公开(公告)号：CN101427350A

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200780006744.2

申请日：2007-01-19

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 克里斯多夫·汉特曼 ,  乔纳森·英格兰 ,  拉力·史奈登 ,  拉塞尔·罗 ,  安东尼·雷诺 ,  艾力克斯恩德·培尔 ,  坷若许·沙丹特曼德

IPC: H01L21/265 ,  H01J37/08 ,  H01J37/317 ,  H01J27/02 ,  C23C14/48

CPC classification number: H01J37/08 ,  C23C14/48 ,  H01J27/02 ,  H01J37/3171

Abstract: 本发明提供离子布植方法以及该方法使用的离子源。该方法包含：自包含多种元素的源进料气体产生离子。举例而言，源进料气体可包含硼以及至少两种其它元素(例如，XaBbYc)。使用此等源进料气体较某些公知过程而言可产生若干优点，包含能够在形成具有超浅接合深度的布植区域时使用较高布植能量以及离子束电流。又，在某些实施例中，源进料气体的成分可经选择以在相对高温(例如，大于350℃)下为热稳定的，此允许在使用期间产生此等温度的许多公知离子源中(例如，间接加热阴极(IHC)，Bernas)使用此等气体。