公开(公告)号：CN110277443B

公开(公告)日：2021-02-12

申请号：CN201910573313.9

申请日：2019-06-28

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李泽宏 ,  孙肇峰 ,  赵一尚 ,  杨洋 ,  莫佳宁 ,  何云娇 ,  彭鑫

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L27/02

Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种具有PNP穿通三极管的沟槽栅IGBT器件，本发明在分立浮空pbody区内对称的沟槽介质层之间，通过P型第二集电区、N型第二基区与分立浮空pbody区形成PNP穿通型三极管；器件正向导通时，PNP三极管不发生穿通，并储存空穴增强电导调制，由N+多晶硅、P+多晶硅形成的二极管进一步减小泄露电流；关断时PNP三极管穿通，提供空穴泄放通道，降低关断时间，提高P‑base区域抗闩锁能力；同时沟槽介质层避免了PNP三极管发生闩锁，达到在不影响其他电学特性的情况下，降低了开关时间和开关损耗；器件处于阻断状态下，PNP三极管穿通，增加了器件耐压能力。

公开(公告)号：CN110265477B

公开(公告)日：2020-12-29

申请号：CN201910572446.4

申请日：2019-06-28

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李泽宏 ,  孙肇峰 ,  何云娇 ,  赵一尚 ,  莫佳宁 ,  杨洋 ,  贾鹏飞

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/739 ,  H01L27/06

Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种具有PNP穿通三极管的IGBT器件，P型第二集电区、N型第二基区与分立浮空Pbody区形成PNP三极管结构；器件正向导通时，PNP三极管结构不导通，并储存空穴增强电导调制，并通过在金属电极上串联的二极管进一步减小泄露电流；关断时PNP三极管穿通提供空穴泄放通道，降低关断时间，达到在不影响其他电学特性的情况下，降低了开关时间和开关损耗；器件处于阻断状态下，PNP三极管穿通，增加了器件耐压能力。

公开(公告)号：CN110265477A

公开(公告)日：2019-09-20

申请号：CN201910572446.4

申请日：2019-06-28

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李泽宏 ,  孙肇峰 ,  何云娇 ,  赵一尚 ,  莫佳宁 ,  杨洋 ,  贾鹏飞

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/739 ,  H01L27/06

Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种具有PNP穿通三极管的IGBT器件，P型第二集电区、N型第二基区与分立浮空Pbody区形成PNP三极管结构；器件正向导通时，PNP三极管结构不导通，并储存空穴增强电导调制，并通过在金属电极上串联的二极管进一步减小泄露电流；关断时PNP三极管穿通提供空穴泄放通道，降低关断时间，达到在不影响其他电学特性的情况下，降低了开关时间和开关损耗；器件处于阻断状态下，PNP三极管穿通，增加了器件耐压能力。

公开(公告)号：CN110148628A

公开(公告)日：2019-08-20

申请号：CN201910573447.0

申请日：2019-06-28

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李泽宏 ,  孙肇峰 ,  杨洋 ,  赵一尚 ,  莫佳宁 ,  何云娇 ,  彭鑫 ,  任敏 ,  高巍 ,  张金平 ,  张波

IPC: H01L29/739

Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种具有SCR结构的IGBT器件，本发明通过在分立浮空Pbody区内使第一N型区、P型区、第二N型区与P+浮空Pbody区形成SCR结构，器件正向导通时，SCR结构不导通，并储存空穴增强电导调制，并通过金属电极串联二极管进一步降低泄露电流；关断时提供空穴泄放通道，降低关断时间，达到在不影响其他电学特性的情况下，降低了开关时间和开关损耗；器件处于阻断状态下，SCR结构穿通，增加了器件耐压能力。

公开(公告)号：CN110277444B

公开(公告)日：2021-02-12

申请号：CN201910574377.0

申请日：2019-06-28

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李泽宏 ,  孙肇峰 ,  莫佳宁 ,  赵一尚 ,  杨洋 ,  何云娇 ,  彭鑫 ,  任敏 ,  高巍 ,  张金平 ,  张波

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L27/02

Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种具有SCR结构的沟槽栅IGBT器件，本发明在分立浮空Pbody区内的对称沟槽介质层之间，通过P型区、第一N型区、第二N型区与分立浮空Pbody区形成SCR结构；器件正向导通时，SCR结构不导通，并存储空穴增强电导调制，并在金属电极串联二极管，进一步减小泄露电流；关断时提供空穴泄放通道，降低关断时间，达到在不影响其他电学特性的情况下，降低了开关时间和开关损耗；器件处于阻断状态下，SCR结构穿通，增加了器件耐压能力。

公开(公告)号：CN110277444A

公开(公告)日：2019-09-24

申请号：CN201910574377.0

申请日：2019-06-28

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李泽宏 ,  孙肇峰 ,  莫佳宁 ,  赵一尚 ,  杨洋 ,  何云娇 ,  彭鑫 ,  任敏 ,  高巍 ,  张金平 ,  张波

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L27/02

Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种具有SCR结构的沟槽栅IGBT器件，本发明在分立浮空Pbody区内的对称沟槽介质层之间，通过P型区、第一N型区、第二N型区与分立浮空Pbody区形成SCR结构；器件正向导通时，SCR结构不导通，并存储空穴增强电导调制，并在金属电极串联二极管，进一步减小泄露电流；关断时提供空穴泄放通道，降低关断时间，达到在不影响其他电学特性的情况下，降低了开关时间和开关损耗；器件处于阻断状态下，SCR结构穿通，增加了器件耐压能力。

公开(公告)号：CN110148628B

公开(公告)日：2020-12-18

申请号：CN201910573447.0

申请日：2019-06-28

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李泽宏 ,  孙肇峰 ,  杨洋 ,  赵一尚 ,  莫佳宁 ,  何云娇 ,  彭鑫 ,  任敏 ,  高巍 ,  张金平 ,  张波

IPC: H01L29/739

Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种具有SCR结构的IGBT器件，本发明通过在分立浮空Pbody区内使第一N型区、P型区、第二N型区与P+浮空Pbody区形成SCR结构，器件正向导通时，SCR结构不导通，并储存空穴增强电导调制，并通过金属电极串联二极管进一步降低泄漏电流；关断时提供空穴泄放通道，降低关断时间，达到在不影响其他电学特性的情况下，降低了开关时间和开关损耗；器件处于阻断状态下，SCR结构穿通，增加了器件耐压能力。

公开(公告)号：CN110277443A

公开(公告)日：2019-09-24

申请号：CN201910573313.9

申请日：2019-06-28

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李泽宏 ,  孙肇峰 ,  赵一尚 ,  杨洋 ,  莫佳宁 ,  何云娇 ,  彭鑫

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L27/02

Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种具有PNP穿通三极管的沟槽栅IGBT器件，本发明在分立浮空pbody区内对称的沟槽介质层之间，通过P型第二集电区、N型第二基区与分立浮空pbody区形成PNP穿通型三极管；器件正向导通时，PNP三极管不发生穿通，并储存空穴增强电导调制，由N+多晶硅、P+多晶硅形成的二极管进一步减小泄露电流；关断时PNP三极管穿通，提供空穴泄放通道，降低关断时间，提高P-base区域抗闩锁能力；同时沟槽介质层避免了PNP三极管发生闩锁，达到在不影响其他电学特性的情况下，降低了开关时间和开关损耗；器件处于阻断状态下，PNP三极管穿通，增加了器件耐压能力。