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公开(公告)号:CN112540251A
公开(公告)日:2021-03-23
申请号:CN202011370732.1
申请日:2020-11-30
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域,公开了一种智能功率模块测试装置及系统,该装置包括插座、PCB板以及形成于PCB板的第一线路、第二线路、外接焊盘和引脚焊盘;引脚焊盘位于待测模块的两侧,引脚焊盘与待测模块的引脚对应设置;插座与引脚焊盘连接,插座与用于与待测模块连接;第一线路通过导线与待测模块一侧的引脚焊盘连接,第二线路通过导线与待测模块令一侧的引脚焊盘连接;第一线路与第二线路连接,外接焊盘通过导线与第一线路和第二线路连接,且外接焊盘用于与测试机连接。测试时,将待测模块安装在插座上,将外接焊盘与测试机连接。测试时无需掰动模块引脚,降低了模块损伤的风险,简化了测试步骤,加快了测试速度,保证了测试结果准确性。
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公开(公告)号:CN113394204B
公开(公告)日:2022-07-15
申请号:CN202010166471.5
申请日:2020-03-11
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
Abstract: 本发明涉及一种功率半导体器件及功率半导体器件的制造方法,该功率半导体器件包括:塑封壳体,在塑封壳体上设有栅极引脚、集电极引脚、发射极引脚、正极引脚、负极引脚、片选端引脚及控制端引脚;封装在塑封壳体内的IGBT集成电路,其与栅极引脚、集电极引脚和发射极引脚相连;封装在塑封壳体内的DigiPOT集成电路,其与正极引脚、负极引脚、片选端引脚及控制端引脚相连,该DigiPOT集成电路通过固有的输入端和输出端接入在IGBT集成电路的栅极结构层内,并作为能够调节阻值的栅极电阻。该功率半导体器件不仅解决了栅极电阻不可调节的问题,还保证了其具有更广的适用范围和更好的通用性。
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公开(公告)号:CN111081661B
公开(公告)日:2021-05-25
申请号:CN201911339951.0
申请日:2019-12-23
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/40
Abstract: 本申请涉及一种基于功率半导体器件的散热结构及安装方法,所述散热结构包括:功率半导体器件、电路板、绝缘层、散热器以及固定组件;在电路板上设置有至少两个开孔,在至少两个开孔中设置有对应的至少两个固定组件;固定组件的一端外延至电路板的一侧,至少两个固定组件的外延部夹持固定功率半导体器件;固定组件的外延部还嵌入设置于散热器的一表面,以使通过电路板与散热器将功率半导体器件进行固定;绝缘层接触设置于功率半导体器件与散热器之间。如此通过将功率半导体器件夹持固定于电路板的一侧,增加了散热面积,有利于功率半导体器件散热,并且避免了因漏电将功率半导体器件或电路板烧毁的情况。
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公开(公告)号:CN111081661A
公开(公告)日:2020-04-28
申请号:CN201911339951.0
申请日:2019-12-23
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/40
Abstract: 本申请涉及一种基于功率半导体器件的散热结构及安装方法,所述散热结构包括:功率半导体器件、电路板、绝缘层、散热器以及固定组件;在电路板上设置有至少两个开孔,在至少两个开孔中设置有对应的至少两个固定组件;固定组件的一端外延至电路板的一侧,至少两个固定组件的外延部夹持固定功率半导体器件;固定组件的外延部还嵌入设置于散热器的一表面,以使通过电路板与散热器将功率半导体器件进行固定;绝缘层接触设置于功率半导体器件与散热器之间。如此通过将功率半导体器件夹持固定于电路板的一侧,增加了散热面积,有利于功率半导体器件散热,并且避免了因漏电将功率半导体器件或电路板烧毁的情况。
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公开(公告)号:CN113394204A
公开(公告)日:2021-09-14
申请号:CN202010166471.5
申请日:2020-03-11
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
