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公开(公告)号：CN1697081A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN200510069728.0
申请日：2005-01-28
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G11C13/0009 , G11C13/0004 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C13/0097 , G11C2013/009 , G11C2213/11 , G11C2213/15 , G11C2213/34 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625
Abstract: 一种存储器件，其中可以进行稳定的信息记录且可以缩短记录信息需要的时间。该存储器件包括由具有其中当向存储元件Amn两端之间施加等于或大于阈值电压的电压时电阻值变化的特性的存储元件Amn构成的存储单元C，和作为负载串联连接到存储元件Amn的电路元件Tmn；且当从高阻值状态向低阻值状态改变存储元件Amn的操作被定义为写入时，和当施加到存储元件Amn和电路元件Tmn两端之间的电压等于或大于某一大于阈值电压的电压值时，存储器件具有其中存储单元C中的存储元件Amn和电路元件Tmn的组合电阻值变成几乎无关于施加电压的幅度的常数值。
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公开(公告)号：CN100533595C
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200510069728.0
申请日：2005-01-28
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G11C13/0009 , G11C13/0004 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C13/0097 , G11C2013/009 , G11C2213/11 , G11C2213/15 , G11C2213/34 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625
Abstract: 一种存储器件，其中可以进行稳定的信息记录且可以缩短记录信息需要的时间。该存储器件包括由具有其中当向存储元件Amn两端之间施加等于或大于阈值电压的电压时电阻值变化的特性的存储元件Amn构成的存储单元C，和作为负载串联连接到存储元件Amn的电路元件Tmn；且当从高阻值状态向低阻值状态改变存储元件Amn的操作被定义为写入时，和当施加到存储元件Amn和电路元件Tmn两端之间的电压等于或大于某一大于阈值电压的电压值时，存储器件具有其中存储单元C中的存储元件Amn和电路元件Tmn的组合电阻值变成几乎无关于施加电压的幅度的常数值。
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公开(公告)号：CN1779851A
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN200510114006.2
申请日：2005-10-13
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G11C13/00 , G11C13/0069 , G11C2013/0078 , G11C2013/009 , G11C2213/79
Abstract: 一种存储器件，包括：存储元件，具有这样的特性：作为被施加大于或等于第一门限信号的电信号的结果，其电阻值从高状态向低状态改变，并且作为被施加大于或等于第二门限信号的电信号的结果，其电阻值从低状态向高状态改变，其中所述第二门限信号的极性与第一门限信号的极性不同；以及电路元件，与存储元件串联，并且作为负荷，所述存储元件和电路元件形成存储单元，并且多个所述存储单元以矩阵排列，其中，在读取存储元件时的电路元件的电阻值与在写入或擦除存储元件时的电阻值不同。
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公开(公告)号：CN1655358A
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：CN200410103790.2
申请日：2004-12-03
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/10
CPC classification number: G11C13/0011 , G11C13/0009 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2213/15 , G11C2213/34 , G11C2213/51 , G11C2213/56 , G11C2213/72 , G11C2213/79 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1246 , H01L45/1266 , H01L45/144 , H01L45/146
Abstract: 一种存储器件包括第一电极、面向该第一电极的第二电极、位于第一电极和第二电极之间的电极间材料层和电压施加单元，该电压施加单元将一预定电压施加到第一和第二电极上。此外，通过对第一和第二电极上施加电压，可变成电极反应阻止层的氧化－还原活性材料包含在电场覆盖的区域中，当施加电压时产生该电场，并且取决于施加到第一和第二电极的电压状况，该电极反应阻止层或者沿着第二电极和电极间材料层之间的界面形成、或者改变其面积、或者消失。
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公开(公告)号：CN100524510C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200510114006.2
申请日：2005-10-13
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G11C13/00 , G11C13/0069 , G11C2013/0078 , G11C2013/009 , G11C2213/79
Abstract: 一种存储器件，包括：存储元件，具有这样的特性：作为被施加大于或等于第一门限信号的电信号的结果，其电阻值从高状态向低状态改变，并且作为被施加大于或等于第二门限信号的电信号的结果，其电阻值从低状态向高状态改变，其中所述第二门限信号的极性与第一门限信号的极性不同；以及电路元件，与存储元件串联，并且作为负荷，所述存储元件和电路元件形成存储单元，并且多个所述存储单元以矩阵排列，其中，在读取存储元件时的电路元件的电阻值与在写入或擦除存储元件时的电阻值不同。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100502011C
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200580024194.8
申请日：2005-07-08
