公开(公告)号：CN1359147A

公开(公告)日：2002-07-17

申请号：CN01141243.7

申请日：2001-09-04

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 松岛文明 ,  太田勉 ,  间箇部明

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L21/60 ,  H01L23/48 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L24/94 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11822 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/13012 ,  H01L2224/13078 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/1411 ,  H01L2224/274 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164

Abstract: 涉及具有高可靠性、适合于狭窄间距的凸块形成方法、半导体装置及其制造方法、半导体芯片、电路基板及电子设备。本发明的凸块形成方法包括以在垫片12上具有贯通孔22的方式形成抗蚀剂层20、配合贯通孔22的形状形成与垫片12电连接的金属层(凸块34)的工序,把金属层(凸块34)形成为具有用于容纳焊料40的区域(凹部36)的形状。

公开(公告)号：CN1197145C

公开(公告)日：2005-04-13

申请号：CN01141243.7

申请日：2001-09-04

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 松岛文明 ,  太田勉 ,  间箇部明

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L21/60 ,  H01L23/48 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L24/94 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11822 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/13012 ,  H01L2224/13078 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/1411 ,  H01L2224/274 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164

Abstract: 本发明涉及具有高可靠性、适合于狭窄间距的凸块形成方法、半导体装置及其制造方法、半导体芯片、电路基板及电子设备。本发明的凸块形成方法包括以在垫片12上具有贯通孔22的方式形成抗蚀剂层20、配合贯通孔22的形状形成与垫片12电连接的金属层(凸块34)的工序，把金属层(凸块34)形成为具有用于容纳焊料40的区域(凹部36)的形状。