公开(公告)号：CN101483176B

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN200910000112.6

申请日：2009-01-05

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 谷崎弘晃 ,  上野修一 ,  村井泰光 ,  辻高晴

IPC: H01L27/105 ,  H01L43/08 ,  H01L23/535

CPC classification number: H01L27/228 ,  H01L43/08

Abstract: 本发明提供一种磁记录装置，即便使具有非对称形状的记录层与局部孔这两者留有充分的间隔而形成在带配线上，也能够抑制磁记录装置的尺寸增加。本发明的磁记录装置(MRAM)具有带配线LS、局部孔LV、及磁记录元件(TMR元件)101。TMR元件101具有固定层11与记录层13。记录层13的俯视形状相对于记录层13的易磁化轴方向S为非对称，相对于与易磁化轴垂直的对称轴L为对称。靠近记录层13的面积中心的这一侧的、记录层13的轮廓部s1，面向局部孔LV形成侧。

公开(公告)号：CN102449755A

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN200980159551.X

申请日：2009-05-27

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 辻高晴 ,  渡边源太

IPC: H01L21/8246 ,  G11C11/15 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08

CPC classification number: H01L27/228 ,  G11C11/161 ,  H01L43/08

Abstract: 本发明的半导体装置改善读出时生成参考电流的参考单元的写入干扰余裕。在配置有常态存储器单元(NMC0-NMC2)的常态单元区域(10N)中，设位线(BL)为包层布线构造(40)，在配置有参考单元(RMC)的参考单元区域(10R)中，设位线(BL)为部分或非包层布线构造(42)。当是同一写入电流时，使施加于参考单元的写入磁场强度比施加于常态存储器单元的写入磁场强度小。

公开(公告)号：CN102449755B

公开(公告)日：2014-04-23

申请号：CN200980159551.X

申请日：2009-05-27

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 辻高晴 ,  渡边源太

IPC: H01L21/8246 ,  G11C11/15 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08

CPC classification number: H01L27/228 ,  G11C11/161 ,  H01L43/08

Abstract: 本发明的半导体装置改善读出时生成参考电流的参考单元的写入干扰余裕。在配置有常态存储器单元(NMC0-NMC2)的常态单元区域(10N)中，设位线(BL)为包层布线构造(40)，在配置有参考单元(RMC)的参考单元区域(10R)中，设位线(BL)为部分或非包层布线构造(42)。当是同一写入电流时，使施加于参考单元的写入磁场强度比施加于常态存储器单元的写入磁场强度小。