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公开(公告)号：CN112750930B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202011161572.X
申请日：2020-10-27
Abstract: 提供发光装置、投影仪以及显示器，能够降低由电极引起的光的损失并且能够提高光的取出效率。发光装置具有：基体；以及层叠体，其设置于基体，具有多个柱状部，柱状部具有：第1半导体层；第2半导体层，其导电类型与第1半导体层不同；以及发光层，其设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间，所述层叠体具有第3半导体层，该第3半导体层连接在所述第2半导体层的与所述基体相反的一侧并且导电类型与所述第2半导体层相同，所述第2半导体层设置在所述发光层与所述第3半导体层之间，在所述第3半导体层设置有凹部，在所述第3半导体层的与所述基体侧相反的一侧的面设置有所述凹部的开口，所述凹部的底的直径比所述凹部的开口的直径小。
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公开(公告)号：CN104934455A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201510108890.2
申请日：2015-03-12
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 次六宽明
IPC: H01L27/146 , H01L31/0352 , H01L31/105
CPC classification number: H01L31/105 , G06K9/00013 , G06K2009/0006 , G06K2009/00932 , H01L27/14603 , H01L27/14612 , H01L27/14692
Abstract: 本发明提供一种电流不易泄漏的结构的光电转换装置及电子设备。该光电转换装置具备基板(13)和光电二极管(9)，在光电二极管(9)中，第一半导体层(25)、第二半导体层(26)和第三半导体层(27)依次层叠于基板(13)上，第二半导体层(26)为i型半导体层，第一半导体层(25)和第三半导体层(27)中一方为n型半导体层，另一方为p型半导体层，第一半导体层(25)被第二半导体层(26)覆盖。
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公开(公告)号：CN1197127C
公开(公告)日：2005-04-13
申请号：CN01802773.3
申请日：2001-06-12
IPC: H01L21/20
CPC classification number: H01L21/02686 , H01L21/2026 , H01L27/1281 , H01L27/1296 , H01L29/66757 , H01L29/78675
Abstract: 本发明旨在实现在较低的温度下制造优质薄膜半导体装置。在设置局部加热单元后形成有源半导体膜，对有源半导体膜照射脉冲激光进行熔融结晶化。
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公开(公告)号：CN112750930A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202011161572.X
申请日：2020-10-27
Abstract: 提供发光装置、投影仪以及显示器，能够降低由电极引起的光的损失并且能够提高光的取出效率。发光装置具有：基体；以及层叠体，其设置于基体，具有多个柱状部，柱状部具有：第1半导体层；第2半导体层，其导电类型与第1半导体层不同；以及发光层，其设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间，所述层叠体具有第3半导体层，该第3半导体层连接在所述第2半导体层的与所述基体相反的一侧并且导电类型与所述第2半导体层相同，所述第2半导体层设置在所述发光层与所述第3半导体层之间，在所述第3半导体层设置有凹部，在所述第3半导体层的与所述基体侧相反的一侧的面设置有所述凹部的开口，所述凹部的底的直径比所述凹部的开口的直径小。
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公开(公告)号：CN104882457B
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201510075586.2
申请日：2015-02-12
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 次六宽明
IPC: H01L27/146 , H01L27/144
Abstract: 本发明涉及一种光电转换装置、光电转换装置的制造方法以及电子设备。本发明提供一种能够抑制杂散光而得到期望的图像的光电转换装置以及利用该光电转换装置的电子设备。该光电转换装置特征在于具备设置于基板(1)的一个表面侧的TFT(10)、设置为覆盖TFT(10)的第二层间绝缘膜(7)、在第二层间绝缘膜(7)上在从形成于基板(1)的膜的厚度方向观察设置于与TFT(10)重叠的区域的遮光膜(9)、设置于第二层间绝缘膜(7)上的下部电极(8)、设置于下部电极(8)上的具有黄铜矿结构的半导体膜(21)，在遮光膜(9)、下部电极(8)和半导体膜(21)中包含16族元素。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1393032A
公开(公告)日：2003-01-22
申请号：CN01802773.3
申请日：2001-06-12
IPC: H01L21/20
CPC classification number: H01L21/02686 , H01L21/2026 , H01L27/1281 , H01L27/1296 , H01L29/66757 , H01L29/78675
Abstract: 本发明旨在实现在较低的温度下制造优质薄膜半导体装置。在设置局部加热机构后形成活性半导体膜，对活性半导体膜照射脉冲激光进行熔融结晶化。
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公开(公告)号：CN114447172B
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202111261063.9
申请日：2021-10-28
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 次六宽明
Abstract: 发光装置及投影仪。发光装置具有基板和由多个柱状结构体构成的柱状结构体组，多个柱状结构体包含设于发光部的多个第1柱状结构体和设于发光部外的区域的多个第2柱状结构体，柱状结构体组包含第1柱状结构体组和第2柱状结构体组，第1柱状结构体组包含多个第1柱状结构体和光传输层，第2柱状结构体组包含多个第2柱状结构体和绝缘层，基板设有覆盖各柱状结构体组的层间绝缘层，层间绝缘层设有与第1柱状结构体组电连接的导电层，在层间绝缘层上设有与导电层电连接的第1电极端子，第1柱状结构体由第1半导体层、第2半导体层和发光层构成，导电层与第2半导体层电连接，从基板法线方向观察时，导电层及第1电极端子与第2柱状结构体组重叠。
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公开(公告)号：CN113410758A
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202110274403.5
申请日：2021-03-15
Applicant: 精工爱普生株式会社
Abstract: 提供发光装置以及投影仪，能够提高光封闭系数。发光装置包含具有多个柱状部的层叠体，所述层叠体具有：第1半导体层；第2半导体层，其导电类型与所述第1半导体层不同；发光层，其设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间；以及第3半导体层，所述第1半导体层和所述发光层构成所述柱状部，所述第2半导体层设置在所述发光层与所述第3半导体层之间，所述第2半导体层具有多个凹部，由所述第2半导体层的规定所述凹部的面和所述第3半导体层的靠所述第2半导体层侧的面形成空隙。
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公开(公告)号：CN104882457A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201510075586.2
申请日：2015-02-12
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 次六宽明
IPC: H01L27/146 , H01L27/144
CPC classification number: H01L27/14696 , H01L27/14609 , H01L27/14612 , H01L27/1462 , H01L27/14623 , H01L27/14632 , H01L27/14643 , H01L27/14685 , H01L27/14687 , H01L27/14689 , H01L27/14692 , H01L31/022408 , H01L31/0322 , H01L31/18 , H04N3/155 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种光电转换装置、光电转换装置的制造方法以及电子设备。本发明提供一种能够抑制杂散光而得到期望的图像的光电转换装置以及利用该光电转换装置的电子设备。该光电转换装置特征在于具备设置于基板(1)的一个表面侧的TFT(10)、设置为覆盖TFT(10)的第二层间绝缘膜(7)、在第二层间绝缘膜(7)上在从形成于基板(1)的膜的厚度方向观察设置于与TFT(10)重叠的区域的遮光膜(9)、设置于第二层间绝缘膜(7)上的下部电极(8)、设置于下部电极(8)上的具有黄铜矿结构的半导体膜(21)，在遮光膜(9)、下部电极(8)和半导体膜(21)中包含16族元素。
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