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公开(公告)号：CN115651638B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202211580432.5
申请日：2022-12-10
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种具有一维核壳异质结构的PN结CdSe/PbS/CdS量子阱材料及其制备方法，由硒化镉材料和硫化镉材料包裹硫化铅材料所组成的核壳结构材料，以硒化镉为核，以硫化铅为中间层，再以硫化镉为壳，通过制备有机前驱体、热注入法、高温合成与退火、纯化等工艺，制备出核壳异质结构CdSe/PbS/CdS量子阱材料。本发明运用热注入法制备具有核壳异质结构CdSe/PbS/CdS量子阱材料，过程清晰明了，操作便于控制，所制备的具有N‑P‑N异质结型的材料，相比于其他的量子点具有更优异的量子效率、良好的光学特性、可调的激发波长，在量子点的照明、光电探测、显示技术等材料领域有巨大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN115873598A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211580428.9
申请日：2022-12-10
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种具有纳米立方体结构的PN结ZnS/Cu2Se/ZnS量子阱光电材料及其制备方法，在立方形ZnS种子的基础上，通过热注入法和两步法合成ZnS/Cu2Se/ZnS立方体量子阱结构，最终形成的是由ZnS核和外壳包覆Cu2Se中间层的立方体结构。通过制备有机前驱体、热注入法、高温合成与退火、纯化等工艺，制备出立方体结构ZnS/Cu2Se/ZnS量子阱材料。本发明运用热注入法和两步法制备具有立方体结构ZnS/Cu2Se/ZnS量子阱材料，实施简易，便于控制，该材料在能带上具有Ⅰ型结构，所以拥有高的量子效率、良好的光学特性、结构稳定性，在量子点的照明、显示等材料领域有巨大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN115651638A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211580432.5
申请日：2022-12-10
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种具有一维核壳异质结构的PN结CdSe/PbS/CdS量子阱材料及其制备方法，由硒化镉材料和硫化镉材料包裹硫化铅材料所组成的核壳结构材料，以硒化镉为核，以硫化铅为中间层，再以硫化镉为壳，通过制备有机前驱体、热注入法、高温合成与退火、纯化等工艺，制备出核壳异质结构CdSe/PbS/CdS量子阱材料。本发明运用热注入法制备具有核壳异质结构CdSe/PbS/CdS量子阱材料，过程清晰明了，操作便于控制，所制备的具有N‑P‑N异质结型的材料，相比于其他的量子点具有更优异的量子效率、良好的光学特性、可调的激发波长，在量子点的照明、光电探测、显示技术等材料领域有巨大的应用潜力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115873593B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202211580456.0
申请日：2022-12-10
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种球型核壳结构的CdS/Cu2S/CdS量子阱材料及制备方法，其是以硫化镉为核，以硫化亚铜为中间层，再利用硫化镉为壳进行包覆，组成的一种球型壳核结构材料。本发明运用热注入法和连续离子层法进行制备，其方便可行，便于控制，所制备的材料具有连续的PN异质结构，优异的外壳深阱结构，拥有着高量子效率、良好的电子空穴束缚特性，在量子点的固体照明、led显示、光电探测等领域有巨大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN115873598B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202211580428.9
申请日：2022-12-10
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种具有纳米立方体结构的PN结ZnS/Cu2Se/ZnS量子阱光电材料及其制备方法，在立方形ZnS种子的基础上，通过热注入法和两步法合成ZnS/Cu2Se/ZnS立方体量子阱结构，最终形成的是由ZnS核和外壳包覆Cu2Se中间层的立方体结构。通过制备有机前驱体、热注入法、高温合成与退火、纯化等工艺，制备出立方体结构ZnS/Cu2Se/ZnS量子阱材料。本发明运用热注入法和两步法制备具有立方体结构ZnS/Cu2Se/ZnS量子阱材料，实施简易，便于控制，该材料在能带上具有Ⅰ型结构，所以拥有高的量子效率、良好的光学特性、结构稳定性，在量子点的照明、显示等材料领域有巨大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN115873593A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211580456.0
申请日：2022-12-10
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种球型核壳结构的CdS/Cu2S/CdS量子阱材料及制备方法，其是以硫化镉为核，以硫化亚铜为中间层，再利用硫化镉为壳进行包覆，组成的一种球型壳核结构材料。本发明运用热注入法和连续离子层法进行制备，其方便可行，便于控制，所制备的材料具有连续的PN异质结构，优异的外壳深阱结构，拥有着高量子效率、良好的电子空穴束缚特性，在量子点的固体照明、led显示、光电探测等领域有巨大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN115746854A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211580431.0
申请日：2022-12-10
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种立方型纳米PN结SnSe/ZnSe/SnSe/ZnSe多阱核壳量子阱材料及制备方法，由硒化锌材料和硒化锡材料交替包覆所组成的立方形核壳结构量子阱材料，以P型材料硒化锡为核，以N型材料硒化锌为壳，以P型材料硒化锡为第二阱层，再以N型材料硒化锌为壳。通过制备有机前驱体、热注入法、高温合成与退火、纯化等工艺，制备出立方型SnSe/ZnSe/SnSe/ZnSe多阱核壳量子阱材料。本发明运用热注入法制备具有立方型形貌的多阱核壳量子阱材料，方法便于控制，所制备的材料具有高量子效率、特殊的形貌结构、良好的结构稳定性，在太阳能电池、照明、显示等材料领域有巨大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN115746854B
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202211580431.0
申请日：2022-12-10
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种立方型纳米PN结SnSe/ZnSe/SnSe/ZnSe多阱核壳量子阱材料及制备方法，由硒化锌材料和硒化锡材料交替包覆所组成的立方形核壳结构量子阱材料，以P型材料硒化锡为核，以N型材料硒化锌为壳，以P型材料硒化锡为第二阱层，再以N型材料硒化锌为壳。通过制备有机前驱体、热注入法、高温合成与退火、纯化等工艺，制备出立方型SnSe/ZnSe/SnSe/ZnSe多阱核壳量子阱材料。本发明运用热注入法制备具有立方型形貌的多阱核壳量子阱材料，方法便于控制，所制备的材料具有高量子效率、特殊的形貌结构、良好的结构稳定性，在太阳能电池、照明、显示等材料领域有巨大的应用潜力。
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