分离装置以及分离方法
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108933085B

    公开(公告)日:2023-08-29

    申请号:CN201810533974.4

    申请日:2018-05-29

    Abstract: 一种分离装置,对粘接片(AS)上的板状部件(WF)施加四个方向的张力而扩大由板状部件(WF)形成的多个片状体(CP)的间隔。分离装置(10)具备:多个保持机构(20),其由多个保持部件(21)保持粘接片(AS);伸长机构(30A、30B),其使保持部件(21)向四个方向中针对每个保持机构(20)而不同的一个方向移动,并且使该保持部件(21)向该一个方向的交叉方向移动而使粘接片(AS)伸长;控制机构(40),其对保持部件(21)基于伸长机构(30A,30B)的移动进行控制;控制机构(40)根据片状体(CP)的尺寸和间隔的目标值来计算粘接片(AS)的伸长量的目标值,使保持部件(21)在伸长机构(30A、30B)上移动,以使粘接片(AS)的伸长量成为其目标值。

    粘合片
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114514296A

    公开(公告)日:2022-05-17

    申请号:CN202080070084.X

    申请日:2020-05-22

    Abstract: 本发明提供一种粘合片(1),其具有基材(10)和粘合剂层(20),所述粘合片的拉伸强度FA1和拉伸强度FB1满足下述数学式1A的关系,所述拉伸强度FA1为:由所述粘合片制作宽度25mm的第一试验片,用夹具(101,102)夹持着第一试验片的长度方向的两端并利用拉伸试验机进行0.5mm拉伸时的拉伸强度;所述拉伸强度FB1为:将纵向尺寸为45mm、横向尺寸为35mm、厚度尺寸为0.625mm的第一半导体芯片(CP1)及第二半导体芯片(CP2)中的第一半导体芯片(CP1)贴合于第一试验片的长度方向上一端侧、将第二半导体芯片(CP2)贴合于该长度方向上另一端侧而制作第二试验片,用夹具(101,102)夹持着第二试验片的长度方向的两端并利用拉伸试验机进行0.5mm拉伸时的拉伸强度。FB1/FA1≤30···(数学式1A)。

    半导体芯片的制造方法
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN112088421B

    公开(公告)日:2024-10-29

    申请号:CN201980030707.8

    申请日:2019-04-26

    Abstract: 本发明涉及一种半导体芯片的制造方法,其是使用粘合片且包括下述工序(1)~(3)的方法,所述粘合片具有基材(Y),并在基材(Y)的两面分别具有能够通过上述膨胀性粒子的膨胀而在粘合表面产生凹凸的第1粘合剂层(X1)及第2粘合剂层(X2),所述基材(Y)具备包含膨胀性粒子的膨胀性基材层(Y1)及非膨胀性基材层(Y2)。工序(1):将第1粘合剂层(X1)粘贴于硬质支撑体、将第2粘合剂层(X2)粘贴于半导体晶片的表面的工序。工序(2):得到多个半导体芯片的工序。工序(3):使膨胀性粒子膨胀,在上述硬质支撑体和第1粘合剂层(X1)的界面P进行分离的工序。

    被粘物处理方法以及被粘物处理装置

    公开(公告)号:CN116798906A

    公开(公告)日:2023-09-22

    申请号:CN202211393794.3

    申请日:2022-11-08

    Inventor: 山田忠知

    Abstract: 本发明提供一种被粘物处理方法以及被粘物处理装置,能够在被粘物的不处理区域尽量避免规定的处理。在对被粘物(WK)实施规定的处理的被粘物处理装置(EA)中,具备:片粘贴单元(10),其将被粘物(WK)中的规定的区域作为不处理区域(WK1),以不进行规定的处理的方式在所述不处理区域(WK1)粘贴粘接片(AS);以及处理单元(30),其对被粘物(WK)实施规定的处理,粘接片(AS)能够利用规定的能量(HA)进行变形,被粘物处理装置(EA)还具备能量施加单元(20),其对粘贴于被粘物(WK)的粘接片(AS)施加规定的能量(HA),以模仿不处理区域(WK1)的面形状的方式使粘接片(AS)变形。

    半导体装置的制造方法
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112585723A

    公开(公告)日:2021-03-30

    申请号:CN201980053805.3

    申请日:2019-10-18

    Abstract: 本发明的课题在于提供尽管利用由固化性树脂层形成的保护膜来保护具备凸块的半导体晶片的凸块颈部,仍能够同时实现该半导体晶片的薄化与该半导体晶片的翘曲的抑制的半导体装置的制造方法。该半导体装置的制造方法依次包括下述工序(A)~(E):(A)在具备凸块的半导体晶片的凸块形成面形成固化性树脂层的工序;(B)使上述固化性树脂层固化而形成保护膜的工序;(C)在上述具备凸块的半导体晶片的上述保护膜的形成面粘贴背磨胶带的工序;(D)在粘贴有上述背磨胶带的状态下,对上述具备凸块的半导体晶片的与上述凸块形成面的相反面进行磨削的工序;(E)从上述磨削后的上述具备凸块的半导体晶片将上述背磨胶带剥离的工序。

    扩片方法、半导体装置的制造方法、以及粘合片

    公开(公告)号:CN111886673B

    公开(公告)日:2025-02-11

    申请号:CN201980017581.0

    申请日:2019-03-05

    Abstract: 本发明提供一种扩片方法,该方法包括:贴合工序,将多个被粘附物贴合于粘合片(10)的第一粘合剂层(12)或第二粘合剂层(13);扩片工序,使粘合片(10)伸展,以扩大所述多个被粘附物的间隔;以及能量射线照射工序,对第一粘合剂层(12)及第二粘合剂层(13)照射能量射线,以使第一粘合剂层(12)及第二粘合剂层(13)固化,所述粘合片(10)具有含有第一能量射线固化性树脂的第一粘合剂层(12)、含有第二能量射线固化性树脂的第二粘合剂层(13)、以及基材(11)。

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