公开(公告)号：CN105308735B

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201480035023.4

申请日：2014-04-16

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 朱利安·G·布雷克 ,  岱尔·K·史东 ,  留德米拉·史东 ,  麦可·斯库拉么尔

IPC: H01L21/687 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/6831

Abstract: 本发明提供一种低放射率静电卡盘和具有其的离子植入系统，静电卡盘包括加热器及配置在加热器上的电极。此静电卡盘也包括绝缘体层及配置在绝缘体上的涂层，其中所述涂层用以支撑电极系统所产生的静电场以便吸住基板。

公开(公告)号：CN105308735A

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201480035023.4

申请日：2014-04-16

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 朱利安·G·布雷克 ,  岱尔·K·史东 ,  留德米拉·史东 ,  麦可·斯库拉么尔

IPC: H01L21/687 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/6831

Abstract: 一种静电卡盘，包括加热器及配置在加热器上的电极。此静电卡盘也包括绝缘体层及配置在绝缘体上的涂层，其中所述涂层用以支撑电极系统所产生的静电场以便吸住基板。