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公开(公告)号:CN109192134A
公开(公告)日:2019-01-11
申请号:CN201811131560.5
申请日:2014-03-10
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: G09G3/3208 , G09G3/20
Abstract: 本发明提供一种显示装置及电子设备。被设置在显示装置中的多个像素电路的各个像素电路具有:发光元件OLED;第一晶体管,其向发光元件供给驱动电流;第二晶体管,其对数据线与第一晶体管的栅电极之间进行导通/关断;第三晶体管,其在第一晶体管的栅电极和漏极之间进行导通/关断。显示装置具有:第一保持电容,其被插入连接于多条数据线的中途,并使第一晶体管的驱动电压进行电平移位;保持电容,其对多条数据线中的各条数据线的电位进行保持。沿着列方向Y而配置N个第一保持电容,所述第一保持电容分别具有,小于在行方向X上邻接的N个像素电路的宽度、且在一个像素电路的宽度以上的电极宽度。
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公开(公告)号:CN103426400B
公开(公告)日:2018-04-06
申请号:CN201310174257.4
申请日:2013-05-13
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H01L27/3248 , H01L27/3272 , H01L33/405 , H01L51/5206 , H01L51/5221 , H01L51/5265 , H01L51/5271 , H01L2251/301 , H01L2251/303 , H01L2251/308 , H01L2251/5315
Abstract: 本发明提供一种光电装置及电子设备,该光电装置具备:反射层;发光元件,其具备形成于阳极与阴极之间的发光层;以及驱动晶体管,其对流向上述发光元件的电流进行控制。在与上述反射层相同的层上,以与上述反射层具有间隙的方式形成有从上述驱动晶体管向上述阳极的电流路径中所包含的中继电极。将电连接上述中继电极与上述阳极的接触电极作为对射入上述间隙的光进行遮挡的遮光层而形成。
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公开(公告)号:CN103426399B
公开(公告)日:2017-04-19
申请号:CN201310174225.4
申请日:2013-05-13
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: G09G3/3208
CPC classification number: H01L27/3276 , H01L27/124 , H01L27/3262 , H01L27/3265 , H01L33/0041
Abstract: 本发明涉及电光装置以及电子设备。其中,电光装置具有相互交叉的扫描线以及数据线;与上述扫描线和上述数据线的交叉对应地设置的像素电路;和供给规定的电位的电源布线。上述像素电路具备发光元件和对流过上述发光元件的电流进行控制的驱动晶体管,上述驱动晶体管的栅极电极经由第1中继电极与规定的节点电连接。上述第1中继电极与上述电源布线以及上述数据线形成于同一层,并且上述第1中继电极的至少三侧被上述电源布线包围。
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公开(公告)号:CN105895024A
公开(公告)日:2016-08-24
申请号:CN201610390577.7
申请日:2012-11-13
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: G09G3/3233
Abstract: 本发明涉及像素电路、电光装置以及电子设备。其中,电光装置是形成于半导体基板上的电光装置,具备:第1晶体管,其流过与栅极以及源极间的电压对应的电流;第2晶体管,其电连接在数据线与所述第1晶体管的栅极之间;第3晶体管,其电连接在所述第1晶体管的栅极与漏极之间;发光元件,其以与所述电流的大小对应的亮度发光,所述第2晶体管的源极和漏极中的一方与所述第3晶体管的源极和漏极中的一方利用共用的扩散层形成。
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公开(公告)号:CN103426399A
公开(公告)日:2013-12-04
申请号:CN201310174225.4
申请日:2013-05-13
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: G09G3/32
CPC classification number: H01L27/3276 , H01L27/124 , H01L27/3262 , H01L27/3265 , H01L33/0041
Abstract: 本发明涉及电光装置以及电子设备。其中,电光装置具有相互交叉的扫描线以及数据线;与上述扫描线和上述数据线的交叉对应地设置的像素电路;和供给规定的电位的电源布线。上述像素电路具备发光元件和对流过上述发光元件的电流进行控制的驱动晶体管,上述驱动晶体管的栅极电极经由第1中继电极与规定的节点电连接。上述第1中继电极与上述电源布线以及上述数据线形成于同一层,并且上述第1中继电极的至少三侧被上述电源布线包围。
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公开(公告)号:CN109192134B