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/10
CPC classification number: G11C13/0011 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2213/56 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L27/2472 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1266 , H01L45/141 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/148 , H01L45/149 , H01L45/1675
Abstract: 提供了一种其构造能够容易以高密度制造的存储元件。该存储元件包括两个电极(1、4)之间的记录层(2、3)，且向两个电极(1、4)施加不同极性的电势，从而由电阻变化元件(10)构造存储单元，用于可逆地改变记录层(2、3)的电阻值。在多个相邻的存储单元中，至少一部分构成电阻变化元件(10)的记录层的层(2、3)是由相同层共同形成的。
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公开(公告)号：CN100468808C
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200410103790.2
申请日：2004-12-03
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G11C13/0011 , G11C13/0009 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2213/15 , G11C2213/34 , G11C2213/51 , G11C2213/56 , G11C2213/72 , G11C2213/79 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1246 , H01L45/1266 , H01L45/144 , H01L45/146
Abstract: 一种存储器件包括第一电极、面向该第一电极的第二电极、位于第一电极和第二电极之间的电极间材料层和电压施加单元，该电压施加单元将一预定电压施加到第一和第二电极上。此外，通过对第一和第二电极上施加电压，可变成电极反应阻止层的氧化-还原活性材料包含在电场覆盖的区域中，当施加电压时产生该电场，并且取决于施加到第一和第二电极的电压状况，该电极反应阻止层或者沿着第二电极和电极间材料层之间的界面形成、或者改变其面积、或者消失。
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公开(公告)号：CN1722302A
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN200510069790.X
申请日：2005-01-20
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G11C11/5685 , G11C11/5614 , G11C13/0007 , G11C13/0011 , G11C13/0069 , G11C13/0097 , G11C2013/0071 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/79
Abstract: 本发明提供一种在高速条件下能记录多值数据和利用具有相对简单配置的驱动电路进行多值数据记录的存储器设备。存储器设备由包括根据电阻值状态保存信息的存储器元件和作为负载串联连接到存储器元件上的MIS晶体管的存储器单元构成；当分别把存储器单元由高阻值状态到低阻值状态的操作定义为写入和把存储器单元由低阻值状态改变到高阻值状态的操作定义为擦除时，通过控制在写入时施加到MIS晶体管上的栅极电压VG1、VG2和VG3等等，把写入之后的存储器元件的电阻值设置为多个不同的级别，以致分别把不同信息分配到多个级别的每一个中，并且在擦除之后分配到高阻值状态来分别存储三个值或更多值信息到每个存储器单元的存储器元件中。
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公开(公告)号：CN1697195A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN200410094244.7
申请日：2004-11-29
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G11C13/0011 , G11C13/0007 , G11C2213/11 , G11C2213/15 , G11C2213/33 , G11C2213/34 , G11C2213/56 , G11C2213/72 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1266 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/1625
Abstract: 一种存储器件10具有如下的结构，其中，存储器薄膜4夹在第一和第二电极2和6之间，该存储器薄膜4至少包含稀土元素，该存储器薄膜4或与该存储器薄膜接触的层3包含从Cu、Ag、Zn中选出的任一种元素，而且该存储器薄膜4或与该存储器薄膜接触的层3包含从Te、S、Se中选出的任一种元素。该存储器件能方便稳定地记录并读出信息，并且该存储器件能由相对简单的制造方法方便地制造。
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公开(公告)号：CN1722302B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200510069790.X
申请日：2005-01-20
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G11C11/5685 , G11C11/5614 , G11C13/0007 , G11C13/0011 , G11C13/0069 , G11C13/0097 , G11C2013/0071 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/79
Abstract: 本发明提供一种在高速条件下能记录多值数据和利用具有相对简单配置的驱动电路进行多值数据记录的存储器设备。存储器设备由包括根据电阻值状态保存信息的存储器元件和作为负载串联连接到存储器元件上的MIS晶体管的存储器单元构成；当分别把存储器单元由高阻值状态到低阻值状态的操作定义为写入和把存储器单元由低阻值状态改变到高阻值状态的操作定义为擦除时，通过控制在写入时施加到MIS晶体管上的栅极电压VG1、VG2和VG3等等，把写入之后的存储器元件的电阻值设置为多个不同的级别，以致分别把不同信息分配到多个级别的每一个中，并且在擦除之后分配到高阻值状态来分别存储三个值或更多值信息到每个存储器单元的存储器元件中。
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