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发明公开
从熔体形成结晶片的装置无效

公开(公告)号：CN107923063A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201680048202.0

申请日：2016-08-09

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 孙大伟 , 彼德·L·凯勒曼 , 葛列格里·斯罗森

IPC: C30B11/00 , C30B11/04 , C30B29/20

Abstract: 一种从熔体拉制结晶片的装置。所述装置可包括：坩埚，用以容纳所述熔体并具有挡坝结构，其中所述熔体包括暴露表面，所述暴露表面具有由所述挡坝结构的顶部界定的水平高度。所述装置可进一步包括支撑装置，所述支撑装置安置于所述坩埚内并具有上表面，其中当在所述支撑装置之上拉制所述结晶片时，所述结晶片保持与所述熔体的所述暴露表面齐平，且所述装置可包括回熔加热器，所述回熔加热器经由所述支撑装置的所述上表面引导热量，以在所述支撑装置之上拉制所述结晶片时使所述结晶片部分地熔融。

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