公开(公告)号：CN105174926A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201510591935.6

申请日：2015-09-17

Applicant: 福州大学

Inventor： 李凌云 ,  孙李珍 ,  于岩 ,  杨志锋 ,  张晓斌

IPC: C04B35/16 ,  C04B35/50 ,  C04B35/626

Abstract: 本发明公开了一种高致密度LaBSiO5粉体的制备方法，包括以下步骤：以La2O3，H3BO3和SiO2(白色粉末)为原料，以NaF作为助熔剂，通过掺杂CaCO3，在1000℃下经过二次烧结得到高致密的LaBSiO5粉体。该方法通过向LaBSiO5中掺杂Ca2+离子，调节LaBSiO5烧结过程中晶界移动的速度以排除气孔，同时还促进了晶粒之间的继续生长，最终得到致密化的LaBSiO5多晶结构。Ca2+离子与La3+离子之间半径相近，Ca2+离子的掺杂不会改变LaBSiO5的物相。

公开(公告)号：CN105236438A

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201510591982.0

申请日：2015-09-17

Applicant: 福州大学

Inventor： 李凌云 ,  孙李珍 ,  于岩 ,  杨志锋 ,  张晓斌

IPC: C01B35/08

Abstract: 本发明公开了一种LaBSiO5粉体的制备方法，包括以下步骤：以分析纯级别的La2O3，H3BO3和SiO2(白色粉末)为原料，1~4%摩尔浓度的NaF作为助熔剂，在1000℃下经过二次烧结得到纯的LaBSiO5粉体。该方法引入NaF作为助溶剂，对LaBSiO5晶体的稳定生长机制的研究至关重要，纯相LaBSiO5粉体的合成所需烧结温度较现有的固相合成技术低，在空气气氛中常压状态下就可完成，不需要保护气氛，制备条件不苛刻且产物质量稳定，重复性强，适合于大规模生产。