉冲可具有大于或等于用于所述写入操作的所述电压的电压绝对值。在一些实施例中，所述存储器单元可包括非欧姆装置；例如忆阻器及二极管。
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公开(公告)号：CN102217077B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN200980146099.3
申请日：2009-11-09
Applicant: 美光科技公司
Inventor： 巴斯卡尔·斯里尼瓦桑 , 古尔特杰·S·桑胡
IPC: H01L29/861
CPC classification number: H01L29/88 , H01L21/3205 , H01L27/1021 , Y10S438/957
Abstract: 本发明揭示包括开放体积的选择装置，所述开放体积用作具有低介电常数的高带隙材料。所述开放体积可在所述选择装置中提供较非线性、不对称的I-V曲线及增强的整流行为。所述选择装置可包含(举例来说)金属绝缘体绝缘体金属(MIIM)装置。可使用各种方法来形成选择装置及包括此类选择装置的存储器系统。存储器装置及电子系统包括此类选择装置。
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公开(公告)号：CN102224595B
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN200980147226.1
申请日：2009-10-28
Applicant: 美光科技公司
Inventor： 古尔特杰·S·桑胡 , 巴斯卡尔·斯里尼瓦桑
IPC: H01L29/861
CPC classification number: H01L21/04 , H01L27/1021 , H01L27/2418 , H01L29/1606 , H01L45/00
Abstract: 一些实施例包含形成二极管的方法。可在第一导电材料上方形成堆叠。所述堆叠可以升序次序包含牺牲材料、至少一种电介质材料及第二导电材料。可沿所述堆叠的相对侧壁形成间隔件，且接着可移除所述牺牲材料的整体以在所述第一导电材料与所述至少一种电介质材料之间留下间隙。在形成二极管的一些实施例中，可在第一导电材料上方形成层，其中所述层含有散布于牺牲材料中的支撑件。可在所述层上方形成至少一种电介质材料，且可在所述至少一种电介质材料上方形成第二导电材料。可接着移除所述牺牲材料的整体。
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公开(公告)号：CN101595244A
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200880003141.1
申请日：2008-01-25
Applicant: 美光科技公司
Inventor： 巴斯卡尔·斯里尼瓦桑 , 约翰·斯迈思
IPC: C23C16/40 , C23C16/455 , H01L21/316
CPC classification number: C23C16/405 , C23C16/409 , C23C16/45529 , C23C16/45531 , H01G4/085 , H01G4/1227 , H01L21/02186 , H01L21/022 , H01L21/0228 , H01L21/3141 , H01L21/31604 , H01L21/31691
Abstract: 本发明所述的原子层沉积方法可有利地用于在衬底上形成含金属层。例如，本发明所述的某些方法可形成具有低碳含量(例如低碳酸锶含量)的钛酸锶层，其可形成具有高介电常数的层。
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公开(公告)号：CN101542657A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200780042144.1
申请日：2007-11-14
Applicant: 美光科技公司
Inventor： 巴斯卡尔·斯里尼瓦桑 , 约翰·A·斯迈思
IPC: H01G4/12 , H01L21/02 , H01L21/8242
CPC classification number: H01G4/12 , H01G4/1218 , H01L27/10852 , Y10T29/417
Abstract: 本发明揭示一种形成例如层等介电结构的方法。所述方法包括从高k材料的多个部分形成高k结构。通过沉积所述高k材料的多个单层并使所述高k材料退火而形成所述高k材料的所述多个部分中的每一者。所述高k材料可为钙钛矿型材料，其包含(但不限于)钛酸锶。还揭示一种介电结构、并入有介电结构的电容器和形成电容器的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102150238B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN200980135344.0
申请日：2009-08-20
Applicant: 美光科技公司
Inventor： 约翰·斯迈思 , 巴斯卡尔·斯里尼瓦桑 , 张明
IPC: H01L21/265
CPC classification number: H01L29/66136 , H01L21/26513 , H01L21/268 , H01L21/324 , H01L21/823425 , H01L21/823814 , H01L27/10873 , H01L27/24 , H01L29/665 , H01L29/6659
