公开(公告)号：CN1585809A

公开(公告)日：2005-02-23

申请号：CN02822537.6

申请日：2002-06-03

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 畠井宗宏 ,  福冈正辉 ,  林聪史 ,  檀上滋 ,  大山康彦 ,  下村和弘 ,  长谷川刚

IPC: C09J201/00 ,  C09J11/06 ,  C09J7/00

CPC classification number: C09J11/06 ,  C09J7/38 ,  Y10T156/1126 ,  Y10T428/14 ,  Y10T428/28 ,  Y10T428/2809 ,  Y10T428/2861

Abstract: 本发明的目的是提供通过给予刺激而在不损伤粘附体的条件下可以容易地完成剥离的粘合性物质，使用它的胶带以及粘合性物质的剥离方法。本发明涉及一种粘合性物质，是含有受刺激后可产生气体的气体发生剂的粘合性物质，由上述气体发生剂产生的气体被释放到上述粘合性物质之外，不会使上述粘合性物质发泡，而且，由上述气体发生剂产生的气体可从粘附体上剥下上述粘合性物质的接合面的至少一部分，从而使粘合力下降。

公开(公告)号：CN1322554C

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN03800232.9

申请日：2003-01-15

Applicant: 积水化学工业株式会社 ,  株式会社迪思科

Inventor： 福冈正辉 ,  大山康彦 ,  畠井宗宏 ,  林聪史 ,  檀上滋 ,  北村政彦 ,  矢嶋兴一

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/304

CPC classification number: C09J5/08 ,  C09J7/38 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/102 ,  C09J2205/302 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327

Abstract: 本发明的目的是提供一种IC片的生产方法，其中，可以防止晶片受损，能够改善处理晶片的容易程度，因此，即使晶片的厚度极度降低至约50μm，也能够适当地将晶片加工成IC片。本发明提供一种IC片的生产方法，其至少包括：用支撑胶带将晶片固定在支撑板上的步骤，支撑胶带具有包括含由于刺激而生成气体的气体发生剂的粘结剂(A)的表面层和包括粘结剂(B)的表面层；用所述支撑胶带将所述晶片固定在所述支撑板上的时候将所述晶片抛光的步骤；将切块胶带粘结在所述抛光晶片上的步骤；为所述粘结剂(A)层提供所述刺激的步骤；将所述支撑胶带从所述晶片上除去的步骤；将所述晶片切块的步骤，在用所述支撑胶带将所述晶片固定在所述支撑板上的步骤中包括将所述包括粘结剂(A)的表面层粘结在所述晶片上和将所述包括粘结剂(B)的表面层粘结在所述支撑板上，在负压下从其切块胶带侧均匀抽吸整个所述晶片的同时提供所述刺激，然后在为所述粘结剂(A)层提供刺激的步骤中和在将所述支撑胶带从所述晶片上除去的步骤中，将所述支撑胶带从所述晶片上除去。

公开(公告)号：CN1886822A

公开(公告)日：2006-12-27

申请号：CN200480035346.X

申请日：2004-12-02

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 杉田大平 ,  福冈正辉 ,  畠井宗宏 ,  林聪史 ,  下村和弘 ,  北岛义一 ,  大山康彦

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/68

Abstract: 本发明目的在于提供一种能在不导致破损的情况下以高生产率得到半导体芯片的半导体芯片的制造方法。本发明的半导体芯片的制造方法，其中包括：在形成有电路的半导体晶片上粘贴切割用粘合带的粘合带粘贴工序，所述切割用粘合带具有含通过光照产生气体的气体产生剂的粘合剂层；切割已粘贴所述切割用粘合带的晶片，分割成各个半导体芯片的切割工序；对所述被分割的各个半导体芯片照射光，将至少一部分所述切割用粘合带从半导体芯片剥离的剥离工序；和利用无针拾取法拾取所述半导体芯片的拾取工序。

公开(公告)号：CN1599781A

公开(公告)日：2005-03-23

申请号：CN02824131.2

申请日：2002-06-03

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 畠井宗宏 ,  福冈正辉 ,  林聪史 ,  檀上滋 ,  大山康彦

IPC: C09J201/00 ,  C09J11/06 ,  C09J7/00

CPC classification number: C09J11/06 ,  C09J7/10

Abstract: 本发明的目的是提供通过照射光可以在不损伤粘附体的条件下容易地完成剥离的粘合性物质、粘合性制品以及连接结构体。本发明涉及一种粘合性物质，其中含有通过照射光可产生气体的偶氮化合物，由上述偶氮化合物产生的气体的至少一部分释放到上述粘合性物质的外部。

公开(公告)号：CN1537151A

公开(公告)日：2004-10-13

申请号：CN02815153.4

申请日：2002-06-03

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 畠井宗宏 ,  福冈正辉 ,  林聪史 ,  檀上滋 ,  大山康彦 ,  下村和弘 ,  长谷川刚

IPC: C09J7/02

CPC classification number: H01L21/6836 ,  C09J7/22 ,  C09J7/35 ,  C09J7/38 ,  C09J2201/128 ,  C09J2203/326 ,  H01L2221/68327

Abstract: 本发明的目的在于提供涉及即使是厚度50μm左右的极薄的晶片也可以防止晶片的破损等、改善操作性并且可以很好地向IC芯片的加工的，进而剥离容易的两面胶以及使用它的IC芯片的制造方法。本发明是至少一面含有通过刺激产生气体的气体发生剂的两面胶。

