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公开(公告)号：CN1511340A
公开(公告)日：2004-07-07
申请号：CN03800301.5
申请日：2003-03-27
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L27/105 , H01L41/09 , H01L41/24
CPC classification number: H01L21/02282 , H01L21/02197 , H01L21/31691 , H01L28/55 , H01L41/1876 , H01L41/317
Abstract: 本发明提供一种强电介体薄膜的制造方法。由两种以上的原料溶液构成的强电介体薄膜在基板的某一平面内在膜厚方向中使之均匀地混合。或者在一平面内在膜厚方向中使之具有原料溶液分布地混合。由具有两个以上的喷墨头的喷墨装置将两种原料溶液(105、106)由各自的喷墨头以一定的喷出量喷出，因此可以制作在一平面内均匀混合的强电介体薄膜，通过反复进行这个作业，在薄膜的膜厚方向也可以制作均匀混合的强电介体薄膜。而且，通过改变膜厚方向或面内方向的喷出量，可以制作具有原料溶液分布混合的强电介体薄膜。
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公开(公告)号：CN117767899A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311240189.7
申请日：2023-09-25
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H03H3/02
Abstract: 本发明提供器件的制造方法，能够抑制谐振频率的偏差。一种器件的制造方法，该器件具备：元件基板，其具有元件、用于驱动元件的元件电极、配置于元件的周围的框部、以及配置于框部并与元件电极连接的电极盘；以及支承基板，其与元件基板的一面侧接合，该器件的制造方法包括如下工序：在框部的另一面侧和元件的另一面侧形成保护膜，其中，该保护膜对蚀刻液具有耐受性，且具有元件的外形与框部之间的第一开口部以及电极盘上的第二开口部；以及利用蚀刻液通过第一开口部对支承基板进行蚀刻，在元件与支承基板之间形成空间。
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公开(公告)号：CN1269194C
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN03800301.5
申请日：2003-03-27
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L27/105 , H01L41/09 , H01L41/24 , C01G1/00
CPC classification number: H01L21/02282 , H01L21/02197 , H01L21/31691 , H01L28/55 , H01L41/1876 , H01L41/317
Abstract: 本发明提供一种强电介体薄膜的制造方法。由两种以上的原料溶液构成的强电介体薄膜在基板的某一平面内在膜厚方向中使之均匀地混合。或者在一平面内在膜厚方向中使之具有原料溶液分布地混合。由具有两个以上的喷墨头的喷墨装置将两种原料溶液(105、106)由各自的喷墨头以一定的喷出量喷出，因此可以制作在一平面内均匀混合的强电介体薄膜，通过反复进行这个作业，在薄膜的膜厚方向也可以制作均匀混合的强电介体薄膜。而且，通过改变膜厚方向或面内方向的喷出量，可以制作具有原料溶液分布混合的强电介体薄膜。
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公开(公告)号：CN1684260A
公开(公告)日：2005-10-19
申请号：CN200510064346.9
申请日：2005-04-14
Applicant: 精工爱普生株式会社
Abstract: 本发明公开了金属薄膜及其制造方法、电介质电容器及其制造方法、以及半导体装置。本发明的金属薄膜是具有设置于给定基体上方的面心立方型结晶结构的金属薄膜，所述薄膜(111)面优先定向，并且在其表面呈现出不与所述基体表面平行的(100)面。此外，在本发明的金属薄膜中，具有所述面心立方型结晶结构的金属包括从Pt、Ir及Ru的组中选出的至少一个。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112152586A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN202010585481.2
申请日：2020-06-24
Applicant: 精工爱普生株式会社
Abstract: 提供振动片、电子设备以及移动体，振动片(1)包含：基部(10)；臂(11)，其与基部(10)连续；第1电极(13)，其配置于臂(11)，包含作为氮化钛的第1层(13a)和含有氮、钛以及氧的第2层(13b)；氮化铝层(14)，其与第2层(13b)接触；以及第2电极(15)，其配置于氮化铝层(14)。
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公开(公告)号：CN100388497C
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200510064346.9
申请日：2005-04-14
Applicant: 精工爱普生株式会社
Abstract: 本发明公开了金属薄膜及其制造方法、电介质电容器及其制造方法、以及半导体装置。本发明的金属薄膜是具有设置于给定基体上方的面心立方型结晶结构的金属薄膜，所述薄膜(111)面优先定向，并且在其表面呈现出不与所述基体表面平行的(100)面，所述金属薄膜的表面的算术平均粗糙度(Ra)大于等于1.5nm、并小于等于5nm。此外，在本发明的金属薄膜中，具有所述面心立方型结晶结构的金属包括从Pt、Ir及Ru的组中选出的至少一个。
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公开(公告)号：CN112152586B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202010585481.2
申请日：2020-06-24
Applicant: 精工爱普生株式会社
Abstract: 提供振动片、电子设备以及移动体，振动片(1)包含：基部(10)；臂(11)，其与基部(10)连续；第1电极(13)，其配置于臂(11)，包含作为氮化钛的第1层(13a)和含有氮、钛以及氧的第2层(13b)；氮化铝层(14)，其与第2层(13b)接触；以及第2电极(15)，其配置于氮化铝层(14)。
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公开(公告)号：CN103364089A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310106632.1
申请日：2013-03-29
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 黑川贤一
CPC classification number: H01L37/02 , G01J5/0025 , G01J5/024 , G01J5/025 , G01J5/048 , G01J5/0853 , G01J5/0862 , G01J5/0896 , G01J5/34 , G01J2005/0077 , G01J2005/0081 , G01J2005/345 , G08B13/19695 , H01L27/14649 , H01L31/02
Abstract: 本发明提供一种检测元件和摄像器件及它们的制造方法以及电子设备。在现有的检测元件中难以提高生产性和可靠性。一种检测元件的制造方法，所述检测元件具有：温度根据已吸收的电磁波的量而上升的吸收部以及特性根据从所述吸收部传递的热的量而发生变化的电容器(37)，其特征在于，所述检测元件的制造方法包括：在基板形成电容器(37)的工序；形成覆盖电容器(37)的保护膜(79)的工序；在形成保护膜(79)的工序之后，在基板的俯视观察时与电容器(37)重叠的区域形成空洞部的工序；以及在形成空洞部的工序之后，在保护膜(79)的与电容器(37)侧相反的一侧且俯视观察时与电容器(37)重叠的区域涂布含有构成所述吸收部的材料的液状体(81a)后，固化液状体(81a)，从而形成所述吸收部的工序。
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