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公开(公告)号：CN1425947A
公开(公告)日：2003-06-25
申请号：CN02156409.4
申请日：2002-12-10
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 村井一郎
IPC: G02F1/136 , G09G3/36 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1214 , G02F1/13454 , G02F1/136204 , G09G3/3648 , G09G2330/04 , H01L27/1255 , H01L29/78621 , H01L29/78645 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 提供即便是冲击电压从信号输入线进来了在布线的交叉部分处也不会产生麻烦问题的半导体器件、作成为TFT阵列基板具备该半导体器件的电光装置、和电子设备。在液晶装置的TFT阵列基板10中，信号输入端子670和端子710、720沿着基板边111排列，同时，从信号输入端子670开始，信号输入线67向基板边112延伸。在用来向对信号输入线67的静电保护电路5供给恒定电位的恒定电位线中，对于低电位线72来说，完全不与信号输入线67进行交叉，高电位线71虽然与信号输入线67交叉，但是，与从信号输入端子670到静电保护电路5的布线部分671却不进行交叉。
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公开(公告)号：CN1246727C
公开(公告)日：2006-03-22
申请号：CN03156846.7
申请日：2003-09-10
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: G02F1/1335 , G02F1/1333
CPC classification number: G02F1/133555 , G02F1/133371 , G02F1/133514
Abstract: 本发明的课题是提供在透射显示、反射显示这两者中都可得到高对比度的显示的半透射反射型的液晶显示装置。在本发明的液晶显示装置中，在1个像素区域内形成了反射显示区域和透射显示区域，在上述反射显示区域的阵列基板上具备反射层，在上述透射显示区域与反射显示区域之间具有上述液晶层的厚度连续地变化的倾斜区域，将上述倾斜区域的透射显示区域一侧的边缘一端配置在上述反射层的平面区域内，在上述反射显示区域内形成了第1滤色层，在上述倾斜区域和上述透射显示区域上形成了具有比上述第1滤色层强的着色度的第2滤色层。也可在倾斜区域的平面区域内重叠了上述第1、第2滤色层。
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公开(公告)号：CN1495481A
公开(公告)日：2004-05-12
申请号：CN03156846.7
申请日：2003-09-10
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: G02F1/1333 , G02F1/1335
CPC classification number: G02F1/133555 , G02F1/133371 , G02F1/133514
Abstract: 本发明的课题是提供在透射显示、反射显示这两者中都可得到高对比度的显示的半透射反射型的液晶显示装置。在本发明的液晶显示装置中，在1个像素区域内形成了反射显示区域和透射显示区域，在上述反射显示区域的阵列基板上具备反射层，在上述透射显示区域与反射显示区域之间具有上述液晶层的厚度连续地变化的倾斜区域，将上述倾斜区域的透射显示区域一侧的边缘一端配置在上述反射层的平面区域内，在上述反射显示区域内形成了第1滤色层，在上述倾斜区域和上述透射显示区域上形成了具有比上述第1滤色层强的着色度的第2滤色层。也可在倾斜区域的平面区域内重叠了上述第1、第2滤色层。
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公开(公告)号：CN1460879A
公开(公告)日：2003-12-10
申请号：CN03138488.9
申请日：2003-05-22
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: G02F1/1333 , G02F1/1335
CPC classification number: G02F1/13394 , G02F2203/09
Abstract: 本发明提供了即使由层厚调整层使透过显示区域与反射显示区域之间的液晶层的层厚平衡合理化时也不发生基板间隔的偏差的半透过反射型液晶装置和使用该半透过反射型液晶装置的电子设备。在半透过反射型液晶装置100的对向基板20中，在对向电极21的下层侧中的透过显示区域100c形成薄且色度域宽的透过显示用彩色滤光器241，在反射显示区域100b形成厚且色度域窄的反射显示用彩色滤光器242。另外，TFT阵列基板10与对向基板20的间隔由在TFT阵列基板10上形成的柱状突起40进行控制，不向TFT阵列基板10与对向基板20之间散布间隙材料。
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公开(公告)号：CN1460878A
公开(公告)日：2003-12-10
申请号：CN03136755.0
申请日：2003-05-21
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: G02F1/1333 , G02F1/1335 , G02B5/23 , G09F9/35
CPC classification number: G02F1/133514 , G02F1/133555
Abstract: 本发明提供了即使是在像素内形成透过显示用彩色滤光器和反射显示用彩色滤光器的情况，在使用时也可以用充分的光量显示图像的半透过反射型液晶装置和使用该半透过反射型液晶装置的电子设备。在半透过反射型液晶装置100的对向基板10中，在对向电极21的下层一侧中，在透过显示区域100c形成色度域宽的透过显示用彩色滤光器241，在反射显示区域100b形成色度域窄的反射显示用彩色滤光器242。使这些彩色滤光器241、242的边界部分26位于反射显示区域100b内。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1300103A