公开(公告)号：CN100336880C

公开(公告)日：2007-09-12

申请号：CN02815153.4

申请日：2002-06-03

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 畠井宗宏 ,  福冈正辉 ,  林聪史 ,  檀上滋 ,  大山康彦 ,  下村和弘 ,  长谷川刚

IPC: C09J7/02

CPC classification number: H01L21/6836 ,  C09J7/22 ,  C09J7/35 ,  C09J7/38 ,  C09J2201/128 ,  C09J2203/326 ,  H01L2221/68327

Abstract: 本发明的目的在于提供涉及即使是厚度50μm左右的极薄的晶片也可以防止晶片的破损等、改善操作性并且可以很好地向IC芯片的加工的，进而剥离容易的两面胶以及使用它的IC芯片的制造方法。本发明是至少一面含有通过刺激产生气体的气体发生剂的两面胶。

公开(公告)号：CN100334689C

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN03801502.1

申请日：2003-04-09

Applicant: 积水化学工业株式会社 ,  株式会社迪思科

Inventor： 福冈正辉 ,  畠井宗宏 ,  林聪史 ,  大山康彦 ,  檀上滋 ,  北村政彦 ,  矢嶋兴一

IPC: H01L21/301

CPC classification number: H01L21/6835 ,  B24B7/228 ,  B24B41/068 ,  H01L21/304 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  Y10S438/977

Abstract: 在将由通道划分的区域中形成了电路的半导体晶片W分割成各个电路的半导体芯片的情况下，通过靠激发而降低粘结力的粘结片，在支承板(13)上粘贴半导体晶片W的表面，使半导体晶片W的背面(10)露出，对与支承板(13)一体的半导体晶片W的背面(10)进行研磨，在将背面(10)向上保持的状态下，将研磨结束的与支承板(13)一体的半导体晶片W分割成半导体芯片C，激发粘结片，使粘结力下降，将半导体芯片C从支承板(13)中拆下。由于半导体晶片和半导体芯片始终被支承在支承板上，所以可以防止发生破损、变形等。

公开(公告)号：CN101019206A

公开(公告)日：2007-08-15

申请号：CN200480043615.7

申请日：2004-08-02

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 畠井宗宏 ,  林聪史 ,  福冈正辉 ,  檀上滋 ,  大山康彦 ,  下村和弘 ,  杉田大平 ,  北岛义一

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/68 ,  C09J201/00 ,  C09J5/00 ,  C09J7/02

CPC classification number: C09J5/00 ,  C08K5/23 ,  C09J5/08 ,  C09J7/38 ,  C09J7/385 ,  C09J2201/128 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/102 ,  C09J2205/302 ,  C09J2433/00 ,  H01L21/67115

Abstract: 本发明提供一种可以以高生产率制造厚50μm以下例如25～30μm左右的极薄IC芯片的IC芯片制造方法。本发明至少包括：使至少在一个面的粘合层中含有在光照射下产生气体的气体产生剂的双面粘合带的含有所述气体产生剂的面、与晶片贴合，将所述晶片固定于支撑板上的工序(1)，在借助所述双面粘合带将所述晶片固定于所述支撑板上的状态下磨削所述晶片的工序(2)，向所述双面粘合带照射光的工序(3)，以及从所述晶片剥离所述双面粘合带的工序(4)；在工序(3)中，从所述双面粘合带中释放气体的速度为5μL/cm2·分钟以上。

公开(公告)号：CN1592953A

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN03801502.1

申请日：2003-04-09

Applicant: 积水化学工业株式会社 ,  株式会社迪思科

Inventor： 福冈正辉 ,  畠井宗宏 ,  林聪史 ,  大山康彦 ,  檀上滋 ,  北村政彦 ,  矢嵨兴一

IPC: H01L21/301

CPC classification number: H01L21/6835 ,  B24B7/228 ,  B24B41/068 ,  H01L21/304 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  Y10S438/977

Abstract: 在将由通道划分的区域中形成了电路的半导体晶片W分割成各个电路的半导体芯片的情况下，通过靠激发而降低粘结力的粘结片，在支承板(13)上粘贴半导体晶片W的表面，使半导体晶片W的背面(10)露出，对与支承板(13)一体的半导体晶片W的背面(10)进行研磨，在将背面(10)向上保持的状态下，将研磨结束的与支承板(13)一体的半导体晶片W分割成半导体芯片C，激发粘结片，使粘结力下降，将半导体芯片C从支承板(13)中拆下。由于半导体晶片和半导体芯片始终被支承在支承板上，所以可以防止发生破损、变形等。

公开(公告)号：CN1585810A

公开(公告)日：2005-02-23

申请号：CN02822538.4

申请日：2002-11-15

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 福冈正辉 ,  畠井宗宏 ,  大山康彦 ,  檀上滋 ,  林聪史 ,  下村和弘 ,  长谷川刚

IPC: C09J201/00 ,  C09J11/06 ,  C09J7/00

CPC classification number: C09J11/02 ,  C09J5/00 ,  C09J5/06 ,  C09J11/06 ,  C09J2205/302 ,  Y10T156/1121 ,  Y10T156/1922

Abstract: 本发明的目的是提供在不使用光且不损伤粘附体的条件下可容易地完成剥离的粘合性物质、粘合性物质的剥离方法以及连接结构体。本发明是一种粘合性物质，是含有通过给予由超声波或/和碰撞产生的刺激而产生气体的气体发生剂的粘合性物质，所产生的气体被释放到粘合性物质之外，且放出的气体从粘附体上剥下接合面的一部分。