一种端面耦合器及其制备方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119471903A

    公开(公告)日:2025-02-18

    申请号:CN202411532198.8

    申请日:2024-10-30

    Abstract: 本发明提供一种端面耦合器及其制备方法,涉及半导体器件技术领域,所述端面耦合器包括:硅衬底层、二氧化硅包层和波导层;所述硅衬底层,包括:硅层和设置于所述硅层之上的埋氧层;所述二氧化硅包层,设置于所述埋氧层之上;所述波导层,设置端面耦合器于所述二氧化硅包层的水平中心;所述波导层,还包括:波导和二段式反向锥形端面耦合结构;其中,所述二段式反向锥形端面耦合结构包括:第一段反向锥形结构和第二段反向锥形结构;所述第一段反向锥形结构的宽端与所述波导相连,尖端与所述第二段反向锥形结构的宽端相连。通过本发明提供的方法,实现波导与光纤的高效耦合,同时确保了其在大批量制备上的可行性。

    基于耦合消光的薄膜铌酸锂波导及其制备方法

    公开(公告)号:CN119395812A

    公开(公告)日:2025-02-07

    申请号:CN202411561437.2

    申请日:2024-11-04

    Abstract: 本发明涉及微纳光电子芯片技术领域,尤其涉及一种基于耦合消光的薄膜铌酸锂波导及其制备方法。本发明的波导包括:铌酸锂、包层、衬底和金属层;包层设于衬底上,且铌酸锂的一端暴露于包层的第一侧暴露,铌酸锂的另一端嵌入包层的内部,金属层设于包层的顶部。衬底为输入端口,波导与铌酸锂暴露的一端耦合,包层的顶部为输出端口。本发明提供的一种基于耦合消光的薄膜铌酸锂波导及其制备方法,针对耦合条件进行了设计,由于TE和TM的模场主要集中在侧壁和顶部,这使得TM模式在耦合至左侧波导后被金属强烈吸收,而TE模式耦合后由于存在氧化硅的包层间隔吸收较弱,能够提高片上偏振器件的偏振消光比、降低器件整体损耗。

    纠缠量子光源的非线性波导及其生成方法

    公开(公告)号:CN117930559A

    公开(公告)日:2024-04-26

    申请号:CN202410045373.4

    申请日:2024-01-11

    Abstract: 本发明涉及量子技术领域,提供一种纠缠量子光源的非线性波导及其生成方法。纠缠量子光源的非线性波导包括波导前端,包括芯片和窄带带通滤波器,窄带带通滤波器集成于芯片;波导主体,设置于芯片且位于波导前端的下游,且波导主体用于基于经过窄带带通滤波器处理过的光源生成纠缠光子对的非线性光学波导。该纠缠量子光源的非线性波导能够使得窄带带通滤波器的滤波通带与纠缠光子对的输出波长范围不交叠;能够去除泵浦激光在进入芯片之前的传输过程中产生的噪声光子影响。而后泵浦激光输入到非线性光学波导中,波导主体能够通过自发四波混频或自发参量下转换产生纠缠光子对的非线性光学波导。

    光学滤波系统、集成双光子量子光源的集成芯片

    公开(公告)号:CN119247621A

    公开(公告)日:2025-01-03

    申请号:CN202411462252.6

    申请日:2024-10-18

    Abstract: 本发明提供一种光学滤波系统、集成双光子量子光源的集成芯片,所述光学滤波系统包括窄带带阻滤波器、周期性窄带带通滤波器,以及两个无自由谱区窄带带通滤波器,其中,由泵浦激光形成的纠缠光子对依次经过窄带带阻滤波器、周期性窄带带通滤波器,以及两个无自由谱区窄带带通滤波器处理后分别输出得到彼此匹配的信号光子和闲频光子,或者由泵浦激光形成的纠缠光子对依次经过周期性窄带带通滤波器、窄带带阻滤波器,以及两个无自由谱区窄带带通滤波器处理后分别输出得到彼此匹配的信号光子和闲频光子。实现了能够集成在芯片上且能够高效、精确将信号光子和闲频光子分开输出。

    血糖检测芯片、智能血糖检测仪及制备方法

    公开(公告)号:CN114913111B

    公开(公告)日:2025-02-11

    申请号:CN202110172814.3

    申请日:2021-02-08

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明提供一种血糖检测芯片、智能血糖检测仪及制备方法,本发明在硬件芯片上嵌入了人工神经网络,将硬件芯片上的光调制层作为人工神经网络的输入层,将图像传感器作为人工神经网络的线性层,将光调制层对入射光的滤波作用作为输入层到线性层的连接权重,使得后续在使用该血糖检测芯片进行血糖检测处理时不需要再进行与输入层和线性层对应的复杂的信号处理和算法处理,可以大幅降低人工神经网络处理时的功耗和延时。本发明将待进行血糖检测部位的不同位置点处的图像信息、光谱信息、入射光的角度和入射光的相位信息投影到硬件芯片的光电流响应中,并在处理器中实现电信号的全连接,从而实现了低功耗、安全可靠的快速准确、非侵入式的血糖检测。