公开(公告)日：2001-06-20
申请号：CN00135568.6
申请日：2000-12-13
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , G02F1/13
CPC classification number: H01L27/1288 , G02F1/13454 , H01L27/1214 , H01L27/1237 , H01L27/1255 , H01L27/127 , H01L29/78621 , H01L2029/7863
Abstract: 提供具有高可靠性的半导体装置、液晶显示装置和它们的制造方法。该半导体装置包括:基板、半导体层、栅极绝缘膜和栅极电极。半导体层包括在基板的主面上形成且中间夹着沟道区而邻接的源和漏区。栅极绝缘膜在沟道区上形成。栅极电极在栅极绝缘膜上形成,并具有侧壁。栅极绝缘膜7a含有延长部分。源和漏区含有在离开延长部分的侧壁的半导体层的区域内形成的高浓度杂质区和比该高浓度杂质区杂质浓度低的低浓度杂质区。
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公开(公告)号：CN1224859C
公开(公告)日：2005-10-26
申请号：CN03138488.9
申请日：2003-05-22
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: G02F1/1335 , G02F1/1333
CPC classification number: G02F1/13394 , G02F2203/09
Abstract: 本发明提供了即使由层厚调整层使透过显示区域与反射显示区域之间的液晶层的层厚平衡合理化时也不发生基板间隔的偏差的半透过反射型液晶装置和使用该半透过反射型液晶装置的电子设备。在半透过反射型液晶装置100的对向基板20中，在对向电极21的下层侧中的透过显示区域100c形成薄且色度域宽的透过显示用彩色滤光器241，在反射显示区域100b形成厚且色度域窄的反射显示用彩色滤光器242。另外，TFT阵列基板10与对向基板20的间隔由在TFT阵列基板10上形成的柱状突起40进行控制，不向TFT阵列基板10与对向基板20之间散布间隙材料。
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公开(公告)号：CN1222815C
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：CN03136755.0
申请日：2003-05-21
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: G02F1/1335 , G02B5/23 , G02F1/1333
CPC classification number: G02F1/133514 , G02F1/133555
Abstract: 本发明提供了即使是在像素内形成透过显示用彩色滤光器和反射显示用彩色滤光器的情况，在使用时也可以用充分的光量显示图像的半透过反射型液晶装置和使用该半透过反射型液晶装置的电子设备。在半透过反射型液晶装置100的对向基板10中，在对向电极21的下层一侧中，在透过显示区域100c形成色度域宽的透过显示用彩色滤光器241，在反射显示区域100b形成色度域窄的反射显示用彩色滤光器242。使这些彩色滤光器241、242的边界部分26位于反射显示区域100b内。
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公开(公告)号：CN1180303C
公开(公告)日：2004-12-15
申请号：CN02156409.4
申请日：2002-12-10
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 村井一郎
IPC: G02F1/136 , G09G3/36 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1214 , G02F1/13454 , G02F1/136204 , G09G3/3648 , G09G2330/04 , H01L27/1255 , H01L29/78621 , H01L29/78645 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 提供即便是冲击电压从信号输入线进来了在布线的交叉部分处也不会产生麻烦问题的半导体器件、作成为TFT阵列基板具备该半导体器件的电光装置、和电子设备。在液晶装置的TFT阵列基板10中，信号输入端子670和端子710、720沿着基板边111排列，同时，从信号输入端子670开始，信号输入线67向基板边112延伸。在用来向对信号输入线67的静电保护电路5供给恒定电位的恒定电位线中，对于低电位线72来说，完全不与信号输入线67进行交叉，高电位线71虽然与信号输入线67交叉，但是，与从信号输入端子670到静电保护电路5的布线部分671却不进行交叉。
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公开(公告)号：CN1168148C
公开(公告)日：2004-09-22
申请号：CN00135568.6
申请日：2000-12-13
IPC: H01L29/786 , H01L97/84 , G09F9/35
CPC classification number: H01L27/1288 , G02F1/13454 , H01L27/1214 , H01L27/1237 , H01L27/1255 , H01L27/127 , H01L29/78621 , H01L2029/7863
Abstract: 提供具有高可靠性的半导体装置、液晶显示装置和它们的制造方法。该半导体装置包括：基板、半导体层、栅极绝缘膜和栅极电极。半导体层包括在基板的主面上形成且中间夹着沟道区而邻接的源和漏区。栅极绝缘膜在沟道区上形成。栅极电极在栅极绝缘膜上形成，并具有侧壁。栅极绝缘膜7a含有延长部分。源和漏区含有在离开延长部分的侧壁的半导体层的区域内形成的高浓度杂质区和比该高浓度杂质区杂质浓度低的低浓度杂质区。
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