公开(公告)号：CN103515225A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201310245714.4

申请日：2013-06-20

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： R.施皮茨 ,  A.格拉赫 ,  R.科尔布

IPC: H01L21/329 ,  H01L29/861

CPC classification number: H01L29/6609 ,  H01L29/32 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明基于用于制造二极管的方法和根据该方法制造的二极管。由半导体晶片产生PN结或NP结，其平面地在半导体晶片10的上侧3上延伸。以垂直于半导体晶片10的上侧3的方式形成分开边沿6，分开边沿延伸超过PN结或NP结。半导体晶片10的分开通过从干扰11出发借助局部加热11和局部冷却13半导体晶片13进行由干扰11引起的裂纹扩散的方式来进行。这样形成的分离裂纹优选沿着半导体晶体的晶体平面进行，由此不通过在PN结或NP结的区域中构建干扰位置来实现。