公开(公告)号：CN111952470A

公开(公告)日：2020-11-17

申请号：CN202010828294.2

申请日：2020-08-18

Applicant: 福州大学

Inventor： 杨尊先 ,  郭太良 ,  叶雨亮 ,  杨保用 ,  邱荧琳 ,  郑康 ,  陈恩果 ,  周雄图 ,  李福山 ,  余路成

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/54 ,  H01L51/56 ,  H01L51/00

Abstract: 本发明涉及一种掺杂了二氧化硅的CdSe量子点及发光二极管器件的制作方法，首先在ITO玻璃上，在经过对ITO导电玻璃的清洁和臭氧处理之后，利用旋涂工艺在ITO薄膜之上制备PEDOT：PSS层，而后在依次旋涂得到TFB层、CdSe量子点发光层、ZnO电子传输层以及二氧化硅电极，其中的量子点层中特别使用了经过硅烷偶联剂KH550和十八酸改性后的二氧化硅纳米颗粒进行掺杂，最终形成一种掺杂了二氧化硅的CdSe量子点及发光二极管器件。本发明薄膜通过二氧化硅纳米颗粒对CdSe掺杂，保证了在量子点的间隙之间被填充，减少了电子空穴通过该间隙进行复合的可能，在保证载流子浓度的情况下，提高了器件的性能。

公开(公告)号：CN111952470B

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN202010828294.2

申请日：2020-08-18

Applicant: 福州大学

Inventor： 杨尊先 ,  郭太良 ,  叶雨亮 ,  杨保用 ,  邱荧琳 ,  郑康 ,  陈恩果 ,  周雄图 ,  李福山 ,  余路成

IPC: H10K50/115 ,  H10K85/10 ,  H10K71/00 ,  H10K71/12

Abstract: 本发明涉及一种掺杂了二氧化硅的CdSe量子点及发光二极管器件的制作方法，首先在ITO玻璃上，在经过对ITO导电玻璃的清洁和臭氧处理之后，利用旋涂工艺在ITO薄膜之上制备PEDOT：PSS层，而后在依次旋涂得到TFB层、CdSe量子点发光层、ZnO电子传输层以及二氧化硅电极，其中的量子点层中特别使用了经过硅烷偶联剂KH550和十八酸改性后的二氧化硅纳米颗粒进行掺杂，最终形成一种掺杂了二氧化硅的CdSe量子点及发光二极管器件。本发明薄膜通过二氧化硅纳米颗粒对CdSe掺杂，保证了在量子点的间隙之间被填充，减少了电子空穴通过该间隙进行复合的可能，在保证载流子浓度的情况下，提高了器件的性能。

公开(公告)号：CN111952476A

公开(公告)日：2020-11-17

申请号：CN202010829320.3

申请日：2020-08-18

Applicant: 福州大学

Inventor： 杨尊先 ,  郭太良 ,  叶雨亮 ,  徐雷 ,  黄建华 ,  陈恩果 ,  吴朝兴 ,  陈耿旭 ,  李福山 ,  余路成

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/52 ,  H01L51/56 ,  H01L51/00

Abstract: 本发明涉及一种CdSe量子点发光二极管器件的制备方法，包括以下步骤：选取ITO玻璃作为发光二极管的衬底；旋涂PEDOT：PSS溶液，退火干燥形成薄膜；配置空穴传输层前驱体溶液，并旋涂在PEDOT：PSS混合溶液膜层上，形成空穴传输层；配置CdSe量子点溶液并旋涂在空穴传输层上，形成CdSe量子点发光中心层；配置氧化石墨烯的乙二醇溶液并旋涂在量子点发光中心层上；配置ZnO溶液并旋涂在氧化石墨烯膜层上，形成氧化锌的电子传输层；将银蒸镀到样片上，形成银电极，制得使用氧化石墨烯平衡载流子注入的CdSe量子点发光二极管。该方法不仅在降低量子点层缺陷的同时提高了器件的性能，而且制备工艺简单，制作成本低。

公开(公告)号：CN111952468B

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202010828202.0

申请日：2020-08-18

Applicant: 福州大学

Inventor： 杨尊先 ,  郭太良 ,  叶雨亮 ,  徐雷 ,  张玉飞 ,  周雄图 ,  陈耿旭 ,  陈恩果 ,  余路成

IPC: H10K50/115 ,  H10K71/12

Abstract: 本发明提出一种基于量子点反溶剂去除发光层中有机物量子点发光二极管及其制备方法，包括：衬底以及设置在所述衬底上的：空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极；所述量子点发光层通过量子点与有机物混合旋涂制备。本发明制备方法新颖，制作成本低，制备工艺简单，其通过在量子点层上旋涂量子点反溶剂去除部分有机物，使得量子点与功能层接触良好的同时有效阻挡了电子传输层和空穴传输层的直接接触，减小了漏电流，使得电子和空穴在量子点层实现了有效的复合，抑制了俄歇复合的发生。可使量子点发光二极管的寿命以及性能大大提高。

公开(公告)号：CN111952468A

公开(公告)日：2020-11-17

申请号：CN202010828202.0

申请日：2020-08-18

Applicant: 福州大学

Inventor： 杨尊先 ,  郭太良 ,  叶雨亮 ,  徐雷 ,  张玉飞 ,  周雄图 ,  陈耿旭 ,  陈恩果 ,  余路成

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/56 ,  H01L51/00

Abstract: 本发明提出一种基于量子点反溶剂去除发光层中有机物量子点发光二极管及其制备方法，包括：衬底以及设置在所述衬底上的：空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极；所述量子点发光层通过量子点与有机物混合旋涂制备。本发明制备方法新颖，制作成本低，制备工艺简单，其通过在量子点层上旋涂量子点反溶剂去除部分有机物，使得量子点与功能层接触良好的同时有效阻挡了电子传输层和空穴传输层的直接接触，减小了漏电流，使得电子和空穴在量子点层实现了有效的复合，抑制了俄歇复合的发生。可使量子点发光二极管的寿命以及性能大大提高。