半导体结构及其制作方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119789481A

    公开(公告)日:2025-04-08

    申请号:CN202411929173.1

    申请日:2024-12-25

    Abstract: 本申请提供了一种半导体结构及其制作方法,该半导体结构包括:衬底;外延层,位于衬底的一侧表面上;元胞结构,包括多个有源区和栅极,多个有源区在外延层中间隔排布,有源区包括邻接的注入区和基区、以及位于基区中的源区,源区与注入区接触,有源区靠近另一有源区的侧面为基区的侧面,栅极包括公共部和多个分裂栅,公共部和多个分裂栅位于外延层远离衬底的一侧,多个分裂栅围绕公共部且均与公共部连接,一分裂栅在外延层的正投影覆盖一基区远离衬底的部分表面,基区与注入区的掺杂类型为第一掺杂类型,源区、外延层和衬底的掺杂类型为第二掺杂类型。本申请解决了现有技术中平面分裂栅型半导体结构的可靠性较差的问题。

    一种空调控制方法以及空调控制系统

    公开(公告)号:CN110440404A

    公开(公告)日:2019-11-12

    申请号:CN201910706220.9

    申请日:2019-08-01

    Abstract: 本发明提出了一种空调控制方法,包括:获取图像信息;判断所述图像信息与预设的图像信息是否一致;若是,则进入控制空调模式;若否,则不进入空调控制系统。通过对进入控制空调模式的操作者身份进行限制,防止未授权人员特别是儿童的误操作而引起一些安全隐患,并可减少由于儿童频繁开关空调造成电损耗和引起不必要的故障,有利于延长空调的使用寿命。本发明还提供了一种空调控制系统,通过对操作者身份进行限制,防止未授权人员的误操作而引起一些安全隐患;通过使用触摸显示屏并将摄像头镜头设置在显示屏内侧,使空调控制系统结构的一体化,提高空调柜机的美感;通过设置具有图像获取装置和输入装置的移动终端,实现了空调系统的远程操控。

    半导体器件的终端结构、其制备方法和半导体器件

    公开(公告)号:CN119698050A

    公开(公告)日:2025-03-25

    申请号:CN202411853522.6

    申请日:2024-12-16

    Inventor: 肖帅 马万里

    Abstract: 本申请提供了一种半导体器件的终端结构、其制备方法和半导体器件,该终端结构包括:衬底;外延层,位于衬底的一侧;场氧化层,至少位于外延层的远离衬底的部分表面上;层间介质层,位于场氧化层的远离衬底的表面上、场氧化层的部分侧壁上以及外延层的远离衬底的部分表面上;至少一个第一沟槽,沿第一方向设置在未覆盖场氧化层的层间介质层中,且第一沟槽深入外延层,第一方向为衬底厚度方向;钝化层,至少位于第一沟槽中以及层间介质层的远离衬底的表面上。本申请解决了现有技术中平面型碳化硅MOSFET功率芯片在高温高湿环境下因不同介质层热膨胀系数差异导致水汽渗透影响芯片寿命的问题。

    红外遥控电路及其控制方法、红外遥控器

    公开(公告)号:CN110247648A

    公开(公告)日:2019-09-17

    申请号:CN201910564677.0

    申请日:2019-06-27

    Abstract: 本发明公开了一种红外遥控电路及其控制方法、红外遥控器,红外遥控电路包括控制器、电池、红外发射电路、开关控制电路和电流调节电路,开关控制电路受控于控制器输出的控制信号以切换红外发射电路的工作和关闭状态,电流调节电路受控于控制器基于电池的输出电压而确定的调节信号,以使流经红外发射电路的电流维持在预设范围内,控制方法应用于该控制器,该方法通过控制器判断电池的输出电压与预设范围的关系,确定电流调节电路的工作模式,该红外遥控器包括该红外遥控电路。本发明基于电池的输出电压控制分配到电流调节电路的电流,调整红外发射电路上的电流,以使得红外发射电路上的电流趋于恒定,因此能有效降低红外发射时的电源功耗。

    半导体结构及其制作方法
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119677156A

    公开(公告)日:2025-03-21

    申请号:CN202411863614.2

    申请日:2024-12-17

    Inventor: 肖帅 马万里

    Abstract: 本申请提供了一种半导体结构及其制作方法。半导体结构包括:衬底;外延层,位于衬底的一侧表面上;多个注入区,间隔地位于外延层中,注入区远离衬底的表面为外延层的部分表面;栅极,位于外延层远离衬底的一侧且位于相邻的两个注入区之间,栅极在外延层中的正投影与相邻的两个注入区分别交叠;侧墙结构,位于栅极的侧壁上,侧墙结构远离外延层的端部具有圆角形貌;层间介质层,位于栅极和侧墙结构远离外延层的表面上以及侧墙结构的侧壁上;金属层,位于层间介质层远离外延层的表面上、层间介质层的侧壁上以及注入区远离衬底的部分表面上。本申请解决了半导体结构的可靠性较差的问题。

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