公开(公告)号：CN110571148A

公开(公告)日：2019-12-13

申请号：CN201910652079.9

申请日：2019-07-18

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 王文兵 ,  史波

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/331 ,  H01L21/28 ,  H01L29/40 ,  H01L29/739

Abstract: 本申请涉及微电子技术领域，具体而言，涉及一种功率半导体器件的加工方法及功率半导体器件。功率半导体器件的加工方法包括以下步骤：在元胞区上刻蚀形成沟槽，在器件表面形成多晶硅层，多晶硅填满所述沟槽并在器件表面形成一定厚度；对元胞区部分的多晶硅层进行刻蚀，形成器件的栅极结构，对终端区部分的多晶硅层进行刻蚀形成器件的场板；其中，通过各向同性刻蚀方法刻蚀终端区部分的多晶硅层，所形成的场板的刻蚀剖面的侧壁与器件表面呈倾斜设置。通过变更刻蚀方法，采用各向同性的刻蚀方法将多晶硅层的边缘角度由直角刻蚀成斜角，ILD在垫积的时候不会形成凹坑，避免了钨刻蚀之后的钨残留问题，从而解决了金属钨与多晶硅接触短路的问题。

公开(公告)号：CN113035773B

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN201911373510.2

申请日：2019-12-25

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 王文兵 ,  史波 ,  肖婷

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/67 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532

Abstract: 本发明实施例涉及一种芯片封装方法、刻蚀设备及芯片，所述方法包括：对芯片表面第一金属层进行刻蚀，以使所述第一金属层表面的粗糙度达到预设的粗糙度阈值，所述粗糙度阈值对应的范围包括：88um～108um；在完成刻蚀后的所述第一金属层表面上设置第二金属层，在对第一金属层进行刻蚀的过程中，控制第一金属层表面的粗糙度达到粗糙度阈值，该粗糙度达到粗糙度阈值时可以使第一金属层与第二金属层(第二金属层为AL层，且金属AL的流动性不强)的结合力达到最优，避免在芯片封装过程中因两金属层之间结合力欠佳造成的芯片报废，提升芯片的成品率。

公开(公告)号：CN110571148B

公开(公告)日：2021-01-12

申请号：CN201910652079.9

申请日：2019-07-18

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 王文兵 ,  史波

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/331 ,  H01L21/28 ,  H01L29/40 ,  H01L29/739

Abstract: 本申请涉及微电子技术领域，具体而言，涉及一种功率半导体器件的加工方法及功率半导体器件。功率半导体器件的加工方法包括以下步骤：在元胞区上刻蚀形成沟槽，在器件表面形成多晶硅层，多晶硅填满所述沟槽并在器件表面形成一定厚度；对元胞区部分的多晶硅层进行刻蚀，形成器件的栅极结构，对终端区部分的多晶硅层进行刻蚀形成器件的场板；其中，通过各向同性刻蚀方法刻蚀终端区部分的多晶硅层，所形成的场板的刻蚀剖面的侧壁与器件表面呈倾斜设置。通过变更刻蚀方法，采用各向同性的刻蚀方法将多晶硅层的边缘角度由直角刻蚀成斜角，ILD在垫积的时候不会形成凹坑，避免了钨刻蚀之后的钨残留问题，从而解决了金属钨与多晶硅接触短路的问题。

公开(公告)号：CN113035773A

公开(公告)日：2021-06-25

申请号：CN201911373510.2

申请日：2019-12-25

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 王文兵 ,  史波 ,  肖婷

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/67 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532

Abstract: 本发明实施例涉及一种芯片封装方法、刻蚀设备及芯片，所述方法包括：对芯片表面第一金属层进行刻蚀，以使所述第一金属层表面的粗糙度达到预设的粗糙度阈值，所述粗糙度阈值对应的范围包括：88um～108um；在完成刻蚀后的所述第一金属层表面上设置第二金属层，在对第一金属层进行刻蚀的过程中，控制第一金属层表面的粗糙度达到粗糙度阈值，该粗糙度达到粗糙度阈值时可以使第一金属层与第二金属层(第二金属层为AL层，且金属AL的流动性不强)的结合力达到最优，避免在芯片封装过程中因两金属层之间结合力欠佳造成的芯片报废，提升芯片的成品率。

公开(公告)号：CN110783189A

公开(公告)日：2020-02-11

申请号：CN201910901032.1

申请日：2019-09-23

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 王文兵 ,  史波 ,  肖婷

IPC: H01L21/308

Abstract: 本发明涉及一种芯片沟槽的制备方法与芯片的制备方法，该芯片沟槽的制备方法包括：提供衬底，在所述衬底的表面预设沟槽区和包围所述沟槽区的非沟槽区；其中，所述非沟槽区包括预设的阻挡区和过渡区，所述过渡区包围所述沟槽区，所述阻挡区包围所述过渡区；在所述阻挡区对应的所述衬底的表面形成掩膜；在所述过渡区对应的所述衬底的表面且在所述掩膜的侧壁形成侧墙，所述侧墙形成围设所述沟槽区的刻蚀孔；对所述刻蚀孔处的衬底进行刻蚀形成沟槽。利用本发明的制备方法能够解决现有技术中利用光刻技术制备沟槽时由于曝光显影精度限制造成的无法减少沟槽尺寸的问题，达到减小沟槽尺寸的目的。