公开(公告)号：CN117166142A

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202311126051.4

申请日：2023-09-04

Applicant: 福州大学

Inventor： 朱敏敏 ,  任富莹 ,  杨丹 ,  张海忠

IPC: D04H1/728 ,  D04H1/4318 ,  D01F1/10 ,  D01F6/48 ,  D04H1/4382 ,  D01D5/00

Abstract: 本发明提供一种BNQDs/P（VDF‑TrFE）纳米纤维膜及其制备方法。所述的纳米纤维膜由氮化硼量子点（BNQDs）和聚（偏氟乙烯‑三氟乙烯）（P（VDF‑TrFE））构成。制备方法包括采用超声辅助液相剥离法和溶剂热法合成了尺寸可控的BNQDs；利用静电纺丝技术将具有大量陷阱态的BNQDs引入到P（VDF‑TrFE）纳米纤维膜中。该发明中，BNQDs的加入使复合材料纳米纤维膜的杨氏模量相比原复合材料提高了160.0%，拉伸性能提高了120%。这主要是由于BNQDs中大量的陷阱态使得其光响应性提高了847.8%。所制备的BNQDs/P（VDF‑TrFE）纳米纤维膜可用于制造先进的可伸缩光电子器件。

公开(公告)号：CN116887600A

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN202311008423.3

申请日：2023-08-11

Applicant: 福州大学

Inventor： 朱敏敏 ,  江海涛 ,  杨丹

IPC: H10B69/00

Abstract: 本发明涉及一种基于高纹理性六方氮化硼的非易失性存储器及其制备方法。该存储器包括衬底、功能层及电极，本发明还公开其制备方法，在氩气和氮气的混合气氛下，采用高功率脉冲磁控溅射在衬底表面区域沉积六方氮化硼薄膜功能层，然后采用直流溅射在功能层表面形成金电极。本发明解决了现有非易失性存储器散热不良的问题，为实现可靠的柔性可穿戴式存储器件提供了新的方案。

公开(公告)号：CN119208358A

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202411324313.2

申请日：2024-09-23

Applicant: 福州大学

Inventor： 朱敏敏 ,  马豪威 ,  杨丹 ,  张海忠

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/872 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明提出场限环终端结构下的高压氧化镓肖特基二极管，包括自下而上顺序层叠设置的阴极金属层（1）、高掺杂N型氧化镓衬底（2）、低掺杂N型氧化镓外延层（3）、阳极金属层（4）；所述阳极金属层与低掺杂N型氧化镓外延层顶部处的主结（5）相接；低掺杂N型氧化镓外延层顶部处还设有若干个场限环（6）；本发明简化了工艺步骤，使其能够有效地工业生产，本发明的器件设计缓解了终端区的电场拥挤现象，改善电场分布，进一步提高了氧化镓SBD器件的耐压性能和器件的可靠性。在该结构下，器件的击穿电压得到了大幅提升且只略微提高特征导通电阻，最终实现了高的PFOM值。

公开(公告)号：CN119275584A

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN202411432574.6

申请日：2024-10-14

Applicant: 福州大学

Inventor： 朱敏敏 ,  梁千年 ,  杨丹 ,  张海忠

IPC: H01Q15/00

Abstract: 本发明涉及一种基于氧化镓和石墨烯的可调谐超表面吸收器，器件由多个单元结构周期阵列组成，所述单元结构包括自下而上依次设置的衬底、金属反射层、中间介质层、金属阵列和石墨烯层，所述中间介质层的材料为氧化镓，所述金属阵列厚度相同，结构参数根据不同功能进行设置。该器件能够实现单波长吸收、多波长吸收以及带宽吸收。

公开(公告)号：CN117055244A

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN202311168979.9

申请日：2023-09-12

Applicant: 福州大学

Inventor： 朱敏敏 ,  魏灿 ,  杨丹

IPC: G02F1/03 ,  G02F1/035 ,  G02F1/00

Abstract: 本发明公开了一种低电压驱动的薄膜电光调制器及其制备方法，该调制器采用阳离子掺杂的钛酸钡薄膜作为电光调制器的波导层材料，所述阳离子掺杂的钛酸钡薄膜相对于纯钛酸钡薄膜及其他薄膜材料具有更大的电光系数，故可以在低驱动电压下实现高效的光调制。此外，本发明还提供一种新的合成和致密工艺，用于制备掺杂的钙钛矿氧化物，从而可以精确控制其微观结构、介电、光学和电光特性。最后，通过优化波导器件的结构尺寸，进一步降低了调制器的驱动电压。本发明为获得低驱动电压光调制器提供了新的解决方案，有望推动光通信、显示技术和光电子学等领域的进步和发展。

公开(公告)号：CN117144361A

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202311126312.2

申请日：2023-09-04

Applicant: 福州大学

Inventor： 朱敏敏 ,  赵安文 ,  杨丹 ,  张海忠

IPC: C23C28/00 ,  C23C16/26 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C23C16/06 ,  C23C14/30 ,  C23C14/18 ,  C22C18/00

Abstract: 本发明公开了一种碳纳米管与SnZn合金集成以实现可控热管理的方法。该方法采用原子层沉积技术(ALD)在含SiO2氧化层的硅晶片上制备了铁及氧化铝薄膜作为碳纳米管生长的催化剂，然后采用化学气相沉积技术(CVD)，以铁/氧化铝为催化剂，在硅晶圆上制备碳纳米管晶圆阵列。该方法可以控制碳纳米管的薄膜微观结构、介电常数以及其他电学性能等特点。同时利用碳纳米管与SnZn合金集成，成功地实现了工作温度从200℃到400℃的控制。本发明给出了碳纳米管从催化剂制备到薄膜生长的完整流程以及将碳纳米管与SnZn合金集成以实现可控热管理的方法，可用于基于碳纳米管复合材料且具有宽范围工作温度要求的器件制造。