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公开(公告)号：CN103441148B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201310350487.1
申请日：2013-08-13
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/872 , H01L29/40
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L29/407 , H01L29/41766 , H01L29/42368 , H01L29/7806
Abstract: 一种集成肖特基二极管的槽栅VDMOS器件，属于半导体器件技术领域。本发明在常规槽栅VDMOS器件槽栅结构两侧的漂移区中分别增加一个有肖特基结金属和体电极导电材料构成的附加结构；其中肖特基结金属上与源极金属接触，下与体电极导电材料接触，其余下表面和侧面部分与漂移区相接触形成肖特基结；体电极导电材料的侧面和底面与漂移区之间隔着一层介质层。本发明与具有相同尺寸的传统槽栅VDMOS器件相比可以在相同的击穿电压下，采用更高的漂移区掺杂浓度，因而导通电阻有明显的降低，同时二极管反向恢复特性有明显的改善。
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公开(公告)号：CN103280775B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201310263167.2
申请日：2013-06-27
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
IPC: H02H7/20
Abstract: 本发明涉及绝缘栅双极型晶体管(IGBT)驱动控制技术，特别涉及IGBT并联输出动态延时过流保护电路。本发明针对现有技术IGBT并联使用时的过流保护问题，公开了一种IGBT并联输出动态延时过流保护电路，根据过流电流的大小动态调整延迟时间。本发明的技术方案是，绝缘栅双极型晶体管并联输出动态延时过流保护电路，由N个模块并联组成，N为整数，N≥2；其中每个模块包括：电流变化采样单元、电流还原单元、过流承受时间计算单元、固定关断时间控制单元、驱动单元和IGBT，每个模块的IGBT集电极通过负载与电源连接。本发明的过流保护抗干扰能力强，不会误关断，过流信号解除后，自动恢复正常工作，易于小型化和集成化。
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公开(公告)号：CN106030811B
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201380082039.6
申请日：2013-12-30
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 一种功率半导体器件纵向超结漂移区结构的制作方法，涉及半导体技术，制作方法包括：以P+单晶硅片为衬底(11)，首先在P+单晶硅衬底(11)表面外延生长P型层(12)，然后在P型层(12)表面通过外延或离子注入并推阱形成一层N型层(13)，其中P型层(12)是超结部分的耐压层，N型层(13)是器件正面MOS部分的形成区域，在器件正面工艺完成后进行背面减薄，通过背面氢离子的多次选择性注入以及低温退火，形成超结结构中的N柱区(25)。本发明的有益效果为，制作方法简单，降低了制造工艺难度，减少了制造成本，尤其适用于功率半导体器件纵向超结漂移区结构的制作。
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公开(公告)号：CN106030811A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201380082039.6
申请日：2013-12-30
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/0634 , H01L21/263 , H01L21/26506 , H01L21/26513 , H01L21/324 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/66333 , H01L29/66712 , H01L29/7395 , H01L29/7802
Abstract: 一种功率半导体器件纵向超结漂移区结构的制作方法，涉及半导体技术，制作方法包括：以P+单晶硅片为衬底(11)，首先在P+单晶硅衬底(11)表面外延生长P型层(12)，然后在P型层(12)表面通过外延或离子注入并推阱形成一层N型层(13)，其中P型层(12)是超结部分的耐压层，N型层(13)是器件正面MOS部分的形成区域，在器件正面工艺完成后进行背面减薄，通过背面氢离子的多次选择性注入以及低温退火，形成超结结构中的N柱区(25)。本发明的有益效果为，制作方法简单，降低了制造工艺难度，减少了制造成本，尤其适用于功率半导体器件纵向超结漂移区结构的制作。
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公开(公告)号：CN103311315B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201310179865.4
申请日：2013-05-15
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
IPC: H01L29/861 , H01L29/08