Abstract: 一些实施例包含其中在形成半导体构造期间使用微波辐射来激活掺杂剂及/或增加半导体材料的结晶度的方法。在一些实施例中，所述微波辐射具有约5.8吉赫的频率，且在暴露于所述微波辐射期间所述半导体构造的温度不超过约500℃。
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公开(公告)号：CN102498521A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201080041969.3
申请日：2010-08-18
Applicant: 美光科技公司
Inventor： 巴斯卡尔·斯里尼瓦桑 , 古尔特杰·S·桑胡
CPC classification number: G11C13/004 , G11C13/0002 , G11C13/0007 , G11C13/0061 , G11C2013/0052 , G11C2213/72
Abstract: 一些实施例包含读取存储器单元的方法。所述存储器单元具有仅在施加足够绝对值的电压达足够持续时间的情况下发生的写入操作；且以具有太短的持续时间而不足以用于所述写入操作的脉冲来实施所述读取。在一些实施例中，用于所述读取的所述脉冲可具有大于或等于用于所述写入操作的所述电压的电压绝对值。在一些实施例中，所述存储器单元可包括非欧姆装置；例如忆阻器及二极管。
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公开(公告)号：CN102224595A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN200980147226.1
申请日：2009-10-28
Applicant: 美光科技公司
Inventor： 古尔特杰·S·桑胡 , 巴斯卡尔·斯里尼瓦桑
IPC: H01L29/861
CPC classification number: H01L21/04 , H01L27/1021 , H01L27/2418 , H01L29/1606 , H01L45/00
Abstract: 一些实施例包含形成二极管的方法。可在第一导电材料上方形成堆叠。所述堆叠可以升序次序包含牺牲材料、至少一种电介质材料及第二导电材料。可沿所述堆叠的相对侧壁形成间隔件，且接着可移除所述牺牲材料的整体以在所述第一导电材料与所述至少一种电介质材料之间留下间隙。在形成二极管的一些实施例中，可在第一导电材料上方形成层，其中所述层含有散布于牺牲材料中的支撑件。可在所述层上方形成至少一种电介质材料，且可在所述至少一种电介质材料上方形成第二导电材料。可接着移除所述牺牲材料的整体。
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公开(公告)号：CN110061130A
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201811417388.X
申请日：2010-12-15
Applicant: 美光科技公司
Inventor： 尼尔·格里利 , 巴斯卡尔·斯里尼瓦桑 , 古尔特杰·桑胡 , 约翰·斯迈思
Abstract: 本发明揭示硫属化合物存储器存取装置的自对准生长方法。所述方法可用于形成三维堆叠交叉点存储器阵列。所述方法包含：在第一导电电极上方形成绝缘材料；图案化所述绝缘材料以形成暴露所述第一导电电极的部分的通孔；在所述绝缘材料的所述通孔内形成存储器存取装置且在所述存储器存取装置上方形成存储器元件，其中可经由所述存储器存取装置存取存储于所述存储器元件中的数据。所述存储器存取装置由经掺杂硫属化合物材料形成且使用自对准制作方法形成。
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公开(公告)号：CN106098933B
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201610459395.0
申请日：2010-12-15
Applicant: 美光科技公司
Inventor： 尼尔·格里利 , 巴斯卡尔·斯里尼瓦桑 , 古尔特杰·桑胡 , 约翰·斯迈思
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L27/2481 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L27/2472 , H01L45/06 , H01L45/085 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/1608 , H01L45/165 , H01L45/1658 , H01L45/1683
Abstract: 本发明揭示硫属化合物存储器存取装置的自对准生长方法。所述方法可用于形成三维堆叠交叉点存储器阵列。所述方法包含：在第一导电电极上方形成绝缘材料；图案化所述绝缘材料以形成暴露所述第一导电电极的部分的通孔；在所述绝缘材料的所述通孔内形成存储器存取装置且在所述存储器存取装置上方形成存储器元件，其中可经由所述存储器存取装置存取存储于所述存储器元件中的数据。所述存储器存取装置由经掺杂硫属化合物材料形成且使用自对准制作方法形成。
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