公开(公告)日:2021-10-19
申请号:CN201811131560.5
申请日:2014-03-10
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: G09G3/3208 , G09G3/20
Abstract: 本发明提供一种显示装置及电子设备。被设置在显示装置中的多个像素电路的各个像素电路具有:发光元件OLED;第一晶体管,其向发光元件供给驱动电流;第二晶体管,其对数据线与第一晶体管的栅电极之间进行导通/关断;第三晶体管,其在第一晶体管的栅电极和漏极之间进行导通/关断。显示装置具有:第一保持电容,其被插入连接于多条数据线的中途,并使第一晶体管的驱动电压进行电平移位;保持电容,其对多条数据线中的各条数据线的电位进行保持。沿着列方向Y而配置N个第一保持电容,所述第一保持电容分别具有,小于在行方向X上邻接的N个像素电路的宽度、且在一个像素电路的宽度以上的电极宽度。
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公开(公告)号:CN110310599A
公开(公告)日:2019-10-08
申请号:CN201910645528.7
申请日:2014-07-02
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor: 野村猛
IPC: G09G3/3208
Abstract: 本发明涉及一种显示装置以及电子设备,该显示装置为使用了有机EL面板的有源矩阵型的显示装置,所述显示装具备:多个像素电路,所述多个像素电路分别包括被配置在有机EL面板的像素区域内的有机发光二极管、以及对有机发光二极管进行驱动的多个晶体管;多个扫描线,其在有机EL面板中沿着第一方向而被配置;多个数据线,其沿着与第一方向正交的第二方向而被配置,在第一方向上邻接的至少一组像素电路中,多个晶体管的栅电极及杂质扩散区域以线对称的方式被布局,在至少一组像素电路中被对称配置的至少一组晶体管的栅电极被一体构成。
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公开(公告)号:CN104795421B
公开(公告)日:2019-02-26
申请号:CN201410737905.7
申请日:2014-12-05
Applicant: 精工爱普生株式会社
Abstract: 本发明涉及发光装置以及电子设备。本发明的发光装置的一个方式的特征在于,具备像素电路,该像素电路具备包括第1晶体管的多个晶体管、和被第1晶体管供给电流的发光元件,多个晶体管中至少一个在俯视时与沟道区域重叠的位置处,在栅极连接有布线。
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公开(公告)号:CN104064135B
公开(公告)日:2018-12-25
申请号:CN201410108903.1
申请日:2014-03-21
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor: 野村猛
IPC: G09G3/3233 , G09G3/3291
Abstract: 本发明提供一种显示装置的锁存电路。在为了基于N比特的数据而对存在于显示面板的一行上的M像素的各个像素进行驱动,而以针对每个像素时分的方式输出对应M像素的量的数据的锁存电路中,具有沿着列方向排列N个、沿着行方向排列M个,并且对1比特的数据进行锁存的M×N个的1比特锁存电路。1比特锁存电路含有:数据锁存单位电路,其以各行不同的时刻对N比特中的任意1比特数据进行锁存;行锁存单位电路,其在各行中对来自数据锁存单位电路的数据同时进行锁存;输出使能元件,其基于对任意一列进行选择的使能信号而输出来自行锁存单位电路的数据。
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公开(公告)号:CN103106872B
公开(公告)日:2016-06-22
申请号:CN201210453522.8
申请日:2012-11-13
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: G09G3/3233 , H01L27/32
CPC classification number: H01L27/1222 , G02F1/136213 , G09G3/3233 , G09G3/3266 , G09G3/3283 , G09G2300/0809 , G09G2300/0819 , G09G2300/0852 , G09G2310/0202 , G09G2320/0233 , G09G2320/045 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L27/3244 , H01L27/3258 , H01L27/3262 , H01L27/3265 , H01L27/3276 , H01L29/1033 , H01L29/41725 , H01L29/78618 , H01L33/62
Abstract: 本发明涉及像素电路、电光装置以及电子设备。其中,电光装置是形成于半导体基板上的电光装置,具备:第1晶体管,其流过与栅极以及源极间的电压对应的电流;第2晶体管,其电连接在数据线与所述第1晶体管的栅极之间;第3晶体管,其电连接在所述第1晶体管的栅极与漏极之间;发光元件,其以与所述电流的大小对应的亮度发光,所述第2晶体管的源极和漏极中的一方与所述第3晶体管的源极和漏极中的一方利用共用的扩散层形成。
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