智能功率模块测试装置及系统

    公开(公告)号:CN112540251A

    公开(公告)日:2021-03-23

    申请号:CN202011370732.1

    申请日:2020-11-30

    Abstract: 本发明涉及半导体技术领域,公开了一种智能功率模块测试装置及系统,该装置包括插座、PCB板以及形成于PCB板的第一线路、第二线路、外接焊盘和引脚焊盘;引脚焊盘位于待测模块的两侧,引脚焊盘与待测模块的引脚对应设置;插座与引脚焊盘连接,插座与用于与待测模块连接;第一线路通过导线与待测模块一侧的引脚焊盘连接,第二线路通过导线与待测模块令一侧的引脚焊盘连接;第一线路与第二线路连接,外接焊盘通过导线与第一线路和第二线路连接,且外接焊盘用于与测试机连接。测试时,将待测模块安装在插座上,将外接焊盘与测试机连接。测试时无需掰动模块引脚,降低了模块损伤的风险,简化了测试步骤,加快了测试速度,保证了测试结果准确性。

    功率半导体器件及功率半导体器件的制造方法

    公开(公告)号:CN113394204B

    公开(公告)日:2022-07-15

    申请号:CN202010166471.5

    申请日:2020-03-11

    Abstract: 本发明涉及一种功率半导体器件及功率半导体器件的制造方法,该功率半导体器件包括:塑封壳体,在塑封壳体上设有栅极引脚、集电极引脚、发射极引脚、正极引脚、负极引脚、片选端引脚及控制端引脚;封装在塑封壳体内的IGBT集成电路,其与栅极引脚、集电极引脚和发射极引脚相连;封装在塑封壳体内的DigiPOT集成电路,其与正极引脚、负极引脚、片选端引脚及控制端引脚相连,该DigiPOT集成电路通过固有的输入端和输出端接入在IGBT集成电路的栅极结构层内,并作为能够调节阻值的栅极电阻。该功率半导体器件不仅解决了栅极电阻不可调节的问题,还保证了其具有更广的适用范围和更好的通用性。

    基于功率半导体器件的散热结构及安装方法

    公开(公告)号:CN111081661B

    公开(公告)日:2021-05-25

    申请号:CN201911339951.0

    申请日:2019-12-23

    Abstract: 本申请涉及一种基于功率半导体器件的散热结构及安装方法,所述散热结构包括:功率半导体器件、电路板、绝缘层、散热器以及固定组件;在电路板上设置有至少两个开孔,在至少两个开孔中设置有对应的至少两个固定组件;固定组件的一端外延至电路板的一侧,至少两个固定组件的外延部夹持固定功率半导体器件;固定组件的外延部还嵌入设置于散热器的一表面,以使通过电路板与散热器将功率半导体器件进行固定;绝缘层接触设置于功率半导体器件与散热器之间。如此通过将功率半导体器件夹持固定于电路板的一侧,增加了散热面积,有利于功率半导体器件散热,并且避免了因漏电将功率半导体器件或电路板烧毁的情况。

    基于功率半导体器件的散热结构及安装方法

    公开(公告)号:CN111081661A

    公开(公告)日:2020-04-28

    申请号:CN201911339951.0

    申请日:2019-12-23

    Abstract: 本申请涉及一种基于功率半导体器件的散热结构及安装方法,所述散热结构包括:功率半导体器件、电路板、绝缘层、散热器以及固定组件;在电路板上设置有至少两个开孔,在至少两个开孔中设置有对应的至少两个固定组件;固定组件的一端外延至电路板的一侧,至少两个固定组件的外延部夹持固定功率半导体器件;固定组件的外延部还嵌入设置于散热器的一表面,以使通过电路板与散热器将功率半导体器件进行固定;绝缘层接触设置于功率半导体器件与散热器之间。如此通过将功率半导体器件夹持固定于电路板的一侧,增加了散热面积,有利于功率半导体器件散热,并且避免了因漏电将功率半导体器件或电路板烧毁的情况。

    功率半导体器件及功率半导体器件的制造方法

    公开(公告)号:CN113394204A

    公开(公告)日:2021-09-14

    申请号:CN202010166471.5

    申请日:2020-03-11

    Abstract: 本发明涉及一种功率半导体器件及功率半导体器件的制造方法,该功率半导体器件包括:塑封壳体,在塑封壳体上设有栅极引脚、集电极引脚、发射极引脚、正极引脚、负极引脚、片选端引脚及控制端引脚;封装在塑封壳体内的IGBT集成电路,其与栅极引脚、集电极引脚和发射极引脚相连;封装在塑封壳体内的DigiPOT集成电路,其与正极引脚、负极引脚、片选端引脚及控制端引脚相连,该DigiPOT集成电路通过固有的输入端和输出端接入在IGBT集成电路的栅极结构层内,并作为能够调节阻值的栅极电阻。该功率半导体器件不仅解决了栅极电阻不可调节的问题,还保证了其具有更广的适用范围和更好的通用性。

    一种功率模块及电子设备

    公开(公告)号:CN112151521B

    公开(公告)日:2023-04-07

    申请号:CN201910561676.0

    申请日:2019-06-26

    Abstract: 本发明涉及电子器件技术领域,具体涉及一种功率模块及电子设备,功率模块通过集成用于存储电子设备的通用程序及参数设置程序的EEPROM芯片和用于存储固化的算法程序的MCU芯片,固化的算法程序不能通过EEPROM芯片被读写,且MCU芯片与EEPROM芯片电连接以读写通用程序和参数设置程序,以使用户通过对EEPROM芯片内的通用程序及参数设置时MCU芯片中存储的算法程序不会被泄露,使功率模块在满足实际需求的同时确保了MCU芯片中算法程序的安全性,进而有效提高了功率模块的安全性能。

    一种功率模块及电子设备
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112151521A

    公开(公告)日:2020-12-29

    申请号:CN201910561676.0

    申请日:2019-06-26

    Abstract: 本发明涉及电子器件技术领域,具体涉及一种功率模块及电子设备,功率模块通过集成用于存储电子设备的通用程序及参数设置程序的EEPROM芯片和用于存储固化的算法程序的MCU芯片,固化的算法程序不能通过EEPROM芯片被读写,且MCU芯片与EEPROM芯片电连接以读写通用程序和参数设置程序,以使用户通过对EEPROM芯片内的通用程序及参数设置时MCU芯片中存储的算法程序不会被泄露,使功率模块在满足实际需求的同时确保了MCU芯片中算法程序的安全性,进而有效提高了功率模块的安全性能。

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