公开(公告)号：CN1197145C

公开(公告)日：2005-04-13

申请号：CN01141243.7

申请日：2001-09-04

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 松岛文明 ,  太田勉 ,  间箇部明

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L21/60 ,  H01L23/48 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L24/94 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11822 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/13012 ,  H01L2224/13078 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/1411 ,  H01L2224/274 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164

Abstract: 本发明涉及具有高可靠性、适合于狭窄间距的凸块形成方法、半导体装置及其制造方法、半导体芯片、电路基板及电子设备。本发明的凸块形成方法包括以在垫片12上具有贯通孔22的方式形成抗蚀剂层20、配合贯通孔22的形状形成与垫片12电连接的金属层(凸块34)的工序，把金属层(凸块34)形成为具有用于容纳焊料40的区域(凹部36)的形状。

公开(公告)号：CN1294635C

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：CN01120712.4

申请日：2001-04-28

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 樱井和德 ,  太田勉 ,  松岛文明 ,  间箇部

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L24/12 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/11472 ,  H01L2224/11474 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/13076 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/13566 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/1358 ,  H01L2224/13582 ,  H01L2224/136 ,  H01L2224/13611 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81894 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/29075

Abstract: 提供了一种能够以期望的宽度简单地形成凸起的凸起形成方法、半导体器件及其制造方法、电路板和电子机器。凸起的形成方法为在绝缘膜15上形成露出焊盘12的至少一部分的开口部16，形成与上述焊盘12连接的凸起，形成具有与上述焊盘12的至少一部分平面地重叠的通孔22的抗蚀层20，在上述绝缘膜15中形成开口部16，形成与通过上述开口部16露出的上述焊盘12连接的金属层。

公开(公告)号：CN1322010A

公开(公告)日：2001-11-14

申请号：CN01120712.4

申请日：2001-04-28

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 樱井和德 ,  太田勉 ,  松岛文明 ,  间箇部

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L24/12 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/11472 ,  H01L2224/11474 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/13076 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/13566 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/1358 ,  H01L2224/13582 ,  H01L2224/136 ,  H01L2224/13611 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81894 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/29075

Abstract: 提供了一种能够以期望的宽度简单地形成凸起的凸起形成方法、半导体器件及其制造方法、电路板和电子机器。凸起的形成方法为在绝缘膜15上形成露出焊盘12的至少一部分的开口部16,形成与上述焊盘12连接的凸起,形成具有与上述焊盘12的至少一部分平面地重叠的通孔22的抗蚀层20,在上述绝缘膜15中形成开口部16,形成与通过上述开口部16露出的上述焊盘12连接的金属层。

公开(公告)号：CN1359147A

公开(公告)日：2002-07-17

申请号：CN01141243.7

申请日：2001-09-04

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 松岛文明 ,  太田勉 ,  间箇部明

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L21/60 ,  H01L23/48 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L24/94 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11822 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/13012 ,  H01L2224/13078 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/1411 ,  H01L2224/274 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164

Abstract: 涉及具有高可靠性、适合于狭窄间距的凸块形成方法、半导体装置及其制造方法、半导体芯片、电路基板及电子设备。本发明的凸块形成方法包括以在垫片12上具有贯通孔22的方式形成抗蚀剂层20、配合贯通孔22的形状形成与垫片12电连接的金属层(凸块34)的工序,把金属层(凸块34)形成为具有用于容纳焊料40的区域(凹部36)的形状。