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公开(公告)号：CN116887600A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202311008423.3
申请日：2023-08-11
Applicant: 福州大学
Inventor： 朱敏敏 , 江海涛 , 杨丹
IPC: H10B69/00
Abstract: 本发明涉及一种基于高纹理性六方氮化硼的非易失性存储器及其制备方法。该存储器包括衬底、功能层及电极，本发明还公开其制备方法，在氩气和氮气的混合气氛下，采用高功率脉冲磁控溅射在衬底表面区域沉积六方氮化硼薄膜功能层，然后采用直流溅射在功能层表面形成金电极。本发明解决了现有非易失性存储器散热不良的问题，为实现可靠的柔性可穿戴式存储器件提供了新的方案。
