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公开(公告)号：CN110460308A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201910755244.3
申请日：2019-08-15
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种宽范围的环形压控振荡器电路，包括电压转电流模块、稳定共模电压模块、环形振荡器模块和输出整形模块，环形振荡器模块受输入控制电压的控制产生充电电流，能够使输入控制电压与输出振荡信号的频率曲线保持良好的线性度；电压转电流模块用于产生电流控制信号控制振荡信号的振荡频率，采用轨到轨运放克服了MOS管对压控振荡器控制电压范围的限制，使电路在低压下能正常工作的同时仍保留了大的输入电压范围，增大了压控振荡器的电压调节范围和输出频率范围；稳定共模电压模块用于将环形振荡器模块的共模电压稳定为参考电压；输出整形模块用于将振荡信号的振幅扩展至轨对轨后输出，扩展了输出信号的摆幅，摆脱了尾电流源对输出信号摆幅的限制。
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公开(公告)号：CN110377096A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201910756675.1
申请日：2019-08-16
Applicant: 电子科技大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 高电源抑制比低温漂的带隙基准源，包括预稳压模块、预稳压启动模块、基准电流源模块、基准电流源启动模块、带隙基准核心模块和带隙基准核心启动模块，预稳压启动模块、基准电流源启动模块和带隙基准核心启动模块分别用于在上电时启动预稳压模块、基准电流源模块和带隙基准核心模块；预稳压模块用于产生局部电压为基准电流源模块、基准电流源启动模块、带隙基准核心模块和带隙基准核心启动模块供电，预稳压模块中结合自偏置带隙基准和翻转电压跟随器，提高了带隙基准源的电源抑制比；基准电流源模块用于产生内部基准电流，通过增添第三条电路改善带隙基准源的电源抑制比；带隙基准核心模块对温度高阶项进行分段线性补偿，具有低温漂的特性。
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公开(公告)号：CN108540121A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810333606.5
申请日：2018-04-13
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03K19/003
Abstract: 一种无静态功耗的栅驱动电路，属于电子电路技术领域。浮动电源地模块用于产生浮动电源地信号和高侧复位信号；低压-高压电平移位模块用于将前级的低压驱动信号通过电平移位到高压侧从而控制高侧功率管；高压-低压电平移位模块用于将浮动电源高侧的信号反馈至低侧，并经过逻辑控制模块将低压-高压电平移位模块中的输入级关闭，从而确保本发明提供的栅驱动电路没有静态功耗；驱动输出模块通过利用高侧驱动输出单元和低侧驱动输出单元来分别驱动高侧功率管和低侧功率管，逻辑控制模块提供逻辑控制。本发明不存在静态功耗，同时很好的解决了栅源耐压的问题。
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公开(公告)号：CN110460338B
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN201910754356.7
申请日：2019-08-15
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种采样保持电路，包括第一运算放大器、第一开关、第二开关、第三开关、第一电阻、第二电阻、第一NMOS管和第一电容，第一电阻的一端作为采样保持电路的输入端，另一端连接第一NMOS管的漏极、第一开关的一端并通过第二电阻后连接第一运算放大器的输出端；第一运算放大器的负向输入端连接第一开关的另一端和第三开关的一端，正向输入端连接第二开关的一端和共模电压，输出端作为采样保持电路的输出端并通过第一电容后连接第二开关的另一端和第三开关的另一端；第一NMOS管的栅极连接偏置电压，源极接地。本发明的输入端和输出端连接多晶硅电阻，信号摆幅接近电源轨从而使信噪比最大化，另外设置电流源管使得本发明能够在低电源电压下正常工作。
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公开(公告)号：CN110071714B
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201910333984.8
申请日：2019-04-24
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03K19/003 , H03K19/0185 , H03K19/20
Abstract: 一种用于芯片使能控制的输入接口电路，包括迟滞电路和脉冲滤波电路，迟滞电路通过上下对称结构的迟滞比较器滤除在迟滞窗口内的噪声信号；脉冲滤波电路通过第一PMOS管、第一NMOS管、第一电流源、第一电容、第二PMOS管、第二NMOS管、第二电流源和第二电容组成脉冲滤波预处理电路对短脉冲干扰信号进行预处理，再将得到的信号输送到第一或非门和第二或非门构成或非RS触发器中，利用或非RS触压器两端输入同时为0时输出保持不变的特性，滤除不必要的短脉冲干扰信号，通过调节电流源大小和电容大小能够滤除不同脉冲宽度的短脉冲干扰信号。本发明能够还原芯片外部使能控制信号，从而正常控制芯片，防止了芯片误触发关断或者开启，保证了芯片所在系统的正常工作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110460338A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201910754356.7