Abstract: 具有肖特基接触终端的快恢复二极管，属于功率半导体器件技术领域。本发明在传统快恢复二极管的基础上，将等位环接触金属改为肖特基接触金属，减小了过渡区处的注入效率，优化了终端部分载流子分布，减小了关断损耗，提高了反向恢复过程中的可靠性。本发明适用于从小功率到大功率的半导体功率器件和功率集成电路领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103258848B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201310175984.2
申请日：2013-05-13
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
IPC: H01L29/739 , H01L29/36 , H01L21/331
Abstract: 一种具有正温度系数发射极镇流电阻（EBR）的IGBT器件，属于功率半导体器件技术领域。常规EBR结构的IGBT器件中，发射极镇流电阻由距离发射极接触区较远的条状N+发射区条构成，其电阻值通常呈现负温度系数，即：温度越高，电阻值越小，IGBT的饱和电流增大，器件短路能力在高温环境下将显著减弱。本发明通过在N+发射区里面深能级受主杂质（包括In、Ti、Co或Ni），使得深能级受主杂质电离后产生的空穴对N型杂质具有一定的补偿作用，以提高增大EBR电阻，这样就实现了正温度系数的发射极镇流电阻，使得IGBT器件随温度升高，发射极镇流电阻增大，提高IGBT的短路和抗闩锁能力。
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公开(公告)号：CN103258847B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201310168350.4
申请日：2013-05-09
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 一种双面场截止带埋层的RB-IGBT器件，属于功率半导体器件技术领域。本发明在常规RB-IGBT结构的基础上，通过在P型基区和N漂移区之间，N—漂移区与P+集电区之间同时引入N型FS(Field Stop)场截止层，同时在正面场截止层下方和背面场截止层上方同时引入了P型埋层，在满足器件耐压要求的条件下，通过减薄器件厚度将器件的电场由三角形转变为梯形分布。漂移区载流子浓度分布的优化增强器件体内的电导调制，降低了器件的正向导通压降和关断损耗。
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公开(公告)号：CN103280979A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201310262965.3
申请日：2013-06-27
Applicant: 电子科技大学
IPC: H02M3/337
Abstract: 本发明涉及开关电源技术。本发明公开了一种推挽输出开关电源，解决了工作在电压控制模式下的推挽输出开关电源磁通不平衡问题。本发明的推挽输出开关电源，包括脉宽调制控制单元、第一误差放大单元、第二误差放大单元、第一开关器件、第二开关器件、推挽输出变压器和均值求差单元。本发明通过控制第一开关器件和第二开关器件的导通时间，减小伏秒数较大的初级半绕组的导通时间，增大伏秒数较小的初级半绕组的导通时间，使两个初级半绕组的伏秒数相等，实现对磁通平衡的控制。本发明的开关电源工作在电压控制模式下，不需要斜率补偿，不引入额外功耗，电路工作稳定。推挽输出变压器两个初级半绕组电流均衡，推挽输出变压器磁通平衡。
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公开(公告)号：CN103258848A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201310175984.2
申请日：2013-05-13
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/36 , H01L21/331
Abstract: 一种具有正温度系数发射极镇流电阻（EBR）的IGBT器件，属于功率半导体器件技术领域。常规EBR结构的IGBT器件中，发射极镇流电阻由距离发射极接触区较远的条状N+发射区条构成，其电阻值通常呈现负温度系数，即：温度越高，电阻值越小，IGBT的饱和电流增大，器件短路能力在高温环境下将显著减弱。本发明通过在N+发射区里面深能级受主杂质（包括In、Ti、Co或Ni），使得深能级受主杂质电离后产生的空穴对N型杂质具有一定的补偿作用，以提高增大EBR电阻，这样就实现了正温度系数的发射极镇流电阻，使得IGBT器件随温度升高，发射极镇流电阻增大，提高IGBT的短路和抗闩锁能力。
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公开(公告)号：CN103280973B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201310262642.4
申请日：2013-06-27
Applicant: 电子科技大学
IPC: H02M3/157
Abstract: 本发明涉及开关电源技术。本发明公开了一种电流模式控制的开关电源。本发明的技术方案主要包括RS锁存器、比较器、误差放大单元，斜率补偿单元、功率器件、驱动单元和电感，所述RS锁存器S端连接PWM信号，Q端连接驱动单元，所述比较器输出端连接RS锁存器的R端，比较器输入端分别连接采样电压和斜率补偿单元输出的补偿电压Vcp，所述误差放大单元输入端分别连接参考电压和输出电压的分压，所述功率器件通过电感与电源电压连接，还包括第一补偿信号计算单元和第二补偿信号计算单元。本发明采用最小斜率补偿电路进行斜率补偿，不但使补偿最小，并且随电路参数的变化保持最小补偿，本发明非常适合用于电流模式控制的开关电源。
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