Abstract: 本发明涉及一种功率半导体器件及功率半导体器件的制造方法,该功率半导体器件包括:塑封壳体,在塑封壳体上设有栅极引脚、集电极引脚、发射极引脚、正极引脚、负极引脚、片选端引脚及控制端引脚;封装在塑封壳体内的IGBT集成电路,其与栅极引脚、集电极引脚和发射极引脚相连;封装在塑封壳体内的DigiPOT集成电路,其与正极引脚、负极引脚、片选端引脚及控制端引脚相连,该DigiPOT集成电路通过固有的输入端和输出端接入在IGBT集成电路的栅极结构层内,并作为能够调节阻值的栅极电阻。该功率半导体器件不仅解决了栅极电阻不可调节的问题,还保证了其具有更广的适用范围和更好的通用性。
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公开(公告)号:CN210925990U
公开(公告)日:2020-07-03
申请号:CN201922293224.7
申请日:2019-12-18
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/48
Abstract: 本实用新型涉及半导体连接设备技术领域,特别地涉及一种半导体器件。本实用新型提供的半导体器件,所述半导体器件包括导电连接件以及与所述导电连接件连接的绝缘导热件。由于绝缘导热件具有较高的导热率以及绝缘性,可在使用过程中,保证不导电的情况下,更好地实现散热,使得连接件等器件产生的热量及时排出,进一步增强半导体器件的可靠性。
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公开(公告)号:CN112435929B
公开(公告)日:2024-05-28
申请号:CN201910790886.7
申请日:2019-08-26
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L23/495
Abstract: 本申请提供了一种功率模块的封装方法及功率模块,所述方法包括:在直接键合铜衬底上固定安装半导体芯片;在所述直接键合铜衬底上设置焊盘;利用银浆线连接所述焊盘与所述半导体芯片,并利用键合线连接所述焊盘与IGBT管。通过该方法,减少了键合线损坏的可能性,使得芯片集成度更高,实现了在芯片中包含上桥驱动、下桥驱动以及保护电路等其他电路。
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公开(公告)号:CN112435929A
公开(公告)日:2021-03-02
申请号:CN201910790886.7
申请日:2019-08-26
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L23/495
Abstract: 本申请提供了一种功率模块的封装方法及功率模块,所述方法包括:在直接键合铜衬底上固定安装半导体芯片;在所述直接键合铜衬底上设置焊盘;利用银浆线连接所述焊盘与所述半导体芯片,并利用键合线连接所述焊盘与IGBT管。通过该方法,减少了键合线损坏的可能性,使得芯片集成度更高,实现了在芯片中包含上桥驱动、下桥驱动以及保护电路等其他电路。
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公开(公告)号:CN112151521B
公开(公告)日:2023-04-07
申请号:CN201910561676.0
申请日:2019-06-26
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司
Abstract: 本发明涉及电子器件技术领域,具体涉及一种功率模块及电子设备,功率模块通过集成用于存储电子设备的通用程序及参数设置程序的EEPROM芯片和用于存储固化的算法程序的MCU芯片,固化的算法程序不能通过EEPROM芯片被读写,且MCU芯片与EEPROM芯片电连接以读写通用程序和参数设置程序,以使用户通过对EEPROM芯片内的通用程序及参数设置时MCU芯片中存储的算法程序不会被泄露,使功率模块在满足实际需求的同时确保了MCU芯片中算法程序的安全性,进而有效提高了功率模块的安全性能。
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公开(公告)号:CN112151521A
公开(公告)日:2020-12-29
申请号:CN201910561676.0
申请日:2019-06-26
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司
Abstract: 本发明涉及电子器件技术领域,具体涉及一种功率模块及电子设备,功率模块通过集成用于存储电子设备的通用程序及参数设置程序的EEPROM芯片和用于存储固化的算法程序的MCU芯片,固化的算法程序不能通过EEPROM芯片被读写,且MCU芯片与EEPROM芯片电连接以读写通用程序和参数设置程序,以使用户通过对EEPROM芯片内的通用程序及参数设置时MCU芯片中存储的算法程序不会被泄露,使功率模块在满足实际需求的同时确保了MCU芯片中算法程序的安全性,进而有效提高了功率模块的安全性能。
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