申请日：2019-08-15
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种采样保持电路，包括第一运算放大器、第一开关、第二开关、第三开关、第一电阻、第二电阻、第一NMOS管和第一电容，第一电阻的一端作为采样保持电路的输入端，另一端连接第一NMOS管的漏极、第一开关的一端并通过第二电阻后连接第一运算放大器的输出端；第一运算放大器的负向输入端连接第一开关的另一端和第三开关的一端，正向输入端连接第二开关的一端和共模电压，输出端作为采样保持电路的输出端并通过第一电容后连接第二开关的另一端和第三开关的另一端；第一NMOS管的栅极连接偏置电压，源极接地。本发明的输入端和输出端连接多晶硅电阻，信号摆幅接近电源轨从而使信噪比最大化，另外设置电流源管使得本发明能够在低电源电压下正常工作。
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公开(公告)号：CN110071723A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201910353533.0
申请日：2019-04-29
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03M1/46
Abstract: 一种用于逐次逼近型模数转换器的伪共模开关方法，属于电子电路技术领域。本发明将逐次逼近型模数转换器的加权电容阵列中每一位加权电容拆分为两个并联且电容值为原加权电容二分之一的拆分加权电容，通过第j次比较的比较结果控制第N-j位加权电容对应的拆分加权电容下极板连接地电平或参考电平，不需要接共模电平。在整个转换周期中，每一次比较，比较器的正相输入端信号和反相输入端信号向相反的方向变化等值的电压，维持了整个转换周期的共模电平稳定，本发明提出的方法既保留了共模电平VCM-based开关方案中比较器共模电平不变化的特点，同时又不需要引入额外的共模电平，节省了电路面积和功耗。
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公开(公告)号：CN108540121B
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201810333606.5
申请日：2018-04-13
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03K19/003
Abstract: 一种无静态功耗的栅驱动电路，属于电子电路技术领域。浮动电源地模块用于产生浮动电源地信号和高侧复位信号；低压‑高压电平移位模块用于将前级的低压驱动信号通过电平移位到高压侧从而控制高侧功率管；高压‑低压电平移位模块用于将浮动电源高侧的信号反馈至低侧，并经过逻辑控制模块将低压‑高压电平移位模块中的输入级关闭，从而确保本发明提供的栅驱动电路没有静态功耗；驱动输出模块通过利用高侧驱动输出单元和低侧驱动输出单元来分别驱动高侧功率管和低侧功率管，逻辑控制模块提供逻辑控制。本发明不存在静态功耗，同时很好的解决了栅源耐压的问题。
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公开(公告)号：CN110377096B
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201910756675.1
申请日：2019-08-16
Applicant: 电子科技大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 高电源抑制比低温漂的带隙基准源，包括预稳压模块、预稳压启动模块、基准电流源模块、基准电流源启动模块、带隙基准核心模块和带隙基准核心启动模块，预稳压启动模块、基准电流源启动模块和带隙基准核心启动模块分别用于在上电时启动预稳压模块、基准电流源模块和带隙基准核心模块；预稳压模块用于产生局部电压为基准电流源模块、基准电流源启动模块、带隙基准核心模块和带隙基准核心启动模块供电，预稳压模块中结合自偏置带隙基准和翻转电压跟随器，提高了带隙基准源的电源抑制比；基准电流源模块用于产生内部基准电流，通过增添第三条电路改善带隙基准源的电源抑制比；带隙基准核心模块对温度高阶项进行分段线性补偿，具有低温漂的特性。
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公开(公告)号：CN110007708A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201910314771.0
申请日：2019-04-18
Applicant: 电子科技大学
IPC: G05F1/565
Abstract: 一种具有上拉电流和下拉电流能力的线性稳压器，属于集成电路设计领域。包括偏置电路、误差放大器和功率调整电路，偏置电路用于为误差放大器和功率调整电路提供偏置，误差放大器中采用自偏置的共源共栅电流镜作负载，可以获得较高的增益，降低了系统失调，同时提高了输出电压精度和电源抑制比；功率调整电路采用伪classAB结构实现了线性稳压器下拉电流和上拉电流的能力，使得本发明在上拉电流、下拉电流时，系统具有较好的负载瞬态响应；另外利用两个动态电流源控制的跨导线性负反馈环路来稳定输出电压，使得本发明具有较高的稳定性。
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