公开(公告)号：CN101924107B

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN201010227112.2

申请日：2010-07-15

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 于奇 ,  宁宁 ,  应贤炜 ,  周炜捷 ,  蒋宾 ,  王勇

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/06 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L29/0653 ,  H01L21/823807 ,  H01L27/092 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/7849

Abstract: 本发明涉及应力增强的CMOS晶体管结构，一种具有应力增强特性的互补金属氧化物半导体CMOS晶体管结构，它的特征是在沟道下方引入应力集中因子40/42，从而增强沟道区的应力。该结构应与相关的应力引入方法配合使用，如双应力层技术，嵌入式源漏锗硅/碳硅技术等等，可大幅度提高沟道区引入的应力，从而提高CMOS晶体管的驱动电流。本发明制造工艺简单，不但适用于常规的90纳米工艺以下的小尺寸应变硅器件，还可将应变硅技术上推至0.18微米以上的较大尺寸器件。

公开(公告)号：CN101924107A

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN201010227112.2

申请日：2010-07-15

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 于奇 ,  宁宁 ,  应贤炜 ,  周炜捷 ,  蒋宾 ,  王勇

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/06 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L29/0653 ,  H01L21/823807 ,  H01L27/092 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/7849

Abstract: 本发明涉及应力增强的CMOS晶体管结构，一种具有应力增强特性的互补金属氧化物半导体CMOS晶体管结构，它的特征是在沟道下方引入应力集中因子40/42，从而增强沟道区的应力。该结构应与相关的应力引入方法配合使用，如双应力层技术，嵌入式源漏锗硅/碳硅技术等等，可大幅度提高沟道区引入的应力，从而提高CMOS晶体管的驱动电流。本发明制造工艺简单，不但适用于常规的90纳米工艺以下的小尺寸应变硅器件，还可将应变硅技术上推至0.18微米以上的较大尺寸器件。