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公开(公告)号：CN108920845B
公开(公告)日：2023-02-21
申请号：CN201810734873.3
申请日：2018-07-06
Applicant: 福州大学
IPC: G06F30/367 , H01L29/775
Abstract: 本发明涉及一种实现氧化锌线状晶体管电导可调的方法，其特征在于：所述氧化锌线状晶体管包括重掺硅/二氧化硅衬底、氧化锌线状介质以及一对钛电极；所述氧化锌线状晶体管电导可调的方法包括以下步骤：设氧化锌线状晶体管的阈值电压为VG1，某一栅极电压下的电导状态为C1；对氧化锌线状晶体管的栅极施加‑V1~V2范围的扫描电压，使氧化锌线状晶体管的阈值电压变为VG2，可以获得该栅压下的第2电导状态C2；对氧化锌线状晶体管的栅极施加‑V1~Vi范围的扫描电压，使氧化锌线状晶体管的阈值电压变为VGi，可以获得该栅压下的第i电导状态Ci。通过本发明可以对具有良好的电导调节特性氧化锌线状晶体管，获得在同一栅极电压下不同的电导状态。
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公开(公告)号：CN107123735A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201710311507.2
申请日：2017-05-05
Applicant: 福州大学
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625
Abstract: 本发明涉及一种低功耗柔性透明电子突触器件及其制备方法，包括衬底、设置于衬底上的底部电极、设置于底部电极上的介质层以及设置于介质层上的顶部电极，所述介质层与底部电极和顶部电极均有良好的电接触。本发明的有益效果在于：本发明柔性透明且结构简单，其叠层结构导致的功耗低有利于高密度集成，使得透明电子突触器件三维拓扑网络成为可能。
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公开(公告)号：CN106098936A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610591480.2
申请日：2016-07-26
Applicant: 福州大学
CPC classification number: H01L45/04 , G11C13/0009 , H01L45/16
Abstract: 本发明涉及一种忆阻器及增强其电子突触功能的方法，该忆阻器包括：一衬底；一第一端电极，设置于衬底上；一经等离子处理的氧化物介质，设置于所述第一端电极的右侧或上方；一第二端电极，若所述氧化物介质设置于所述第一端电极的右侧，则所述第二端电极设置于所述氧化物介质的右侧；若所述氧化物介质设置于所述第一端电极的上方，则所述第二端电极设置于所述氧化物介质的上方。本发明通过等离子处理氧化物介质，增强了突触权重变化率的重现性和调节范围，从而提升突触性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108920845A
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201810734873.3
申请日：2018-07-06
Applicant: 福州大学
IPC: G06F17/50 , H01L29/775
Abstract: 本发明涉及一种实现氧化锌线状晶体管电导可调的方法，其特征在于：所述氧化锌线状晶体管包括重掺硅/二氧化硅衬底、氧化锌线状介质以及一对钛电极；所述氧化锌线状晶体管电导可调的方法包括以下步骤：设氧化锌线状晶体管的阈值电压为VG1，某一栅极电压下的电导状态为C1；对氧化锌线状晶体管的栅极施加-V1~V2范围的扫描电压，使氧化锌线状晶体管的阈值电压变为VG2，可以获得该栅压下的第2电导状态C2；对氧化锌线状晶体管的栅极施加-V1~Vi范围的扫描电压，使氧化锌线状晶体管的阈值电压变为VGi，可以获得该栅压下的第i电导状态Ci。通过本发明可以对具有良好的电导调节特性氧化锌线状晶体管，获得在同一栅极电压下不同的电导状态。
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公开(公告)号：CN106098936B
公开(公告)日：2018-12-25
申请号：CN201610591480.2
申请日：2016-07-26
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种忆阻器及增强其电子突触功能的方法，该忆阻器包括：一衬底；一第一端电极，设置于衬底上；一经等离子处理的氧化物介质，设置于所述第一端电极的右侧或上方；一第二端电极，若所述氧化物介质设置于所述第一端电极的右侧，则所述第二端电极设置于所述氧化物介质的右侧；若所述氧化物介质设置于所述第一端电极的上方，则所述第二端电极设置于所述氧化物介质的上方。本发明通过等离子处理氧化物介质，增强了突触权重变化率的重现性和调节范围，从而提升突触性能。
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公开(公告)号：CN108933178A
公开(公告)日：2018-12-04
申请号：CN201810734872.9
申请日：2018-07-06
Applicant: 福州大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/263
Abstract: 本发明涉及一种包括重掺硅/二氧化硅衬底，氧化物线状介质、源电极和漏电极；所述重掺硅/二氧化硅衬底，重掺硅作为栅极；所述氧化物线状介质设置于重掺硅/二氧化硅衬底上方，作为导电沟道；所述源电极和漏电极分别设置于氧化物线状介质的两端，并与重掺硅/二氧化硅衬底形成电接触。本发明经等离子处理后增强了其电阻调节线性度，减少了转变过程的权重遗失，使得该器件更有利于作为电子突触使用。
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公开(公告)号：CN108933178B
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201810734872.9
申请日：2018-07-06
Applicant: 福州大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/263
Abstract: 本发明涉及一种包括重掺硅/二氧化硅衬底，氧化物线状介质、源电极和漏电极；所述重掺硅/二氧化硅衬底，重掺硅作为栅极；所述氧化物线状介质设置于重掺硅/二氧化硅衬底上方，作为导电沟道；所述源电极和漏电极分别设置于氧化物线状介质的两端，并与重掺硅/二氧化硅衬底形成电接触。本发明经等离子处理后增强了其电阻调节线性度，减少了转变过程的权重遗失，使得该器件更有利于作为电子突触使用。
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公开(公告)号：CN106098935A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610522488.3
申请日：2016-07-06
Applicant: 福州大学
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/1253 , H01L45/145 , H01L45/1625
Abstract: 本发明涉及一种低功耗氧化物线状忆阻器及实现其电子突触功能的方法，该氧化物线状忆阻器包括：衬底；第一端电极，设置于衬底上，并与衬底形成良好电接触；氧化物线状介质，设置于第一端电极旁侧；第二端电极，对应设置于氧化物线状介质旁侧，该氧化物线状忆阻器在低功耗下具有良好的阻变性能且通过特定的激发方式可以在低功耗下实现电子突触功能。
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