    光人工神经网络智能芯片及制备方法

    公开(公告)号:CN114912598B

    公开(公告)日:2025-01-10

    申请号:CN202110172825.1

    申请日:2021-02-08

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明提供一种光人工神经网络智能芯片及制备方法,将光滤波器层作为人工神经网络的输入层和线性层,将光滤波器层对入射光的滤波作用作为输入层到线性层的连接权重,将图像传感器的平方检波响应作为人工神经网络的非线性层中的第一次非线性激活函数,将处理器作为人工神经网络的全连接、非线性层中的第二次非线性激活函数以及输出层,从而滤波器层和图像传感器以硬件的方式实现了人工神经网络中输入层、线性层和非线性激活函数的相关功能,使得后续在进行智能处理时不需要再进行与输入层和线性层对应的复杂的信号和算法处理,从而可以大幅降低人工神经网络处理时的功耗和延时。

    电子束光刻系统、方法及半导体器件

    公开(公告)号:CN119002189A

    公开(公告)日:2024-11-22

    申请号:CN202411236621.X

    申请日:2024-09-04

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明提供一种电子束光刻系统、方法及半导体器件,其中的系统包括:激光装置,用于发射带有目标图形信息的空间连续激光;电场调制装置,用于对空间连续激光激励的电子施加辅助电场,调控电子的发射;磁透镜单元,用于对发射的电子束进行聚焦和导引,以使电子束按照目标图形信息投射于半导体芯片上;半导体芯片,用于按照目标图形信息在半导体芯片表面进行曝光,转移目标图形信息至光刻胶上。该系统通过利用带有目标图形信息的空间连续激光精确控制特定区域内电子的发射,使得发射的电子束携带目标图形信息,并通过层间电场调制装置与磁透镜单元的协同作用,使携带了精细的目标图形信息的电子束在半导体芯片表面的电子束光刻胶上重现这些图案,不仅能够快速印刷目标图形而避免直写操作,达到极高的光刻分辨率,还降低了制造成本,满足高端半导体制造领域对精密加工的严格要求。

    基于伊辛机的数据处理方法、装置及伊辛机

    公开(公告)号:CN113722667B

    公开(公告)日:2024-10-11

    申请号:CN202110797381.0

    申请日:2021-07-14

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明提供了一种基于伊辛机的数据处理方法、装置及伊辛机,该方法包括:对自旋组态进行循环更新,将更新后的自旋组态调制到高斯光束的相位上,获得输入矩阵;根据输入矩阵与变换矩阵获得输出矩阵;根据输出矩阵确定当前采样轮次的输出光强,根据输出光强和模型特征值矩阵确定哈密顿量,根据哈密顿量确定采样结果,并在确定末轮采样时,使末轮采样对应的自旋组态作为数据处理结果。本发明提供的一种基于伊辛机的数据处理方法、装置及伊辛机,能够将伊辛模型的数据处理过程在光束上完成,并能够实现由光信号到电信号的转换,具有以光速进行信息的并行处理的能力,可以极大提高求解伊辛问题的速率。

    转炉炼钢终点控制方法、系统、装置、设备、介质及产品

    公开(公告)号:CN116240328B

    公开(公告)日:2024-09-03

    申请号:CN202111468068.9

    申请日:2021-12-03

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明提供一种转炉炼钢终点控制方法、系统、装置、设备、介质及产品,方法包括:获取当前时刻转炉炉口对应的至少一张光谱图像;分别提取每张所述光谱图像中的目标图像区域,将所述目标图像区域作为目标光谱图像;对所述目标光谱图像进行降维处理,得到待处理光谱图像;将所述待处理光谱图像输入预测模型,得到通过所述预测模型输出的转炉钢水温度和转炉碳含量;当确定所述转炉钢水温度和所述转炉碳含量达到预设范围时,生成停止冶炼指令。本发明用以解决现有技术中通过人工经验判定转炉内的转炉钢水温度和转炉碳含量来停止炼钢,导致准确率低的缺陷。

    基于天然双曲材料的切伦科夫红外辐射源及自由电子光源

    公开(公告)号:CN114552332B

    公开(公告)日:2024-08-06

    申请号:CN202210051327.6

    申请日:2022-01-17

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明提供一种基于天然双曲材料的切伦科夫红外辐射源及自由电子光源,包括天然双曲材料层和片上自由电子发射源,片上自由电子发射源包括片上电子源阴极和片上电子源阳极。如此通过片上自由电子发射源产生稳定电子束,激励天然双曲材料中的红外切伦科夫辐射。由于天然双曲材料成本低廉,易于获得,制备工艺简单,相较于人工双曲超材料具有显著优势。同时天然双曲材料易于生长且稳定性好缺陷少,可以规避由于材料加工工艺精度给器件性能带来的影响。而且基于天然介质材料,本征损耗更低,使得相应器件辐射功率更大、效率更高且发热更小。此外基于天然晶体材料,容易实现版图化和阵列化,为大功率阵列集成化自由电子光源提供了可能方案。

Patent Agency Ranking