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公开(公告)号：CN1744315A
公开(公告)日：2006-03-08
申请号：CN200510091989.2
申请日：2005-08-15
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L25/065 , H01L23/48 , H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/16145 , H01L2224/32145 , H01L2224/73204 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，是将设有基板、贯穿该基板的贯穿电极，所述贯穿电极具备设于所述基板的能动面侧的第1端子和设于与所述能动面相反的背面侧的第2端子，所述第1端子的外形被制成大于所述第2端子的外形的半导体芯片层叠于连接体上的半导体装置，其特征是，所述半导体芯片将所述第2端子借助钎焊料与所述连接体的连接端子电连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1534770A
公开(公告)日：2004-10-06
申请号：CN200410008577.3
申请日：2004-03-24
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L23/481 , H01L2224/05001 , H01L2224/05009 , H01L2224/05025 , H01L2224/05026 , H01L2224/05184 , H01L2224/05548 , H01L2224/16145 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/00014 , H01L2924/01067 , H01L2924/15311 , H01L2224/05599 , H01L2224/05111 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166
Abstract: 一种半导体装置，包括：具有在其中形成的通孔的半导体衬底，在该通孔内形成的第一绝缘膜，以及在通孔内的第一绝缘膜的内侧上形成的电极。在半导体衬底的背面侧的第一绝缘膜伸出背面之外，并且电极伸出半导体衬底的有源面侧和背面侧之外。在有源面侧的突出部分的外径大于在通孔内的第一绝缘膜的外径，并且在背面侧的突出部分进一步伸出第一绝缘膜之外，以便使其侧面被暴露。该半导体装置具有改善的连接性和连接强度，尤其是当用于三维封装技术中时，具有杰出的抗剪切力性。
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公开(公告)号：CN100573854C
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200410008577.3
申请日：2004-03-24
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L23/481 , H01L2224/05001 , H01L2224/05009 , H01L2224/05025 , H01L2224/05026 , H01L2224/05184 , H01L2224/05548 , H01L2224/16145 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/00014 , H01L2924/01067 , H01L2924/15311 , H01L2224/05599 , H01L2224/05111 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166
Abstract: 一种半导体装置，包括：具有在其中形成的通孔的半导体衬底，在该通孔内形成的第一绝缘膜，以及在通孔内的第一绝缘膜的内侧上形成的电极。在半导体衬底的背面侧的第一绝缘膜伸出背面之外，并且电极伸出半导体衬底的有源面侧和背面侧之外。在有源面侧的突出部分的外径大于在通孔内的第一绝缘膜的外径，并且在背面侧的突出部分进一步伸出第一绝缘膜之外，以便使其侧面被暴露。该半导体装置具有改善的连接性和连接强度，尤其是当用于三维封装技术中时，具有杰出的抗剪切力性。
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公开(公告)号：CN100435335C
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200510091989.2
申请日：2005-08-15
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L25/065 , H01L23/48 , H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/16145 , H01L2224/32145 , H01L2224/73204 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，是将设有基板、贯穿该基板的贯穿电极，所述贯穿电极具备设于所述基板的有源面侧的第1端子和设于与所述有源面相反的背面侧的第2端子，所述第1端子的外形被制成大于所述第2端子的外形的半导体芯片层叠于连接体上的半导体装置，其特征是，所述半导体芯片将所述第2端子借助钎焊料与所述连接体的连接端子电连接。
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公开(公告)号：CN103972205B
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201410035965.4
申请日：2014-01-24
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 横山好彦
IPC: H01L23/498 , B41J2/135
CPC classification number: H01L24/17 , B41J2/14233 , B41J2/161 , B41J2/1623 , B41J2/1629 , B41J2/1642 , B41J2/1643 , B41J2/1646 , B41J2002/14491 , H01L51/0004 , H01L51/0005 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2924/07802 , H01L2924/12042 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种布线结构体、液滴喷头以及液滴喷出装置。该液滴喷头（1）具备：振动板（23），形成有端子（271）、（272）；贮留池形成基板（24），与振动板（23）接合，具有相对于板面倾斜的倾斜面（247），该倾斜面（247）是形成有与端子（271）电连接的布线（281）的侧面；以及布线基板（31），与振动板（23）接合，具有沿着倾斜面（247）而相对于板面倾斜的倾斜面（311），该倾斜面（311）是形成有与端子（272）电连接的布线（283）的侧面。
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公开(公告)号：CN103972205A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410035965.4
申请日：2014-01-24
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 横山好彦
IPC: H01L23/498 , B41J2/135
CPC classification number: H01L24/17 , B41J2/14233 , B41J2/161 , B41J2/1623 , B41J2/1629 , B41J2/1642 , B41J2/1643 , B41J2/1646 , B41J2002/14491 , H01L51/0004 , H01L51/0005 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2924/07802 , H01L2924/12042 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种布线结构体、液滴喷头以及液滴喷出装置。该液滴喷头（1）具备：振动板（23），形成有端子（271）、（272）；贮留池形成基板（24），与振动板（23）接合，具有相对于板面倾斜的倾斜面（247），该倾斜面（247）是形成有与端子（271）电连接的布线（281）的侧面；以及布线基板（31），与振动板（23）接合，具有沿着倾斜面（247）而相对于板面倾斜的倾斜面（311），该倾斜面（311）是形成有与端子（272）电连接的布线（283）的侧面。
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