公开(公告)号：CN100557810C

公开(公告)日：2009-11-04

申请号：CN200710153178.X

申请日：2007-09-28

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 古川顺一

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14627

Abstract: 一种固态成像装置和具有其的成像设备，该固态成像装置包括：半导体基板，其上设置有多个像素，每个像素具有光电转换部分；多层绝缘膜，层叠在半导体基板上；配线膜，设置于多层绝缘膜之间；层内透镜，为每个光电转换部分设置于多层绝缘膜之间；光学滤波器，为每个光电转换部分设置于绝缘膜上；以及片上透镜，为每个光电转换部分设置在光学滤波器上，其中层内透镜和片上透镜中至少一个按照光学滤波器的特征为每个像素具有不同的结构。

公开(公告)号：CN100468761C

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN200510098068.9

申请日：2005-08-03

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 古川顺一

IPC: H01L27/148 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14812 ,  H01L27/14683

Abstract: 一种固态成像器件，包括：半导体衬底上的光电传感器部件的二维阵列，和包括两层垂直传输电极的垂直传输部分。光电传感器部件存储由光电转换所产生的信号电荷。垂直传输部件从光电传感器部件读取信号电荷并垂直传输所读取的信号电荷。两层垂直传输电极具有第一传输电极层和第二传输电极层，且第一传输电极层用作从光电传感器部件读取信号电荷的读取电极。第一传输电极层相对光电传感器部件的电极宽度宽于第二传输电极层相对光电传感器部件的电极宽度。

公开(公告)号：CN101626028A

公开(公告)日：2010-01-13

申请号：CN200910150082.7

申请日：2009-07-09

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 中田征志 ,  味沢治彦 ,  吉田直嗣 ,  中野泰弘 ,  古川顺一 ,  东宫祥哲 ,  藤曲润一郎

IPC: H01L27/146 ,  H01L23/528 ,  H01L21/82 ,  H01L21/768 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14632 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14687

Abstract: 本发明提供了固体摄像器件及其制造方法以及摄像装置，所述固体摄像器件包括：具有包括光电转换部的像素区域的半导体基板、包括导线并隔着绝缘膜被布置在半导体基板上的布线部、连接至导线的金属焊盘、覆盖金属焊盘的焊盘覆层绝缘膜以及波导材料层。在光电转换部上方的布线部和焊盘覆层绝缘膜中都设有开口，且它们的开口彼此连续从而限定具有敞开侧和封闭侧的波导开口。波导材料层隔着钝化层被布置在波导开口中及焊盘覆层绝缘膜上。焊盘覆层绝缘膜具有50～250nm范围内的厚度且具有限定该焊盘覆层绝缘膜中的开口的面。该面是倾斜的，并且朝着波导开口的敞开侧逐渐扩宽。在本发明中，增加了光电转换部能够接收的光量。因而，能够提高灵敏度。

公开(公告)号：CN101159281A

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN200710153178.X

申请日：2007-09-28

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 古川顺一

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14627

Abstract: 一种固态成像装置和具有其的成像设备，该固态成像装置包括：半导体基板，其上设置有多个像素，每个像素具有光电转换部分；多层绝缘膜，层叠在半导体基板上；配线膜，设置于多层绝缘膜之间；层内透镜，为每个光电转换部分设置于多层绝缘膜之间；光学滤波器，为每个光电转换部分设置于绝缘膜上；以及片上透镜，为每个光电转换部分设置在光学滤波器上，其中层内透镜和片上透镜中至少一个按照光学滤波器的特征为每个像素具有不同的结构。

公开(公告)号：CN101626028B

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：CN200910150082.7

申请日：2009-07-09

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 中田征志 ,  味沢治彦 ,  吉田直嗣 ,  中野泰弘 ,  古川顺一 ,  东宫祥哲 ,  藤曲润一郎

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14632 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14687

Abstract: 本发明提供了固体摄像器件及其制造方法以及摄像装置，所述固体摄像器件包括：具有包括光电转换部的像素区域的半导体基板、包括导线并隔着绝缘膜被布置在半导体基板上的布线部、连接至导线的金属焊盘、覆盖金属焊盘的焊盘覆层绝缘膜以及波导材料层。在光电转换部上方的布线部和焊盘覆层绝缘膜中都设有开口，且它们的开口彼此连续从而限定具有敞开侧和封闭侧的波导开口。波导材料层隔着钝化层被布置在波导开口中及焊盘覆层绝缘膜上。焊盘覆层绝缘膜具有50～250 nm范围内的厚度且具有限定该焊盘覆层绝缘膜中的开口的面。该面是倾斜的，并且朝着波导开口的敞开侧逐渐扩宽。在本发明中，增加了光电转换部能够接收的光量。因而，能够提高灵敏度。

公开(公告)号：CN1734781A

公开(公告)日：2006-02-15

申请号：CN200510098068.9

申请日：2005-08-03

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 古川顺一

IPC: H01L27/148 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14812 ,  H01L27/14683

Abstract: 一种固态成像器件，包括：半导体衬底上的光电传感器部件的二维阵列，和包括两层垂直传输电极的垂直传输部分。光电传感器部件存储由光电转换所产生的信号电荷。垂直传输部件从光电传感器部件读取信号电荷并垂直传输所读取的信号电荷。两层垂直传输电极具有第一传输电极层和第二传输电极层，且第一传输电极层用作从光电传感器部件读取信号电荷的读取电极。第一传输电极层相对光电传感器部件的电极宽度宽于第二传输电极层相对光电传感器部件的电极宽度。