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公开(公告)号：CN103959479A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201280059059.7
申请日：2012-11-12
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: H01L29/861 , H01L29/872
CPC classification number: H01L29/8725 , H01L29/0634 , H01L29/47 , H01L29/861 , H01L29/872
Abstract: 本发明涉及一种肖特基二极管，其具有：n+衬底；n外延层；至少两个置入到n外延层中的p参杂沟槽；台面区域，其处于相邻沟槽之间；充当阴极电极的金属层；以及充当阳极电极的另外的金属层。外延层的厚度大于沟槽的深度的四倍。
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公开(公告)号：CN103959479B
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201280059059.7
申请日：2012-11-12
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: H01L29/861 , H01L29/872
CPC classification number: H01L29/8725 , H01L29/0634 , H01L29/47 , H01L29/861 , H01L29/872
Abstract: 本发明涉及一种肖特基二极管，其具有：n+衬底；n外延层；至少两个置入到n外延层中的p参杂沟槽；台面区域，其处于相邻沟槽之间；充当阴极电极的金属层；以及充当阳极电极的另外的金属层。外延层的厚度大于沟槽的深度的四倍。
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公开(公告)号：CN103515225A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201310245714.4
申请日：2013-06-20
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: H01L21/329 , H01L29/861
CPC classification number: H01L29/6609 , H01L29/32 , H01L29/66136 , H01L29/861
Abstract: 本发明基于用于制造二极管的方法和根据该方法制造的二极管。由半导体晶片产生PN结或NP结，其平面地在半导体晶片10的上侧3上延伸。以垂直于半导体晶片10的上侧3的方式形成分开边沿6，分开边沿延伸超过PN结或NP结。半导体晶片10的分开通过从干扰11出发借助局部加热11和局部冷却13半导体晶片13进行由干扰11引起的裂纹扩散的方式来进行。这样形成的分离裂纹优选沿着半导体晶体的晶体平面进行，由此不通过在PN结或NP结的区域中构建干扰位置来实现。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103313172A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310067550.0
申请日：2013-03-04
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: H04R23/006 , H04R1/023 , H04R19/005 , H04R19/02 , H04R31/00
Abstract: 本发明实现了微机械声变换器装置和相应的制造方法。微机械声变换器装置包括电印制电路板（1），所述印制电路板具有前侧（VS）和背侧（RS）；其中在前侧（VS）上以倒装芯片方法施加有微机械声变换器结构（3）；并且其中印制电路板（1）在微机械声变换器结构（3）的区域中具有用于放射出声波（S）的开口（5）。
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公开(公告)号：CN109791127A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201780060229.6
申请日：2017-09-21
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: G01N29/041 , G01N29/4436 , G01N29/4454 , G01N29/48 , G01N2291/011 , G01N2291/012 , G01N2291/015 , G01N2291/0235 , G01N2291/0258 , G01N2291/0423 , G01N2291/0427 , G01N2291/044 , G01N2291/048 , G01N2291/101 , G01N2291/102 , G01N2291/106
Abstract: 本发明涉及一种用来监控缸（100）的活塞密封件（104）的状态的方法，其中在执行的步骤中，执行在耦合到缸（100）中的振动信号（120）和振动信号（120）的、从缸（100）耦合输出的、经过活塞密封件（104）反射的反射信号（124）和/或振动信号（120）的、从缸（100）耦合输出的、经过活塞密封件（104）传导的传导信号（126）之间的比较，并且在获取的步骤中在使用所述比较的结果（138）的情况下获取代表状态的状态值（136）。
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公开(公告)号：CN103130175A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201210473930.X
申请日：2012-11-21
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: B81B3/0067 , B81B7/0061 , B81B2201/0257 , B81C1/0023 , B81C1/00325
Abstract: 本发明涉及MEMS芯片封装以及用于制造MEMS芯片封装的方法，该MEMS芯片封装具有：第一芯片，该第一芯片具有第一和第二芯片表面；第二芯片，该第二芯片具有第一和第二芯片表面；第一耦合元件，该第一耦合元件把该第二芯片的第一芯片表面与该第一芯片的第一芯片表面相耦合，使得在该第一与第二芯片之间形成第一空腔；第一布线层，该第一布线层设计用于提供至衬底的连接，这两个芯片之一具有至少一个微机电结构元件、框架元件，其中该框架元件包围了该微机电结构元件。相应另一芯片具有浇注材料层、嵌入该浇注材料层中的控制电路以及在该第一芯片表面所施加的第三布线层，其中该控制电路构造用于控制至少一个微机电结构元件。
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公开(公告)号：CN103313172B
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201310067550.0
申请日：2013-03-04
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
Abstract: 本发明实现了微机械声变换器装置和相应的制造方法。微机械声变换器装置包括电印制电路板（1），所述印制电路板具有前侧（VS）和背侧（RS）；其中在前侧（VS）上以倒装芯片方法施加有微机械声变换器结构（3）；并且其中印制电路板（1）在微机械声变换器结构（3）的区域中具有用于放射出声波（S）的开口（5）。
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公开(公告)号：CN103130175B
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201210473930.X
申请日：2012-11-21
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: B81B3/0067 , B81B7/0061 , B81B2201/0257 , B81C1/0023 , B81C1/00325
Abstract: 本发明涉及MEMS芯片封装以及用于制造MEMS芯片封装的方法，该MEMS芯片封装具有：第一芯片，该第一芯片具有第一和第二芯片表面；第二芯片，该第二芯片具有第一和第二芯片表面；第一耦合元件，该第一耦合元件把该第二芯片的第一芯片表面与该第一芯片的第一芯片表面相耦合，使得在该第一与第二芯片之间形成第一空腔；第一布线层，该第一布线层设计用于提供至衬底的连接，这两个芯片之一具有至少一个微机电结构元件、框架元件，其中该框架元件包围了该微机电结构元件。相应另一芯片具有浇注材料层、嵌入该浇注材料层中的控制电路以及在该第一芯片表面所施加的第三布线层，其中该控制电路构造用于控制至少一个微机电结构元件。
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