公开(公告)号：CN115776823A

公开(公告)日：2023-03-10

申请号：CN202211580096.4

申请日：2022-12-10

Applicant: 福州大学

Inventor： 杨尊先 ,  郭太良 ,  周元庆 ,  伍文博 ,  曾志伟 ,  孟宗羿 ,  叶芸 ,  张永爱 ,  陈恩果 ,  周雄图

IPC: H10K50/115 ,  H10K71/12 ,  H10K71/40 ,  C09K11/88 ,  C09K11/02 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种基于纳米板异质结构CdS/CdTe/CdS量子阱发光层的QWLED及其制备方法，以硫化镉为种子，采用核‑种子侧向壳生长的方法获得碲化镉冠区，然后再用相同的方法在碲化镉上得到硫化镉平面的量子阱材料为发光层，制备的包含有机空穴传输层、无机电子传输层、核壳量子阱发光层的LED器件，本发明运用热注入法制备具有纳米板异质结构CdS/CdTe/CdS量子阱材料，并展示了一种量子阱LED制备方法，核壳量子阱结构新颖，PN结材料性能优异，器件结构稳定高效，制备的量子阱材料具有连续的PN异质结构、高量子效率、良好的光学特性、结构稳定性，所制备的量子阱LED器件具备优异的电致发光效率和外量子效率。

公开(公告)号：CN115776823B

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202211580096.4

申请日：2022-12-10

Applicant: 福州大学

Inventor： 杨尊先 ,  郭太良 ,  周元庆 ,  伍文博 ,  曾志伟 ,  孟宗羿 ,  叶芸 ,  张永爱 ,  陈恩果 ,  周雄图

IPC: H10K50/115 ,  H10K71/12 ,  H10K71/40 ,  C09K11/88 ,  C09K11/02 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种基于纳米板异质结构CdS/CdTe/CdS量子阱发光层的QWLED及其制备方法，以硫化镉为种子，采用核‑种子侧向壳生长的方法获得碲化镉冠区，然后再用相同的方法在碲化镉上得到硫化镉平面的量子阱材料为发光层，制备的包含有机空穴传输层、无机电子传输层、核壳量子阱发光层的LED器件，本发明运用热注入法制备具有纳米板异质结构CdS/CdTe/CdS量子阱材料，并展示了一种量子阱LED制备方法，核壳量子阱结构新颖，PN结材料性能优异，器件结构稳定高效，制备的量子阱材料具有连续的PN异质结构、高量子效率、良好的光学特性、结构稳定性，所制备的量子阱LED器件具备优异的电致发光效率和外量子效率。

公开(公告)号：CN115734634A

公开(公告)日：2023-03-03

申请号：CN202211580087.5

申请日：2022-12-10

Applicant: 福州大学

Inventor： 杨尊先 ,  郭太良 ,  周元庆 ,  伍文博 ,  曾志伟 ,  孟宗羿 ,  叶芸 ,  张永爱 ,  陈恩果 ,  周雄图

IPC: H10K50/115 ,  H10K71/12 ,  H10K71/40 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C09K11/88

Abstract: 本发明公开了一种基于立方型核壳多阱量子阱发光层的QLED器件及其制备方法，由以P型材料硒化锡为核，以N型材料硒化锌为壳，以P型材料硒化锡为第二阱层，再以N型材料硒化锌为壳的立方型SnSe/ZnSe/SnSe/ZnSe多阱核壳量子阱为发光层，制备的包含有机空穴传输层、无机电子传输层、发光层的LED器件。本发明运用热注入法制备具有立方型SnSe/ZnSe/SnSe/ZnSe多阱核壳量子阱材料，其结构新颖，发光层形貌优异规整，器件结构稳定高效，所制备的量子阱材料具有连续的PN异质结构、立方形貌、良好的结构稳定性，所制备的量子阱LED器件具备优异的电致发光效率和外量子效率。