基于电磁调控天线阵列拓展目标回波信号的方法

    公开(公告)号:CN117932903A

    公开(公告)日:2024-04-26

    申请号:CN202410012768.4

    申请日:2024-01-04

    Abstract: 本发明公开了一种基于电磁调控天线阵列拓展目标回波信号的方法,属于半实物仿真技术领域。该方法包括:S1、基于已建成的半实物仿真系统,建立空间直角坐标系;S2、确定电磁调控天线阵列放置位置;S3、根据需要扩展的方位角和俯仰角,结合电磁调控天线所处平面方程,计算电磁调控天线响应位置中心点及相位梯度,从而确定电磁调控天线需要响应的单元以及各单元间的相位梯度;S4、施加偏置电压,实现拓展目标回波信号。本发明在已建成的半实物仿真系统基础上,通过增加电磁调控天线,拓展目标回波信号;同时在电磁调控天线固定后,无需再次移动电磁调控天线,即可满足不同测试需要,并且可以使目标回波信号拓展至两倍以上。

    一种C/SiC复合材料基底薄膜传感器用过渡层及其制备方法

    公开(公告)号:CN116855898A

    公开(公告)日:2023-10-10

    申请号:CN202310810251.5

    申请日:2023-07-03

    Abstract: 本发明属于薄膜传感器设计与生产技术领域,具体为一种C/SiC复合材料基底薄膜传感器用过渡层及其制备方法。是利用Zr元素在高温环境下的扩散作用,使ZrC薄膜中Zr元素向C/SiC复合材料基底方向扩散,形成从上至下Zr含量逐渐减少、C含量逐渐增加的ZrxC1‑x不定形陶瓷相,以此作为渐变陶瓷层,实现由C/SiC复合材料的低热膨胀系数到ZrC的高热膨胀系数的过渡。利用ZrSi2在1400℃以上高温下氧化,产生具有SiO2‑ZrSiO4玻璃相陶瓷的自修复效应,修复ZrSi2薄膜在高温氧化过程中产生的空洞以及微裂纹,实现传感器抗热震、抗热蚀性能的提升,提高绝缘层的抗热震性能和传感器的高温稳定性。

    一种基于自举法的加速搜索方法

    公开(公告)号:CN110795473A

    公开(公告)日:2020-02-14

    申请号:CN201911106961.X

    申请日:2019-11-13

    Abstract: 本发明属于检索技术领域,具体涉及一种基于自举法的加速搜索方法,包括S1.将Hadoop架构下的用户搜索请求设置为三元组Q(Op,D,ρ),其中,Op表示用户对目标数据集合D的搜索操作,ρ为用户设置的搜索精度下限值;S2.从数据集合D中抽取初始样本S,然后以S为论域进行m次有放回采样{S1,...,Sm};S3.对步骤S2中实施操作Op(D)产生的m个结果{Op(S1),...,Op(Sm)}进行近似计算,得到变异系数的相对误差值;S4.根据步骤S3中的相对误差进行评估,得出满足用户近似精度的搜索结果。与现有技术相比,本发明采用自举法进行抽样,有效地降低了抽样过程中样本的数量,同时由于只需要从原始数据集中抽取一个较小的随机均匀抽样,因此,可以显著降低采样过程的磁盘成本。

    一种基于电热调制的连续可调光分束超表面器件

    公开(公告)号:CN118259487A

    公开(公告)日:2024-06-28

    申请号:CN202410369597.0

    申请日:2024-03-28

    Abstract: 本发明属于光通讯、信号处理、微纳光学技术领域,具体为一种基于电热调制的连续可调光分束超表面器件,包括热源部分和相变材料超表面。热源部分产生的能量沿着相变材料超表面传递,在温度达到动态平衡后,相变材料超表面呈现不同位置的温度维持在一个恒定的水平且温度值具有差异性特点,在此基础上,将相变材料区域划分为多个子区域,以使相变材料超表面温度分布从临近加热器区域向远离加热区域逐渐降低,临近加热器区域温度分布较高发生相变,远离加热器的区域温度分布较低且仍处于未相变状态。通过调整施加在加热器上的外加电压大小,来影响超表面的温度场分布,从而改变整个超表面中相变材料处于相变与未相变的比例,实现多档可调谐功能。

    一种可调谐多任务衍射神经网络实现方法及任务器件

    公开(公告)号:CN118095389A

    公开(公告)日:2024-05-28

    申请号:CN202410214673.0

    申请日:2024-02-27

    Abstract: 本发明公开了一种可调谐多任务衍射神经网络实现方法及任务器件,涉及光学神经网络、微纳光学、图像识别应用技术领域,本发明的衍射神经网络由多层相位型衍射元件构成,传播过程中通过对输入图像进行多次波前重构实现光学图像识别;在该衍射神经网络得基础上,将相变材料超表面引入衍射计算过程,结合低比特量化算法优化衍射元件调制参数,得到多任务衍射神经网络衍射元件相位分布,再搜索与相位匹配的超表面单元结构,制备相变材料超表面器件;制作的多任务衍射神经网络器件包括基于相变材料的可调超表面、掩膜版和探测器,通过改变相变材料结晶状态实现多任务切换,硬件设备有限亦可实现多元化的计算需求,提高了衍射神经网络的灵活性且优势巨大。

    一种逐点可调超表面器件
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116626919A

    公开(公告)日:2023-08-22

    申请号:CN202310542750.0

    申请日:2023-05-15

    Abstract: 本发明涉及纳米光学与光电集成领域,具体涉及一种逐点可调超表面器件。本发明由两层不同排布方向的栅格状电极条分别作为上、下层电极,两层电极的交错位置通过轻掺杂Si连接并形成各个像素,每一个像素区域的最上层制备亚波长相变材料结构用于光场调控,最终用SiO2将整个器件包覆。本发明通过对目标像素的上、下层电极线路施加电压,将轻掺杂Si作为加热器,电流经过轻掺杂Si产生热量并经过上层电极热传导至相变材料,实现对相变材料的电切换,通过器件内所有目标像素逐一电写入达到超表面逐点可重构的效果。本发明可用于光束的调制,光电混合集成,可应用于电驱动控制下的光学成像、光学信号处理等场景。

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